激光加工装置和激光加工方法
    21.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117943703A

    公开(公告)日:2024-04-30

    申请号:CN202311322024.4

    申请日:2023-10-12

    Abstract: 提供激光加工装置和激光加工方法,对被加工物形成槽同时破坏生长碎屑并抑制熔融碎屑的产生。激光加工装置包含射出脉冲激光光线的激光振荡机构。激光振荡机构包含:组设定部,其将在比通过向被加工物的脉冲激光光线的照射而产生熔融碎屑的时间短的时间且是通过脉冲激光光线的照射而从被加工物产生的等离子体消失之前的时间内照射接下来的脉冲激光光线从而不中断地持续产生等离子体而破坏生长碎屑作为条件,设定在熔融碎屑固化的时间之前照射的激光光线的数量而作为一组;和时间间隔设定部,其将通过一组脉冲激光光线的照射而产生的热冷却为止的时间作为一组彼此的时间间隔并设定构成一组脉冲激光光线的时间间隔,将一组作为一个单位设定重复频率。

    激光加工装置
    22.
    发明公开
    激光加工装置 审中-公开

    公开(公告)号:CN117283150A

    公开(公告)日:2023-12-26

    申请号:CN202310744102.3

    申请日:2023-06-21

    Inventor: 森数洋司

    Abstract: 本发明提供激光加工装置,即使激光光线的光斑形状例如是椭圆形状那样应变的形状,也能够加工成期望的形状。控制器包含:光斑形状存储部,其存储照射到卡盘工作台所保持的晶片的激光光线的光斑的形状;以及加工形状存储部,其存储应形成在卡盘工作台所保持的晶片上的加工形状的X坐标Y坐标。在对卡盘工作台所保持的晶片照射激光光线的光斑时,根据光斑的形状和加工形状的X坐标Y坐标对X轴光学扫描器和Y轴光学扫描器进行控制,按照将光斑的形状的轮廓定位于加工形状的X坐标Y坐标并且该X坐标Y坐标处的光斑的切线与加工形状的切线一致的方式照射激光光线。

    激光加工装置
    23.
    发明公开
    激光加工装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN113458591A

    公开(公告)日:2021-10-01

    申请号:CN202110324076.X

    申请日:2021-03-26

    Abstract: 本发明提供激光加工装置,该激光加工装置不会增大激光光线的光斑直径而生产能力优良。激光加工装置的激光光线照射单元包含:激光振荡器,其振荡出激光;Y轴扫描器,其将从激光振荡器射出的激光光线沿Y轴方向进行高速扫描;X轴扫描器,其将从激光振荡器射出的激光光线沿X轴方向进行加工进给;以及聚光器。Y轴扫描器是从声光偏转器、共振扫描器以及多面扫描器中的任意一个中选择的,X轴扫描器是从电流扫描器或共振扫描器中选择的。

    单晶部件的加工方法
    24.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105834579B

    公开(公告)日:2020-04-10

    申请号:CN201610059155.1

    申请日:2016-01-28

    Inventor: 森数洋司

    Abstract: 提供单晶部件的加工方法,能够高效率地实施期望的厚度的激光加工。一种单晶部件的加工方法,其特征在于,包含如下的各步骤:将脉冲激光光线的峰值能量密度设定为1TW/cm2~100TW/cm2的范围,并将脉冲激光光线的聚光点定位于从单晶部件的上表面起的规定的位置而对单晶部件照射脉冲激光光线,使细孔和对该细孔进行盾构的非晶质从单晶部件的上表面起生长而形成盾构隧道。

    晶片的加工方法
    25.
    发明授权

    公开(公告)号:CN105097448B

    公开(公告)日:2019-11-29

    申请号:CN201510242376.8

    申请日:2015-05-13

    Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法,能够以使得对单晶锭分割而形成的晶片上不会产生翘曲的方式进行加工。在对单晶锭进行分割而形成的晶片的加工方法中,实施去除残留于晶片外周的晶体畸变的晶体畸变去除工序。在晶体畸变去除工序中,从晶片的一个面侧沿着外周缘对相比于外周缘偏规定的量的内侧的位置处照射对晶片具有透过性的波长的激光束,在从晶片的一个面到另一个面上的范围内使细孔和密封该细孔的非晶质成长,形成环状的密封通道。然后,沿着密封通道施加外力,从而在密封通道的区域上使晶片破断,去除残留有晶体畸变的外周部。

    光器件晶片的加工方法
    26.
    发明授权

    公开(公告)号:CN104339090B

    公开(公告)日:2018-02-13

    申请号:CN201410381467.5

    申请日:2014-08-05

    CPC classification number: H01L33/0095 H01L21/2686 H01L21/78

    Abstract: 本发明提供光器件晶片的加工方法。沿着分割预定线将光器件晶片分割为一个个光器件,在对会聚脉冲激光光线的聚光透镜的数值孔径(NA)除以单晶基板的折射率(N)的值为0.05~0.2的范围内设定聚光透镜的数值孔径(NA),实施发光层除去工序,将脉冲激光光线的聚光点定位于发光层附近并分割预定线从单晶基板的背面侧进行照射,沿着分割预定线除去发光层,然后实施盾构隧道形成工序,将脉冲激光光线的聚光点定位于单晶基板的正面附近并沿着分割预定线从光器件晶片的单晶基板的背面侧进行照射,从单晶基板的正面到背面使细孔和遮蔽该细孔的非晶质生长并形成盾构隧道。

    晶片的加工方法
    27.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103489772B

    公开(公告)日:2017-07-14

    申请号:CN201310218369.5

    申请日:2013-06-04

    Inventor: 森数洋司

    CPC classification number: Y02P40/57

    Abstract: 本发明提供一种晶片的加工方法,其能够对通过层叠于基板表面的功能层而形成了器件的晶片在不使器件的抗弯强度降低的情况下沿着间隔道可靠地进行分割。一种晶片的加工方法,是对通过层叠于基板表面的功能层而形成了器件的晶片沿着划分该器件的多条间隔道进行分割的方法,所述晶片的加工方法包括:划线槽形成工序,沿着形成于晶片的间隔道从晶片的表面侧照射相对于功能层具有吸收性的波长的激光光线,在功能层沿着间隔道形成不到达基板的划线槽;改性层形成工序,从晶片的背面侧沿着间隔道照射相对于晶片的基板具有透射性的波长的激光光线,在基板的内部沿着间隔道形成改性层;以及分割工序,对形成有该改性层的晶片施加外力,沿着间隔道分割晶片。

    光器件晶片的加工方法
    28.
    发明授权

    公开(公告)号:CN102569057B

    公开(公告)日:2016-12-14

    申请号:CN201110436171.5

    申请日:2011-12-22

    Abstract: 本发明提供一种光器件晶片的加工方法,能将在光器件晶片的外延基板表面层叠的光器件层顺利地转移至移设基板而不会使光器件层受到损伤。所述方法用于将光器件晶片中的光器件层转移至移设基板,光器件晶片中,光器件层隔着缓冲层层叠在外延基板表面,在光器件层在由多条间隔道划分出的多个区域形成了光器件,该方法包括:将移设基板接合于光器件层表面的移设基板接合工序;将接合有移设基板的外延基板沿多条间隔道中的预定间隔道切断、分割为多个块的外延基板分割工序;将聚光点定位于缓冲层地从外延基板的背面侧照射透射外延基板的激光光线,来分解缓冲层的剥离用激光光线照射工序;和将分割为多个块的外延基板从光器件层剥离的外延基板剥离工序。

    激光加工装置
    29.
    发明授权

    公开(公告)号:CN103240529B

    公开(公告)日:2016-05-04

    申请号:CN201310050842.3

    申请日:2013-02-08

    Inventor: 森数洋司

    Abstract: 本发明提供一种激光加工装置,其能够在将由第一材料形成的第一部件和由第二材料形成的第二部件连接而成的被加工物形成从第一部件到达第二部件的激光加工孔而不使第二部件熔融。激光加工装置具备等离子检测构件以及控制构件,等离子检测构件包括分光器、第一带通滤波器、第一光检测器、第二带通滤波器以及第二光检测器,控制构件在实施激光加工时,基于从第一光检测器及第二光检测器输出的光强度信号控制激光光线照射构件,以在从第一光检测器输出的光强度降低且从第二光检测器输出的光强度上升并越过峰值的时刻停止脉冲激光光线的照射。

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