公开(公告)号：CN1881594A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610099676.6

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

公开(公告)号：CN1638141A

公开(公告)日：2005-07-13

申请号：CN200410101997.6

申请日：1995-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 竹村保彦 ,  滨谷敏次 ,  小沼利光 ,  小山润 ,  河崎祐司 ,  张宏勇 ,  山崎舜平

IPC: H01L27/15 ,  H01L29/786 ,  G02F1/136 ,  G09G3/36 ,  G09F9/30

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13624 ,  G02F2001/13685 ,  G09G3/3648 ,  G09G2300/0809 ,  G09G2300/0819 ,  G09G2300/0842 ,  G09G2300/0852 ,  G09G2320/0214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78645 ,  H01L29/78696

Abstract: 根据本发明，提供了一种有源矩阵显示器，包括：一个表面绝缘的衬底；在所述绝缘表面上形成的一个半导体层，所述半导体层包括至少第一和第二沟道、在所述第一和第二沟道之间的第一掺杂区、和一对第二掺杂区，其中所述沟道位于所述第二掺杂区之间；形成在所述半导体层上的第一绝缘层；形成在所述绝缘层上的一个栅线，其中所述栅线在所述沟道之上延伸；形成在所述栅线之上的第二绝缘层；形成在所述第二绝缘层之上的一个源线，其中所述源线电连接到所述第二掺杂区中的一个上；形成在所述源线之上的第三绝缘层；和形成在所述第三绝缘层之上的一个像素电极，它电连接到所述第二掺杂区的另一个上；其中所述第一和第二沟道中的一个被所述源线覆盖，而另一个不被所述源线覆盖。

公开(公告)号：CN1630024A

公开(公告)日：2005-06-22

申请号：CN200410048959.9

申请日：1997-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。

公开(公告)号：CN1206737C

公开(公告)日：2005-06-15

申请号：CN97102280.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山﨑舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN1160936A

公开(公告)日：1997-10-01

申请号：CN97102280.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山舜平 ,  寺本聡 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/04 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明的目的是要得到具有良好的特性的薄膜晶体管。使非晶硅膜203的特定的区域205保持有选择地与镍元素相接。然后通过加热处理，进行用207示出的那种朝向与基板平行的方向的结晶生长。再通过在含有卤族元素的氧化性气氛中的加热处理，形成热氧化膜209。此时，进行结晶性的改善、镍元素的吸杂。然后使上述结晶生长方向与源/漏区的联结方向一致来制造薄膜晶体管。通过这样做，可得到迁移率为200(cm2/Vs)以上，S值为100(mV/dec)以下的那种具有良好特性的TFT。

公开(公告)号：CN1025893C

公开(公告)日：1994-09-07

申请号：CN89103243.6

申请日：1989-05-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所 ,  高砂香料工业株式会社

Inventor： 佐藤正彦 ,  滨谷敏次 ,  荻原利光 ,  近藤仁

IPC: G02F1/13 ,  C09K19/10

Abstract: 本发明公开了一种新型的非易失性双稳态液晶装置，它具有两块相隔一定距离的基板，选取该距离使得液晶材料的分子排列成螺旋形，从而使该液晶分子能依据所施加的电场有选择性地处于两种稳定的光学各向异性状态之一，在两种稳定状态之间的转换过程经过一个中间态，在中间态时，液晶分子重新排列成螺旋形结构，并呈现为光学各向同性状态。

公开(公告)号：CN101996904B

公开(公告)日：2015-02-25

申请号：CN201010254914.2

申请日：2010-08-06

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 滨谷敏次 ,  福留贵浩

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H05K3/4007 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3164 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05669 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/0568 ,  H01L2224/05681 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/16 ,  H01L2924/0001 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01041 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/30105 ,  H05K3/045 ,  H05K3/281 ,  H05K2201/0367 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49126 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49165 ,  Y10T29/49204 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造端子结构的方法和用于制造电子器件的方法，为了提供用于使用除激光束照射之外的手段在暴露端子部分(用绝缘膜密封)的步骤中在该绝缘膜(其通过固化包括增强材料的半固化片而获得)中高准确度地形成开口的方法。突出物使用导体形成。包括增强材料的未固化的半固化片紧密贴附到该突出物并且该半固化片固化，使得包括该增强材料的绝缘膜形成。该绝缘膜的顶面的一部分由于该突出物而突出。该突出部分连同增强材料通过研磨处理等优先去除以在绝缘膜中形成开口，使得暴露突出物的开口在绝缘膜中形成。

公开(公告)号：CN1630024B

公开(公告)日：2010-04-28

申请号：CN200410048959.9

申请日：1997-01-19

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L21/00 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/28158 ,  H01L21/3221 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 通过除去或者减少利用金属元素得到结晶硅膜中的该金属元素，得到具有优良特性的结晶硅膜，并且利用该结晶硅膜得到具有优良特性的半导体器件。通过第1加热处理，在非晶硅膜中，掺入促进硅结晶的金属元素，得到使该非晶硅膜结晶的结晶硅膜以后，在氧化气氛中进行第2加热处理、除去或者减少在该结晶硅膜中存在的金属元素，除掉形成的热氧化膜，在除掉该热氧化膜区域的表面上，再次进行热氧化，通过形成热氧化膜等得到半导体器件及其制造方法。该氧化气氛，采用含氧的氧化气氛，和含有卤素的氧化气氛等。

公开(公告)号：CN100505312C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN200610099650.1

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 一种便携式信息终端，该信息终端包括一个半导体装置，所述半导体装置具有多个N沟道和P沟道薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：在一个基板的绝缘表面上形成的结晶性硅膜作为有源层，所述有源层具有至少一个沟道区和源、漏区，并包括一种卤族元素；其中所述结晶性硅膜包括结晶性硅晶粒，每个结晶性硅晶粒的晶体结构在预定方向上延伸，并且晶界在所述预定预定方向上扩展；其中所述预定方向与所述薄膜晶体管的沟道区中的载流子移动方向成一预定角度，且其中所述薄膜晶体管的S值小于等于100mV/dec。

公开(公告)号：CN1881595A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610099677.0

申请日：1997-01-20

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  寺本聪 ,  小山润 ,  尾形靖 ,  早川昌彦 ,  纳光明 ,  大谷久 ,  滨谷敏次

IPC: H01L27/12 ,  H01L27/15 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L21/3226 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1203 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78621 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。