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公开(公告)号：CN104507686B
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201380040170.6
申请日：2013-07-19
Applicant: 株式会社理光
CPC classification number: B41J2/162 , B23P15/16 , B41J2/1433 , B41J2/1623 , B41J2/1628 , B41J2/1631 , B41J2/1632 , B41J2/1634 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/11 , Y10T29/49401
Abstract: 本发明公开一种喷嘴板，其具有沿厚度方向贯穿该喷嘴板的喷嘴孔。所述喷嘴板包括形成于喷嘴孔处的排出口，若排出口的开口形状的四个角部的曲率记为R1、R2、R3和R4，则排出口的开口形状配置为近似满足方程式R1＝R2≥R3＝R4≈0。
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公开(公告)号：CN102782858B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201080064709.8
申请日：2010-12-22
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , C01F17/00 , G02F1/1368 , G02F1/15 , G02F1/167 , G02F1/17 , G09G3/30 , G09G3/34 , G09G3/36 , G09G3/38 , H01L21/316 , H01L21/8234 , H01L21/8242 , H01L21/8247 , H01L27/06 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L29/78 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L51/50 , H05B33/02
CPC classification number: H01L29/4908 , G02F1/1368 , G02F2001/1635 , G09G3/20 , G09G3/3233 , G09G3/3648 , H01L27/10873 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/7869 , H01L29/7881
Abstract: 场效应晶体管包括：基板；在该基板上形成的源极电极、漏极电极和栅极电极；半导体层，当向栅极电极施加预定电压时，通过该半导体层在该源极电极和漏极电极之间形成沟道；以及栅极绝缘层，提供在该栅极电极和该半导体层之间。该栅极绝缘层由包括一种或两种或更多种碱土金属元素以及从由Ga、Sc、Y和除了Ce之外的镧系元素构成的组中选择的一种或两种或更多种元素的非晶复合金属氧化物绝缘膜形成。
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公开(公告)号：CN103460389A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201280016806.9
申请日：2012-03-28
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/24 , C01G3/00 , G09G3/30 , G09G3/34 , G09G3/36 , H01L21/338 , H01L29/786 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868 , H01L51/50
CPC classification number: H01L29/242 , C01F5/06 , C01F11/04 , C01G3/02 , C01P2002/02 , G09G3/32 , H01L27/3244 , H01L29/04 , H01L29/78693
Abstract: p型氧化物，其为非晶的并且由如下组成式表示：xAO·yCu2O，其中x表示AO的摩尔比例和y表示Cu2O的摩尔比例，并且x和y满足以下表达式：0≤x
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公开(公告)号：CN112514078B
公开(公告)日：2025-02-11
申请号：CN201980048921.6
申请日：2019-07-19
Applicant: 株式会社理光
Abstract: 一种场效应晶体管，包括：源极和漏极；栅极；半导体层；以及栅绝缘层，其中，所述栅绝缘层是包含A元素和B元素的氧化物绝缘体膜，所述A元素是选自由Zr和Hf所组成的组中的一种或多种，并且所述B元素是选自由Be和Mg所组成的组中的一种或多种。
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公开(公告)号：CN108807427B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN201810939209.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。所述场效应晶体管包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。
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公开(公告)号：CN110289204B
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN201910189165.0
申请日：2019-03-13
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/02 , H01L21/316
Abstract: 本发明的氧化物绝缘体膜形成用涂布液含有：含硅化合物、含碱土金属化合物、以及溶剂，所述溶剂包含选自闪点为21℃以上且低于200℃的有机溶剂和水中的至少一种，所述氧化物绝缘体膜形成用涂布液的闪点为37.8℃以上。
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公开(公告)号：CN109216443B
公开(公告)日：2022-05-17
申请号：CN201811116958.1
申请日：2014-07-25
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/45 , H01L29/786
Abstract: 为了提供一种场效应晶体管，包含：栅极电极，配置为施加栅极电压；源极电极和漏极电极，两者都配置为输出电流；有源层，由n型氧化物半导体形成，被提供为与源极电极和漏极电极接触；以及栅极绝缘层，被提供在栅极电极和有源层之间；其中，源极电极和漏极电极的功函数是4.90eV或更大，并且其中，n型氧化物半导体的电子载流子密度为4.0×1017cm‑3或更大。
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公开(公告)号：CN113169071A
公开(公告)日：2021-07-23
申请号：CN201980077423.4
申请日：2019-11-26
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L21/316 , H01L21/365 , H01L21/368 , H01L29/786 , H01L21/336
Abstract: 本发明提供一种用于形成氧化物的涂覆液，所述涂覆液包括硅(Si)和B元素，所述B元素为至少一种碱土金属，其中当Si元素的浓度由CA mg/L表示且所述B元素的总浓度由CB mg/L表示时，涂覆液中钠(Na)和钾(K)的总浓度为(CA+CB)/(1×102)mg/L或更低，且所述涂覆液中铬(Cr)、钼(Mo)、锰(Mn)、铁(Fe)、钴(Co)、镍(Ni)和铜(Cu)的总浓度为(CA+CB)/(1×102)mg/L或更低。
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公开(公告)号：CN111725323A
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN202010165033.7
申请日：2020-03-11
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L29/786 , H01L27/12 , H01L27/32 , H01L21/34
Abstract: 一种场效应晶体管，包括由n型金属氧化物半导体形成的半导体层，其中，所述n型金属氧化物半导体包括氧化铟，其中所述氧化铟通过引入一种或多种阳离子作为掺杂而被n型掺杂。在使用二维检测器的X射线衍射方法中，n型金属氧化物半导体具有以与具有红绿柱石结构的氧化铟的(222)平面对应的角度检测到的峰。
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公开(公告)号：CN108807427A
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201810939209.2
申请日：2013-11-27
Applicant: 株式会社理光
IPC: H01L27/12 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78606 , G09G3/30 , G09G3/344 , G09G3/348 , G09G3/3696 , G09G3/38 , G09G2300/0426 , H01L27/1225 , H01L27/124 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L29/7869
Abstract: 本发明提供场效应晶体管、显示元件、图像显示装置、和系统。所述场效应晶体管包含：基底；保护层；在基底和保护层之间形成的栅绝缘层；与栅绝缘层接触形成的源电极和漏电极；至少在源电极和漏电极之间形成的且与栅绝缘层、源电极和漏电极接触的半导体层；以及栅电极，所述栅电极在与其中设置半导体层的侧相反的侧上形成，其中栅绝缘层在栅电极和半导体层之间，且所述栅电极与栅绝缘层接触，其中保护层包含金属氧化物复合物，所述金属氧化物复合物至少包含Si和碱土金属。
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