公开(公告)号：CN104508549A

公开(公告)日：2015-04-08

申请号：CN201380041283.8

申请日：2013-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三宅博之 ,  宍户英明 ,  小山润 ,  松林大介 ,  村山佳右

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

公开(公告)号：CN111373476B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201880075638.8

申请日：2018-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  木村肇 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  井上广树 ,  原田伸太郎 ,  松林大介

IPC: G11C11/408 ,  G11C7/04 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种同时实现高温下的保持工作和低温下的高速工作的存储装置。该存储装置包括驱动器电路以及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。当晶体管包括第一栅极及第二栅极时，驱动器电路具有驱动第二栅极的功能，在存储单元保持数据的期间，驱动器电路将与存储装置的温度或存储装置被设置的环境的温度对应的电位输出到第二栅极。

公开(公告)号：CN111373476A

公开(公告)日：2020-07-03

申请号：CN201880075638.8

申请日：2018-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  木村肇 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  井上广树 ,  原田伸太郎 ,  松林大介

IPC: G11C11/408 ,  G11C7/04 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种同时实现高温下的保持工作和低温下的高速工作的存储装置。该存储装置包括驱动器电路以及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。当晶体管包括第一栅极及第二栅极时，驱动器电路具有驱动第二栅极的功能，在存储单元保持数据的期间，驱动器电路将与存储装置的温度或存储装置被设置的环境的温度对应的电位输出到第二栅极。

公开(公告)号：CN110998809A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201880050765.2

申请日：2018-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  松林大介 ,  方堂凉太 ,  伊藤大吾 ,  本多大章 ,  冈本悟

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/786 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种具有良好的电特性的半导体装置。该半导体装置包括：氧化物；氧化物上的第一导电体及第二导电体；氧化物上的第三导电体；氧化物与第三导电体之间的覆盖第三导电体的侧面的第一绝缘体；第三导电体及第一绝缘体上的第二绝缘体；位于第一导电体上且第二绝缘体的侧面处的第三绝缘体；位于第二导电体上且第二绝缘体的侧面处的第四绝缘体；与第三绝缘体的顶面及侧面接触且与第一导电体电连接的第四导电体；以及与第四绝缘体的顶面及侧面接触且与第二导电体电连接的第五导电体。第一绝缘体位于第三绝缘体与第三导电体之间且位于第四绝缘体与第三导电体之间。

公开(公告)号：CN106057802B

公开(公告)日：2020-03-17

申请号：CN201610671533.1

申请日：2012-03-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/1156 ,  H01L27/12 ,  G11C11/404 ,  G11C11/405

Abstract: 提供了存储器设备和电子设备。对单独的存储器单元执行选择操作。设备包括第一存储器单元和与第一存储器单元设置在同一行中的第二存储器单元，它们各自包括具有第一栅极和第二栅极的场效应晶体管。场效应晶体管通过导通或截止来至少控制存储器单元中的数据写入和数据保持。该设备还包括：行选择线，电连接至包括在第一存储器单元和第二存储器单元中的场效应晶体管的第一栅极；第一列选择线，电连接至包括在第一存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极；以及第二列选择线，电连接至包括在第二存储器单元中的场效应晶体管的第二栅极。

公开(公告)号：CN108493253A

公开(公告)日：2018-09-04

申请号：CN201810257440.3

申请日：2013-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介 ,  篠原聪始 ,  关根航

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种半导体装置，其中能够抑制随着晶体管的微型化而变得更显著的电特性的劣化。该半导体装置包括：氧化物半导体叠层，其中在衬底上从衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层；接触于氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层；在氧化物半导体叠层、源电极层及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上的栅电极层。第一氧化物半导体层包括第一区域。栅极绝缘膜包括第二区域。在TS1表示第一区域的厚度且TG1表示第二区域的厚度时，TS1≥TG1。

公开(公告)号：CN104508549B

公开(公告)日：2018-02-06

申请号：CN201380041283.8

申请日：2013-07-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  三宅博之 ,  宍户英明 ,  小山润 ,  松林大介 ,  村山佳右

IPC: G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1255 ,  G02F1/1339 ,  G02F1/134363 ,  G02F1/13454 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136204 ,  G02F1/136209 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/134372 ,  G02F2201/121 ,  G02F2201/123 ,  G02F2201/40 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/124 ,  H01L27/3265 ,  H01L29/7869

Abstract: 提供不降低开口率且具有电荷容量增大的电容器的半导体装置。该半导体装置包括具有透光性半导体膜的晶体管、介电膜设置在一对电极之间的电容器、设置在透光性半导体膜上的绝缘膜、以及设置在绝缘膜上的透光性导电膜。在电容器中，至少包含铟（In）或锌（Zn）且形成在与晶体管的透光性半导体膜同一表面上的金属氧化物膜用作一个电极，透光性导电膜用作另一个电极，并且，设置在透光性半导体膜上的绝缘膜用作介电膜。

公开(公告)号：CN104823283A

公开(公告)日：2015-08-05

申请号：CN201380061385.6

申请日：2013-11-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松林大介 ,  篠原聪始 ,  关根航

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/06 ,  H01L27/08 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/417 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/78612 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供一种半导体装置，其中能够抑制随着晶体管的微型化而变得更显著的电特性的劣化。该半导体装置包括：氧化物半导体叠层，其中在衬底上从衬底一侧依次层叠有第一氧化物半导体层、第二氧化物半导体层及第三氧化物半导体层；接触于氧化物半导体叠层的源电极层及漏电极层；在氧化物半导体叠层、源电极层及漏电极层上的栅极绝缘膜；以及在栅极绝缘膜上的栅电极层。第一氧化物半导体层包括第一区域。栅极绝缘膜包括第二区域。在TS1表示第一区域的厚度且TG1表示第二区域的厚度时，TS1≥TG1。

公开(公告)号：CN103779423A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201310511688.5

申请日：2013-10-24

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 肥塚纯一 ,  岛行德 ,  德永肇 ,  佐佐木俊成 ,  村山佳右 ,  松林大介

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66969 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02263 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/513 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/7869

Abstract: 减少包括氧化物半导体膜的半导体装置的氧化物半导体膜中的缺陷。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的电特性。另外，提高包括氧化物半导体膜的半导体装置的可靠性。在本发明的半导体装置中，该半导体装置包括晶体管、覆盖该晶体管的第一氧化物绝缘膜以及该第一氧化物绝缘膜上的第二氧化物绝缘膜，上述晶体管包括形成在衬底上的栅电极、覆盖栅电极的栅极绝缘膜、隔着栅极绝缘膜与栅电极重叠的多层膜、以及与多层膜相接的一对电极，多层膜包括氧化物半导体膜、以及含有In或Ga的氧化物膜，第一氧化物绝缘膜为使氧透过的氧化物绝缘膜，第二氧化物绝缘膜为包含超过化学计量组成的氧的氧化物绝缘膜。