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公开(公告)号：CN101636840A
公开(公告)日：2010-01-27
申请号：CN200780025155.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaO x 的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
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公开(公告)号：CN1175510C
公开(公告)日：2004-11-10
申请号：CN00812862.6
申请日：2000-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0273 , H01M8/0204 , H01M8/0206 , H01M8/0223 , H01M8/0228 , H01M8/0258 , H01M8/0276 , H01M8/0284 , H01M8/241 , H01M8/2457 , H01M8/2483 , H01M2300/0082
Abstract: 本发明的高分子电解质型燃料电池的隔板具有向其电极供给氧化剂气体或燃料气体的气体通道，由金属板和形成于该金属板表面的导电性薄膜所构成。金属板和前述导电性薄膜之间具有因导电性薄膜材料扩散而形成的扩散层。该燃料电池即使长时间使用，金属板也不会产生腐蚀和溶解，且输出功率稳定。
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公开(公告)号：CN1373912A
公开(公告)日：2002-10-09
申请号：CN00812862.6
申请日：2000-09-06
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01M8/0273 , H01M8/0204 , H01M8/0206 , H01M8/0223 , H01M8/0228 , H01M8/0258 , H01M8/0276 , H01M8/0284 , H01M8/241 , H01M8/2457 , H01M8/2483 , H01M2300/0082
Abstract: 本发明的高分子电解质型燃料电池的隔板具有向其电极供给氧化剂气体或燃料气体的气体通道,由金属板和形成于该金属板表面的导电性薄膜所构成。金属板和前述导电性薄膜之间具有因导电性薄膜材料扩散而形成的扩散层。该燃料电池即使长时间使用,金属板也不会产生腐蚀和溶解,且输出功率稳定。
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公开(公告)号：CN1080455C
公开(公告)日：2002-03-06
申请号：CN96112720.1
申请日：1996-10-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3105
Abstract: 一种有经过精细加工的电介质元件的制造方法。该方法包括利用由氢氟酸和氧化剂构成的腐蚀剂，将在基板上形成的电介质膜蚀刻成规定的图形的工序、以及通过利用由还原剂构成的第1处理液、接着利用由酸构成的第2处理液分别进行处理，将蚀刻残渣除去的工序。能不产生残渣而使电介质膜形成精细的图形。
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公开(公告)号：CN1232969A
公开(公告)日：1999-10-27
申请号：CN99106299.X
申请日：1999-04-13
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: G01P15/09
CPC classification number: G01P15/0907 , G01P15/0922 , G01P15/18
Abstract: 加速度传感器201包括纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204。纵向效应型检测部203包括由薄膜压电体211a和电极211b、211c构成的纵向效应型压电元件211。横向效应型检测部204设有横向效应型压电元件213,使其支撑在底板105上形成的沟状凹部105a的上方附近。检测电路116根据纵向效应型检测部203和横向效应型检测部204两者的输出检测出规定方向上加速度等。因此,能够检测规定方向上的加速度并实现大动态范围和宽频带。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102656692A
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN201180004276.1
申请日：2011-12-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/105 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC classification number: H01L45/145 , H01L27/2418 , H01L27/2463 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1616 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明包括：第一电极布线(151)，被形成为带状；第三层间绝缘层(16)；电阻变化层，被形成在覆盖存储单元孔(29)的底部及侧面的区域，且是由缺氧型过渡金属氧化物构成的第一电阻变化层(18a)、和由含氧率与所述第一电阻变化层(18a)不同的缺氧氮型过渡金属氧氮化物构成的第二电阻变化层(18b)的层叠构造体；第一电极(19)，被形成在存储单元孔(29)的内部；以及第一布线(22)，在至少覆盖存储单元孔(29)的开口的区域，在与第一电极布线(151)交叉的方向上被形成为带状，在将所述过渡金属表示为M、将第一电阻变化层(18a)的组成表示为MOz、将第二电阻变化层(18b)的组成表示为MOxNy的情况下，满足z＞x+y的关系。
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公开(公告)号：CN101636840B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200780025155.9
申请日：2007-10-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 本发明的非易失性存储元件包括第一电极(103)、第二电极(105)、以及电阻变化层(104)，该电阻变化层(104)介于第一电极(103)和第二电极(105)之间，电阻值根据被施加到两个电极(103)、(105)之间的电信号而可逆地变化。该电阻变化层(104)至少包含钽氧化物，以在将该钽氧化物表示为TaOx的情况下满足0＜x＜2.5的方式构成电阻变化层(104)。
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公开(公告)号：CN101501849B
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN200780028882.0
申请日：2007-08-17
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
Abstract: 本发明提供存储元件、存储器装置和半导体集成电路。存储元件包括：第一电极、第二电极和电阻变化膜(2)，该电阻变化膜(2)以与第一电极和第二电极连接的方式介于两电极之间，其电阻值根据两电极之间的电压而改变，电阻变化膜(2)包括由Fe3O4构成的层(2a)和由以Fe2O3或MFe2O4表示的尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，由Fe3O4构成的层(2a)形成得厚于由上述Fe2O3或上述尖晶石结构氧化物构成的层(2b)，其中，M是除Fe以外的金属元素。
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公开(公告)号：CN101501851B
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200780029617.4
申请日：2007-12-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
Abstract: 本发明提供电阻变化型元件和使用它的电阻变化型存储装置，电阻变化型元件(10)包括：第一电极；第二电极；以及配置在第一电极(2)与第二电极(4)之间并与第一电极(2)和第二电极(4)电连接的电阻变化层(3)，其中，电阻变化层(3)包含具有以(ZnxFe1-x)Fe2O4的化学式表示的尖晶石结构的材料，并且该电阻变化型元件(10)具有下述特性：通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加第一电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻上升；通过在第一电极(2)与第二电极(4)之间施加极性与第一电压脉冲相同的第二电压脉冲，第一电极(2)与第二电极(4)之间的电阻下降。
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公开(公告)号：CN101878530A
公开(公告)日：2010-11-03
申请号：CN200980101132.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L45/1675 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2472 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/146 , H01L45/1625
Abstract: 一种非易失性存储元件，其包括在基板(101)上形成的第一电极(103)、电阻变化层(108)和第二电极(107)，电阻变化层具有多层结构，该多层结构包括第一过渡金属氧化物层(104)、氧浓度高于第一过渡金属氧化物层(104)的第二过渡金属氧化物层(106)、过渡金属氧氮化物层(105)的至少3层。第二过渡金属氧化物层(106)与第一电极(103)或第二电极(107)中的任一个相接，过渡金属氧氮化物层(105)存在于第一过渡金属氧化物层(104)和第二过渡金属氧化物层(106)之间。
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