公开(公告)号：CN113950353A

公开(公告)日：2022-01-18

申请号：CN202080042123.5

申请日：2020-06-02

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 宇都俊彦

IPC: A61N5/06

Abstract: 本发明提供一种光治疗诊断装置(1)，具有：导管轴(10)；光波导路(20)，配置于导管轴(10)的内腔(11)，且沿导管轴(10)的长度方向可进退；以及透明部件(30)，配置于内腔(11)且比光波导路(20)靠远位侧，光波导路(20)对波长不同的第一光线(51)和第二光线进行导波，导管轴(10)具备向侧方射出第一光线(51)和第二光线的侧方出射窗(12)、以及向远位方向射出第一光线(51)的远方出射窗(13)，光波导路(20)具有芯部(21)和包层(23)，芯部(21)的远位端面(22)的法线相对于光波导路(20)的光轴倾斜，在光波导路(20)与透明部件(30)抵接时，第一光线(51)透过透明部件(30)，在光波导路(20)与透明部件(30)分离时，在芯部(21)中导波的第一光线(51)在光波导路(20)的远位端部反射。

公开(公告)号：CN108431967A

公开(公告)日：2018-08-21

申请号：CN201680075334.2

申请日：2016-12-06

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 宇都俊彦 ,  足立大辅

IPC: H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/0747 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/50

Abstract: 在晶体硅系太阳能电池的制造中，在导电型单晶硅基板(1)上形成第一本征薄膜(121)后进行氢等离子体蚀刻。在氢等离子体蚀刻后的第一本征薄膜(121)上形成第二本征薄膜(122)，在其上形成导电型硅系薄膜(15)。第二本征薄膜(122)是一边向CVD腔室内导入含硅气体和氢一边通过等离子体CVD而形成的。第二本征薄膜(122)形成时的向CVD腔室内的氢导入量为含硅气体导入量的50～500倍。

公开(公告)号：CN103119727B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201180045445.6

申请日：2011-08-31

Applicant: 株式会社钟化

Inventor： 吉见雅士 ,  市川满 ,  宇都俊彦 ,  山本宪治

IPC: H01L31/068 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L31/0684 ,  H01L31/0747 ,  H01L31/1804 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及制造结晶硅系光电转换装置的方法。本发明的结晶硅系光电转换装置在一导电类型单晶硅基板的一个面上依次具有一导电类型层侧本征硅系层和一导电类型硅系层，在上述一导电类型单晶硅基板的另一个面上依次具有相反导电类型层侧本征硅系层和相反导电类型硅系层。在本发明中，上述一导电类型层侧本征硅系层的形成工序、和上述相反导电类型层侧本征硅系层的形成工序中的至少一者依次具有采用等离子体CVD法在上述一导电类型单晶硅基板上形成具有1nm～10nm膜厚的第1本征硅系薄膜层的工序、在以氢为主成分的气体气氛中进行等离子体处理的工序、采用等离子体CVD法在上述第1本征硅系薄膜层上形成第2本征硅系薄膜层的工序。