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公开(公告)号：CN118256017A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202410401247.8
申请日：2024-04-03
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于纤维增强复合材料制造技术领域，具体涉及一种纤维增强聚芳醚腈热塑性复合材料及其制备方法。本发明通过调整复合材料中树脂含量，以获得性能优异的纤维增强聚芳醚腈热塑性复合材料。本发明操作简单，易于实现，制备的复合材料性能优异，为实现高强度高模量纤维复合材料提供了一种新的思路。
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公开(公告)号：CN113388137A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110559514.0
申请日：2021-05-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种高强度耐高温聚芳醚腈薄膜的制备方法，具体步骤如下：制备邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈；制备联苯型双邻苯二甲腈预聚体；将所得邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈粉末与联苯型双邻苯二甲腈预聚体粉末，共混溶解于N‑甲基吡咯烷酮中，加热搅拌得到透明溶液；流延法成膜升温，热处理，自然冷却得到高强度耐高温聚芳醚腈薄膜。本发明所获得的薄膜不仅具有高玻璃化转变温度和高拉伸强度和高模量，而且还能同时有着稳定的介电性能。
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公开(公告)号：CN106385271A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：CN201610829484.X
申请日：2016-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种基于频控阵的安全通信方法及系统，其方法包括步骤：(1)产生扩频码；(2)对所述扩频码扩频得到发射阵元序列和子阵序号；(3)在每个阵元上加入相位偏移，并进行调制；(4)接收端采用相关器对接收到的信号进行解扩、解调；(5)对经过解扩后的信号进行判决，并计算误码率。本发明通过将扩频码的自相关特性引入到基于频控阵的方向调制中，频控阵相对于相控阵而言，在各阵元上附加了一个远小于载频的频偏，在波束上可以实现角度和距离上的双重控制，在角度和距离上提升了精度，即缩小了接收端的可解调范围，因此，基于频控阵的方向调制技术可以实现更高精度的物理层安全通信。
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公开(公告)号：CN104291376A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410440353.3
申请日：2014-10-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: C01G23/047
CPC classification number: C01G23/047
Abstract: 本发明公开了一种室温制备P25型二氧化钛的固相合成方法，该方法是以普通锐钛矿二氧化钛为原材料，在室温下采用反应球磨法对普通锐钛矿二氧化钛进行球磨，制得平均粒径为17纳米以下的P25型二氧化钛粉体材料，其晶相分布为锐钛矿/金红石晶相比为80/20。与现有技术相比，本发明采用球磨法使普通锐钛矿二氧化钛中20％的锐钛矿相发生相变为金红石相，合成均匀性、一致性好的性能优异的P25型二氧化钛粉体材料，且该种技术能耗低(室温下)，绿色环保(不向外排放无机、有机污染物)，机械化程度高，适合批量生产。
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公开(公告)号：CN114545180B
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202210018487.0
申请日：2022-01-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法，包括：步骤1：对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；步骤2：获取待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围；步骤3：得到亚阈值摆幅；步骤4：选取任一弱反型区的漏极电流，得到该弱反型区的漏极电流对应的电容和；步骤5：根据选取的弱反型区的漏极电流，得到陷阱能量距带边的距离；步骤6：根据漏极电流噪声功率谱以及电容和，得到栅氧化层陷阱密度；步骤7：选取不同的弱反型区的漏极电流，重复步骤4‑6，得到若干组陷阱能量距带边的距离和栅氧化层陷阱密度，以得到栅氧化层陷阱密度的能量分布。本发明的栅氧化层陷阱表征方法，明显扩展了能量表征范围。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118027647A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410157593.6
申请日：2024-02-04
Applicant: 电子科技大学
IPC: C08L71/10 , C08L79/04 , C08K7/00 , C08K3/38 , C08K7/10 , C08J5/18 , C08G65/40 , C08G65/48 , C08G73/06
Abstract: 本发明公开了一种高绝缘、高导热聚合物基复合薄膜材料及其制备方法，属于复合材料制备技术领域。本发明公开选用羟基化六方氮化硼纳米片和不同尺寸大小的碳化硅晶须作为导热填料，聚芳醚腈和邻苯二甲腈作为聚合物基体。利用反应诱导相分离法制备邻苯二甲腈微球，再利用静电吸附及氢键作用使氮化硼纳米片包覆在微球表面；将具有核壳结构的邻苯二甲腈微球@氮化硼纳米片填料以不同质量分数比与聚芳醚腈树脂共混流延成膜；在筛选出优异性能的配方条件下，物理共混碳化硅晶须进一步改善薄膜材料的性能，以最终获得一种高绝缘、高导热、高玻璃化转变温度且易加工的聚芳醚腈薄膜，在高性能电子器件中具有巨大的应用潜力，可规模化生产与应用。
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公开(公告)号：CN117748050A
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202311750178.3
申请日：2023-12-19
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01M50/403 , H01M50/414 , H01M50/426 , H01M50/489 , H01M50/497 , C08G65/40
Abstract: 一种高耐热聚醚酮腈/聚偏二氟乙烯锂电池隔膜的制备方法，属于锂离子电池材料技术领域。本发明通过亲核取代缩聚反应合成聚醚酮腈共聚物，与聚偏二氟乙烯共混后，采用非溶剂致相分离获得高耐热聚醚酮腈/聚偏二氟乙烯锂电池隔膜。该电池隔膜中，聚醚酮腈可以降低共混膜的结晶度，且聚醚酮主链上的极性羧基和氧醚键增强了其与液体电解质的亲和力，聚醚酮腈中氰基的引入有助于提高电解质的吸收率，拓宽电化学窗口，使得该隔膜具有高离子电导率、良好的电解质润湿性和较强的耐热性。
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公开(公告)号：CN114634698B
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202210168149.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚芳醚腈复合材料及其制备方法与应用，涉及特种高分子材料技术领域。本发明公开了一种高温环境下氯化锌增强聚芳醚腈复合材料的制备方法，首先通过分子设计合成邻苯二甲腈封端的高分子量可交联聚芳醚腈与制备联苯型双邻苯二甲腈的预聚物，并在氯化锌存在的三组分体系上研究其高温后不同时间的固相交联过程，以制备出一种结构形貌可控的高交联程度、介电稳定、低吸水率且耐高温、高强度的聚芳醚腈薄膜。本发明在同等固相交联化学反应的温度和时间下，获得了更优化的复合材料及性能，这为工业上大规模制备耐高温、高强度并在高温下介电稳定性优异的聚芳醚腈薄膜提供基本理论和操作基础。
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公开(公告)号：CN107846193B
公开(公告)日：2019-09-03
申请号：CN201711338379.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池反向击穿三个阶段的性能测试方法，其步骤如下：1)测试反偏下I‑V特性曲线，确定电流激增点所对应的电压值V01；2)接下来测试反偏C‑V特性曲线，确定电容转折点所对应的电压值V02；3)取V01及V02的算术平均值V0，作为划分反偏电压噪声测试步长的参考值；4)根据Sv‑V曲线及反向IV、CV特性，判断电池发生反向击穿的早期击穿段、软击穿段和硬击穿段。该方法能够快速准确测试电池发生反向击穿电压值，同时，结合反偏电压噪声功率谱密度测试，明显区分出电池反向击穿的三个阶段。
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公开(公告)号：CN107846193A
公开(公告)日：2018-03-27
申请号：CN201711338379.7
申请日：2017-12-14
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: H02S50/10
Abstract: 本发明涉及一种太阳能电池反向击穿三个阶段的性能测试方法，其步骤如下：1)测试反偏下I-V特性曲线，确定电流激增点所对应的电压值V01；2)接下来测试反偏C-V特性曲线，确定电容转折点所对应的电压值V02；3)取V01及V02的算术平均值V0，作为划分反偏电压噪声测试步长的参考值；4)根据Sv-V曲线及反向IV、CV特性，判断电池发生反向击穿的早期击穿段、软击穿段和硬击穿段。该方法能够快速准确测试电池发生反向击穿电压值，同时，结合反偏电压噪声功率谱密度测试，明显区分出电池反向击穿的三个阶段。
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