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公开(公告)号:CN104795408B
公开(公告)日:2019-01-25
申请号:CN201510068262.6
申请日:2010-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , G02F1/1335 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及光电检测器、液晶显示器件和发光器件。本发明的一种实施例包括在透光基板之上的第一挡光层和第二挡光层,在第一挡光层之上的第一光电二极管,在第二挡光层之上的第二光电二极管,覆盖第一光电二极管的第一彩色滤光片,覆盖第二光电二极管的第二彩色滤光片,以及使用第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的并布置于第一光电二极管和第二光电二极管之间的第三挡光层。
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公开(公告)号:CN102792678B
公开(公告)日:2016-11-30
申请号:CN201180012776.X
申请日:2011-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/374 , G01J1/44 , H01L27/146
Abstract: 一种半导体装置,其包括光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。第二晶体管和第三晶体管具有保持累积在第一晶体管的栅极中的电荷的功能。在第二晶体管和第三晶体管处于截止的期间中,将施加到第二晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第二晶体管的源极的电压电平和第二晶体管的漏极的电压电平低,并将施加到第三晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第三晶体管的源极的电压电平和第三晶体管的漏极的电压电平低。
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公开(公告)号:CN102782622B
公开(公告)日:2016-11-02
申请号:CN201180013656.1
申请日:2011-02-16
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/041 , G02F1/133 , G02F1/1333 , G06F3/042 , G09G3/20 , G09G3/34 , G09G3/36 , H01L27/146
CPC classification number: G06F3/0412 , G06F3/042 , G09G3/3648 , G09G2354/00
Abstract: 显示装置具有包括布置在矩阵中的多个像素的像素阵列,以及设置成面对衬底的背光,该像素阵列形成于衬底之上,并且显示元件部分、光传感器部分形成于像素中。在显示装置中,在用于显示插入在形成图像的两个连续期间之间的黑图像的一个帧期间,或在显示元件部分保持图像的一个帧期间中的背光关闭期中,执行光传感器部分的积聚操作,对每行连续地选择像素,并且输出对应于光传感器部分的信号电荷积聚部分的电位的信号。
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公开(公告)号:CN102290034B
公开(公告)日:2015-07-08
申请号:CN201110184952.X
申请日:2011-06-21
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3406 , G09G3/3607 , G09G2300/0426 , G09G2310/0205 , G09G2310/0235
Abstract: 场序液晶显示装置的图像质量通过增加图像信号的输入频率而提高。在采用矩阵设置的像素之中,图像信号同时供应给提供在多行中的像素。从而,图像信号到该液晶显示装置的像素中的每个的输入频率可以增加。结果,在该液晶显示装置中,可以抑制在场序液晶显示装置中引起的例如颜色分离等显示退化并且可以提高图像质量。
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公开(公告)号:CN101997011B
公开(公告)日:2015-04-22
申请号:CN201010266753.9
申请日:2010-08-24
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L27/144 , H01L31/0216 , G02F1/133 , H01L27/32
CPC classification number: G01J1/02 , G01J1/0209 , G01J1/0214 , G01J1/04 , G01J1/0411 , G01J1/0488 , G01J3/506 , G01J3/51 , G01J3/513
Abstract: 本发明涉及光电检测器和显示器件,入射到光电转换元件的光量在防止来自光透射基板下方的背光的杂散光入射到光电转换元件的同时得到了增加。光阻挡层由在相对光传播方向的一侧相互重叠的覆盖在光透射基板之上的光电转换元件的彩色滤光片与覆盖在相邻像素内的光电转换元件的彩色滤光片来形成。另外,通过在彩色滤光片之上提供微透镜,按常规不被检测到的光被聚集于光电转换元件,并且因此入射到光电转换元件的光量得以增加。
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公开(公告)号:CN102792678A
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201180012776.X
申请日:2011-02-09
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H04N5/374 , G01J1/44 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14643 , G01J1/44 , H01L27/14609 , H04N5/378
Abstract: 一种半导体装置,其包括光电二极管、第一晶体管、第二晶体管、以及第三晶体管。第二晶体管和第三晶体管具有保持累积在第一晶体管的栅极中的电荷的功能。在第二晶体管和第三晶体管处于截止的期间中,将施加到第二晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第二晶体管的源极的电压电平和第二晶体管的漏极的电压电平低,并将施加到第三晶体管的栅极的电压的电压电平设定为比第三晶体管的源极的电压电平和第三晶体管的漏极的电压电平低。
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公开(公告)号:CN101097613B
公开(公告)日:2011-09-28
申请号:CN200710127902.1
申请日:2007-06-29
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06K19/077 , G06K7/00
CPC classification number: G06K19/07749
Abstract: 若采用ASK方式作为半导体装置和读写器之间的通信方式,则在不将数据从读写器发送到半导体装置的情况下无线信号的振幅也因从半导体装置发送到读写器的数据而变化。因此,有时会有将半导体装置所发送的数据误认作从读写器发送到半导体装置的数据的情况。本发明的技术要点如下:半导体装置由天线电路、发送电路、接收电路、以及计算处理电路构成。在天线电路中发送及接收无线信号。另外,发送电路将表示天线电路是否正在发送无线信号的信号输出到接收电路。
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公开(公告)号:CN102096523A
公开(公告)日:2011-06-15
申请号:CN201010550466.0
申请日:2010-11-08
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: G06F3/042
CPC classification number: H04N5/335 , G06F3/0412 , G06F3/042 , G09G3/3648 , G09G2320/0295 , G09G2360/14 , G09G2360/144 , H01L27/146 , H04N5/374
Abstract: 本发明的目的是在具有利用光传感器的成像功能的显示面板中降低起因于设置于各像素的光传感器的特性的不均匀性的噪音,而进行高精度的成像。一种显示装置,包括:光传感器被配置为矩阵状的显示面板;以及图像处理电路,其中,所述光传感器进行黑色图像以及检测对象的图像的成像,并且,所述图像处理电路使用所述黑色图像的图像数据X以及所述检测对象的图像的图像数据Y来生成具有图像数据(Y-X)的图像。
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公开(公告)号:CN101997053A
公开(公告)日:2011-03-30
申请号:CN201010260696.3
申请日:2010-08-20
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
IPC: H01L31/101 , H01L31/0232 , G02F1/133 , G02F1/13357
CPC classification number: H01L31/02327 , G02F1/133514 , G02F2001/13312 , H01L27/1446 , H01L27/14618 , H01L27/14621 , H01L27/3269 , H01L31/02164 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及光电检测器、液晶显示器件和发光器件。本发明的一种实施例包括在透光基板之上的第一挡光层和第二挡光层,在第一挡光层之上的第一光电二极管,在第二挡光层之上的第二光电二极管,覆盖第一光电二极管的第一彩色滤光片,覆盖第二光电二极管的第二彩色滤光片,以及使用第一彩色滤光片和第二彩色滤光片形成的并布置于第一光电二极管和第二光电二极管之间的第三挡光层。
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公开(公告)号:CN101401112A
公开(公告)日:2009-04-01
申请号:CN200780008583.0
申请日:2007-03-02
Applicant: 株式会社半导体能源研究所
CPC classification number: H01Q1/2225 , G06K19/0701 , G06K19/0702 , G06K19/0723 , G06K19/07767
Abstract: 本发明提供了电池作为RFID中用于供电的电源,以及除了向外面发送并且从外面接收个体信息的天线之外,用于对该电池充电的另一个天线作为向该电池供电的装置。
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