公开(公告)号：CN118251715A

公开(公告)日：2024-06-25

申请号：CN202280074192.3

申请日：2022-10-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 上妻宗广 ,  大贯达也 ,  小林英智 ,  冈本佑树

IPC: G09G3/3275 ,  G09F9/00 ,  G09F9/30 ,  G09G3/20 ,  G09G3/3225 ,  G09G3/3233 ,  G09G3/3266 ,  G09G5/00

Abstract: 本发明的目的是提供一种减少图像数据传送量且保持高显示品质的显示装置。显示装置(DP)包括显示部(DIS)、发光部(SHB)及受光部(SJB)。显示部包括彼此重叠的第一显示区域(ALP)及第一电路区域。此外，第一显示区域包括多个第一显示像素，第一电路区域包括第一驱动电路(DRV)。第一驱动电路通过第一显示区域上延伸的多个第一布线电连接到多个第一显示像素。发光部具有发射第一光的功能，受光部具有检测由于将第一光照射到拍摄对象而反射的第二光的功能及根据第二光生成信息的功能。第一驱动电路具有根据该信息对多个第一布线分别发送多个图像信号或者对多个第一布线中连续相邻的两个以上的布线发送同一图像信号的功能。

公开(公告)号：CN116745834A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202280010327.X

申请日：2022-01-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 上妻宗广 ,  大贯达也 ,  池田隆之 ,  松嵜隆德

IPC: G09F9/30

Abstract: 提供一种分辨率高且抑制输入到像素的信号延迟的显示装置。在该显示装置中，从下方依次形成有第一层、第二层以及第三层。第一层包括驱动电路及多个第一布线，第二层包括多个第一接触部，第三层包括像素阵列及多个第二布线。像素阵列包括多个像素电路。多个第二布线是平行且在像素阵列的列方向上延伸而设置的布线，多个像素电路分别与多个第二布线电连接。驱动电路包括沿着第一方向排列的多个输出端子。多个第一布线是在垂直于第一方向的方向上延伸而设置的布线，多个输出端子分别与多个第一布线电连接。多个第一布线分别通过多个第一接触部电连接于多个第二布线。

公开(公告)号：CN116097274A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202180050124.9

申请日：2021-07-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 松崎隆德 ,  大贯达也 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  冈本佑树 ,  池田隆之

IPC: G06N3/063 ,  G06F7/544

Abstract: 提供一种新颖的结构的半导体装置。该半导体装置包括数字运算器、模拟运算器、第一存储电路、第二存储电路，其中，模拟运算器、第一存储电路及第二存储电路分别包括在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管，第一存储电路具有将第一权重数据作为数字数据供应到数字运算器的功能，数字运算器具有使用第一权重数据进行积和运算的功能，第二存储电路具有将第二权重数据作为模拟数据供应到模拟运算器的功能，模拟运算器具有使用第二权重数据进行积和运算的功能，在模拟运算器及第二存储电路所包括的在沟道形成区域中包含氧化物半导体的晶体管中的至少一个中，源极‑漏极间流过的电流量为在该晶体管在亚阈值区域工作时流过的电流量。

公开(公告)号：CN115552408A

公开(公告)日：2022-12-30

申请号：CN202180034710.4

申请日：2021-05-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 青木健 ,  黑川义元 ,  上妻宗广 ,  金村卓郎 ,  井上达则

IPC: G06G7/60 ,  G06G7/16 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786

Abstract: 本发明的一个方式提供一种电路面积小且功耗低的半导体装置。一种半导体装置，包括第一至第四单元、电流镜电路、第一至第四布线，并且第一至第四单元的每一个包括第一晶体管、第二晶体管以及电容器。在第一至第四单元的每一个中，第一晶体管的第一端子与电容器的第一端子及第二晶体管的栅极电连接。第一布线与第一单元及第二单元的第二晶体管的第一端子电连接，第二布线与第三单元及第四单元的第二晶体管的第一端子电连接，第三布线与第一单元及第三单元的电容器的第二端子电连接，第四布线与第二单元及第四单元的电容器的第二端子电连接。电流镜电路与第一布线及第二布线电连接。

公开(公告)号：CN115152021A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202180015110.3

申请日：2021-02-08

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本佑树 ,  上妻宗广 ,  大贯达也

IPC: H01L27/1156 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/8239 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L29/786 ,  G06F12/00 ,  G06F17/10 ,  G11C11/405

Abstract: 提供一种新颖结构的半导体装置。该半导体装置包括多个存储电路、切换电路及运算电路。多个存储电路分别具有保持权重数据的功能以及向第一布线输出权重数据的功能。切换电路具有切换多个第一布线的任一个与第二布线的导通状态的功能。运算电路具有利用输入数据和供应到第二布线的权重数据进行运算处理的功能。存储电路设置在包括第一晶体管的第一层。切换电路及运算电路设置在包括第二晶体管的第二层。第一层是与第二层不同的层。

公开(公告)号：CN112930636A

公开(公告)日：2021-06-08

申请号：CN201980070395.3

申请日：2019-10-16

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 高桥圭 ,  池田隆之 ,  松崎隆德 ,  上妻宗广 ,  井上广树 ,  田岛亮太 ,  门马洋平 ,  三上真弓 ,  栗城和贵 ,  山崎舜平

IPC: H02J7/10 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/786

Abstract: 提供一种新颖结构的电池控制电路、新颖结构的电池保护电路及包括该电池电路的蓄电装置。提供一种蓄电装置，包括第一电路部、第二电路部、第三电路部及二次电池，其中第一电路部具有控制二次电池的充电的功能，第一电路部具有对第三电路部传送二次电池的充电的开始时刻及结束时刻的功能，第二电路部具有生成第一电压及第一电流并将其供应给第三电路部的功能，第三电路部具有通过对电容器充电第一电流，生成第二电压的功能，并且第三电路部具有对第一电压和第二电压进行比较的功能。

公开(公告)号：CN101996006B

公开(公告)日：2015-03-11

申请号：CN201010267003.3

申请日：2010-08-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 上妻宗广

IPC: G06F3/042

CPC classification number: G06F3/0412 ,  G06F3/042

Abstract: 本发明的目的是通过准确确定输入是否执行来抑制触摸传感器、触摸面板以及使用它们的设备的误操作。此外，另一目的是增强确定的响应速度。包括了一种包括具有光电传感器的多个像素和图像处理部分的触摸面板。该光电传感器形成触摸该触摸面板的物体的一部分的接触图像。该图像处理部分根据接触图像的色彩数据计算接触部分的面积，并基于该面积确定是否执行对触摸面板的输入。

公开(公告)号：CN102792677A

公开(公告)日：2012-11-21

申请号：CN201180012932.2

申请日：2011-02-18

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 黑川义元 ,  池田隆之 ,  田村辉 ,  上妻宗广 ,  池田匡孝 ,  青木健

IPC: H04N5/361 ,  H01L27/146 ,  H04N5/3745

CPC classification number: H01L27/14616 ,  H01L27/14603 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L29/7869 ,  H01L31/1055 ,  H04N5/361 ,  H04N5/374 ,  H04N5/378

Abstract: 在其中多个像素被以矩阵设置的CMOS图像传感器中，其中沟道形成区包括氧化物半导体的晶体管被用于位于像素部分中的电荷累积控制晶体管和重置晶体管中的每一个。在以矩阵设置的所有像素中执行信号电荷累积部分的重置操作之后，在所有像素中执行通过光电二极管的电荷累积操作，且逐行执行对来自像素的信号的读取操作。因此，可没有扭曲地获取图像。

公开(公告)号：CN111373476B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN201880075638.8

申请日：2018-11-22

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  木村肇 ,  上妻宗广 ,  青木健 ,  井上广树 ,  原田伸太郎 ,  松林大介

IPC: G11C11/408 ,  G11C7/04 ,  H10B12/00

Abstract: 提供一种同时实现高温下的保持工作和低温下的高速工作的存储装置。该存储装置包括驱动器电路以及多个存储单元，存储单元包括晶体管及电容器，晶体管在沟道形成区域中包含金属氧化物。当晶体管包括第一栅极及第二栅极时，驱动器电路具有驱动第二栅极的功能，在存储单元保持数据的期间，驱动器电路将与存储装置的温度或存储装置被设置的环境的温度对应的电位输出到第二栅极。

公开(公告)号：CN117529770A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202280043744.4

申请日：2022-06-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 冈本佑树 ,  大贯达也 ,  小林英智 ,  上妻宗广 ,  松嵜隆德 ,  川岛进 ,  冈崎丰

IPC: G09G3/3233

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置及半导体装置的驱动方法，该半导体装置包括第一及第二晶体管、第一至第五开关、第一至第三电容器以及显示元件，其中，第一晶体管(M2)包括背栅极，第一晶体管的栅极与第一开关(M1)电连接，在第一晶体管的栅极与第一晶体管的源极之间包括第二开关(M3)及第一电容器(C1)，第一晶体管的背栅极与第三开关(M4)电连接，在第一晶体管的背栅极与第一晶体管的源极之间包括第二电容器(C2)，第一晶体管的源极与第四开关(M6)及第二晶体管(M5)的漏极电连接，第二晶体管的栅极与第五开关(M7)电连接，在第二晶体管的栅极与第二晶体管的源极之间包括第三电容器(C3)，并且，第二晶体管的源极与显示元件(61)电连接。