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公开(公告)号：CN115422712A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210914010.0
申请日：2022-08-01
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
Abstract: 一种MOSFETs栅氧化层陷阱原子构型的识别方法，搭建MOSFETs近界面氧化层的原子级模型，并引入各类单一缺陷构型，由此形成若干包含单一缺陷构型的缺陷模型；对各缺陷模型进行电子态密度计算，定性表征由相应缺陷所引入的电子态密度峰，即电中性缺陷能级位置；利用缺陷形成能定义，拟合求解各缺陷模型在不同电荷态之间的电荷转变能级，即带电缺陷能级位置；测量MOSFETs器件的低频1f漏电流噪声功率谱，并求解MOSFETs器件栅氧化层内的陷阱分布，分析陷阱中心位置；将电中性缺陷能级位置、带电缺陷能级位置与陷阱中心位置进行对比，识别引发MOSFETs器件漏电流噪声的陷阱原子构型。
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公开(公告)号：CN116973721A
公开(公告)日：2023-10-31
申请号：CN202310505530.0
申请日：2023-05-05
Applicant: 西安电子科技大学芜湖研究院 , 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种基于1/f噪声的高精度栅氧化层陷阱位置分布表征方法，包括：针对MOSFETs样品，判断噪声机理是否为载流子数涨落主导；若是，得到矩阵方程形式的初始1/f噪声模型；构造权重矩阵并利用权重矩阵对初始1/f噪声模型进行处理，得到更新的1/f噪声矩阵方程；使用非负最小二乘法求解更新的1/f噪声矩阵方程，得到MOSFETs样品的栅氧化层不同位置处的陷阱分布。本发明在采用非负最小二乘法求解1/f噪声模型的矩阵方程前，利用低频噪声自身频谱的特点构造权重矩阵，利用权重矩阵将1/f噪声模型的矩阵方程转换成更适合非负最小二乘法求解的形式，能够显著扩大求解的频率范围并具有更高精度。
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公开(公告)号：CN117007974A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310970543.5
申请日：2023-08-03
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(衢州)
IPC: G01R31/367 , G06N20/00 , G06N5/01 , G06N7/01 , G06N20/20 , G06F17/18 , G06F18/214
Abstract: 本发明公开了一种基于模型融合的固态电池SOC估计方法，包括以下步骤：S1、进行固态电池数据采集；S2、对收集的固态电池数据进行预处理，删除缺失值和异常值；S3、进行特征工程，衍生出新特征功率，特征选择电压、电流、温度和衍生特征功率，最后，将数据分为训练集和测试集；S4、构建随机森林、高斯过程回归和梯度提升决策树三种基模型；S5、采用5折交叉验证方式对数据进行处理，输出三种模型的预测值，与原始特征融合；S6、将融合后的数据集作为元模型的输入，元模型选择梯度提升决策树模型，使用贝叶斯优化算法对其进行优化；S7、使用融合后的模型预测SOC。
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公开(公告)号：CN115322417B
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202210982779.6
申请日：2022-08-16
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 一种高模量高耐热聚芳醚腈自增强薄膜的制备方法，属于特种高分子材料合成及加工工艺技术领域。本发明采用亲核取代反应合成羟基封端聚芳醚腈，与合成的邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈共混流延成膜时，利用其结晶性能作为邻苯二甲腈封端的聚芳醚腈中的增强相提升其机械性能，高温环境下能够更有效提升体系交联反应速率、机械性能及耐热性能；同时，加入的低分子量羟基封端聚芳醚腈能作为低分子增塑剂，减弱高分子量邻苯二甲腈封端聚芳醚腈的加工难度。
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公开(公告)号：CN116041759A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211598334.4
申请日：2022-12-12
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及一种挠性覆铜板用高导热聚芳醚腈层间电介质薄膜及其制备方法，通过采用亲核取代反应合成羟基封端与邻苯二甲腈封端聚芳醚腈，与含硅氧苯并环丁烯、氮化硼纳米片共混流延成膜，再利用等温热处理提升复合材料结晶程度，以提升本征体系的导热系数；最后结合高温后固相化学反应加速氰基交联和BCB交联密度，提升复合材料的耐热性与机械强度，以最终获得一种高导热、高模量、高分解温度、高玻璃化转变温度、介电性能稳定且易加工的聚芳醚腈薄膜，制备工艺简单，效果明显，可规模化生产与应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114634698A
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN202210168149.5
申请日：2022-02-23
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种聚芳醚腈复合材料及其制备方法与应用，涉及特种高分子材料技术领域。本发明公开了一种高温环境下氯化锌增强聚芳醚腈复合材料的制备方法，首先通过分子设计合成邻苯二甲腈封端的高分子量可交联聚芳醚腈与制备联苯型双邻苯二甲腈的预聚物，并在氯化锌存在的三组分体系上研究其高温后不同时间的固相交联过程，以制备出一种结构形貌可控的高交联程度、介电稳定、低吸水率且耐高温、高强度的聚芳醚腈薄膜。本发明在同等固相交联化学反应的温度和时间下，获得了更优化的复合材料及性能，这为工业上大规模制备耐高温、高强度并在高温下介电稳定性优异的聚芳醚腈薄膜提供基本理论和操作基础。
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公开(公告)号：CN114545180A
公开(公告)日：2022-05-27
申请号：CN202210018487.0
申请日：2022-01-07
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MOSFETs弱反型区噪声的栅氧化层陷阱表征方法，包括：步骤1：对待测MOSFETs器件的转移特性和不同栅压下的漏极电流噪声功率谱进行测量；步骤2：获取待测MOSFETs器件的弱反型区的漏极电流的范围；步骤3：得到亚阈值摆幅；步骤4：选取任一弱反型区的漏极电流，得到该弱反型区的漏极电流对应的电容和；步骤5：根据选取的弱反型区的漏极电流，得到陷阱能量距带边的距离；步骤6：根据漏极电流噪声功率谱以及电容和，得到栅氧化层陷阱密度；步骤7：选取不同的弱反型区的漏极电流，重复步骤4‑6，得到若干组陷阱能量距带边的距离和栅氧化层陷阱密度，以得到栅氧化层陷阱密度的能量分布。本发明的栅氧化层陷阱表征方法，明显扩展了能量表征范围。
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公开(公告)号：CN114355141A
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN202111682008.7
申请日：2021-12-31
Applicant: 西安电子科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种MOSFETs的栅氧化层陷阱表征方法，其步骤如下：1)测量转移特性提取阈值电压，在线性区测试器件噪声功率谱密度Sid；2)根据测量数据绘制双y轴图，判断噪声涨落机理；3)计算在某一栅压Vg下栅氧化层的陷阱能量位置分布；4)对所有栅压重复步骤3，绘制氧化层陷阱的能量位置分布图。该方法突破了仅用均匀分布或者指数分布表征陷阱随位置分布的局限性，且同时考虑了陷阱位置和能量分布的不均匀性，并通过绘制三维图像，可清晰观察氧化层陷阱随能量位置的分布。
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公开(公告)号：CN111580950A
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN202010546573.X
申请日：2020-06-15
Applicant: 四川中电启明星信息技术有限公司 , 国网信息通信产业集团有限公司 , 电子科技大学
Abstract: 本发明提出了一种提升云可靠性的自适应反馈资源调度方法，改进Hadoop平台下的LATE方法，设定快节点集Pf和慢节点集Ps，并根据初步划分出的快节点集Pf和慢节点集Ps计算出快慢节点计算能力差值，并根据快慢节点计算能力差值进一步划分为节点集计算能力优势处理模式、节点集计算能力弱势处理模式进行任务节点的处理；本发明通过上述操作提高资源利用率与负载均衡，同时利用节点的差异值提升备份任务选择的效率与可靠性，利用备份成功/负载比这一参数提升了云计算中任务备份成功执行的可靠性，减少了调度方法运行时间。
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公开(公告)号：CN118957882A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411044155.5
申请日：2024-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供的一种高导热聚芳醚腈薄膜的制备方法，包括：1)配制BPA‑PEN纺丝液和BNNS分散液；2)通过静电纺丝对纤维进行取向，得到BPA‑PEN纤维膜；3)再将BNNS分散液静电喷涂在纤维膜表面，形成BPA‑PEN@BNNS叠喷纤维膜；4)对BPA‑PEN@BNNS叠喷纤维膜进行热压，得到高导热聚芳醚腈薄膜。本发明选取BPA‑PEN作为基体树脂进行静电纺丝实现纤维的取向，通过加入具有白石墨之称的剥离氮化硼纳米片填充基体，将BNNS静电喷涂在纤维表面后，再将重复叠喷得到的纤维膜进行热压得到高导热聚芳醚腈薄膜，进一步促进导热网络的构建，改善纤维膜的导热通路，得到导热系数高、综合性能优异的聚芳醚腈薄膜。
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