-
公开(公告)号：CN100463180C
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200510002523.0
申请日：2005-01-20
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/316 , H01L41/16 , G11C11/22
CPC classification number: H01L27/11507 , C04B35/491 , C04B35/493 , C04B2235/3231 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3258 , C04B2235/3287 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/3427 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/768 , C04B2235/787 , C23C18/1216 , H01L21/31691 , H01L27/105 , H01L27/11502 , H01L28/55 , H01L28/65 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/318
Abstract: 本发明提供一种可以得到可靠性高的铁电装置的铁电体膜，其由用ABO3表示的钙钛矿结构铁电体构成，在A位上包括作为A位补偿离子的Si2+、Ge2+、以及Sn2+中的至少一种，在B位上包括作为B位补偿离子的Nb5+。
-
公开(公告)号：CN100442455C
公开(公告)日：2008-12-10
申请号：CN200510074094.8
申请日：2005-05-31
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: C23C18/1254 , C23C18/1216 , C23C18/1241
Abstract: 本发明提供利用液相法具有好的组成控制性且使铅等的金属成份的再利用成为可能的强电介质形成用的前驱体组合物、该前驱体组合物的制造方法以及使用了前驱体组合物的强电介质膜的制造方法。本发明中的前驱体组合物是含有用于形成强电介质的前驱体的前驱体组合物，所述强电介质用通式AB1-XCXO3表示，A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W和Hf中的至少一个构成，C元素由Nb和Ta中的至少一个构成，所述前驱体至少含有所述B元素和C元素，而且局部含有酯键。
-
公开(公告)号：CN1329927C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200380101906.2
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种由AB1-XNbXO3的通式表示的氧化物形成的强电介质膜。A元素至少由Pb构成，B元素由Zr、Ti、V、W、Hf和Ta中至少一种以上构成。并且，其中x在0.05≤x＜1的范围内。该强电介质膜也可应用于1T1C、2T2C和单纯矩阵型强电介质存储器中的任一个当中。
-
公开(公告)号：CN1983464A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610172526.3
申请日：2003-10-23
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 一种强电介质膜，由AB1－XNbXO3的通式表示，作为A元素至少含有Pb，作为B元素至少含有Zr、Ti，其中0.1≤x≤0.4。
-
公开(公告)号：CN1812128A
公开(公告)日：2006-08-02
申请号：CN200510129542.X
申请日：2005-12-06
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/6684 , H01L21/28291 , H01L29/516 , H01L29/78391
Abstract: 本发明目的在于提供一种具有新颖结构的晶体管型铁电体存储器及其制造方法。本发明涉及的晶体管型铁电体存储器，包括IV族半导体层(10)、在所述IV族半导体层(10)的上方形成的氧化物半导体层、在所述氧化物半导体层(20)的上方形成的铁电体层(30)、在所述铁电体层(30)的上方形成的栅电极(40)，和在所述IV族半导体层(10)上形成的源区(12)和漏区(14)。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1538523A
公开(公告)日：2004-10-20
申请号：CN200410031478.7
申请日：2004-03-29
Applicant: 精工爱普生株式会社
CPC classification number: H01L21/02197 , C23C18/1216 , C23C18/1254 , C23C30/00 , C30B5/00 , C30B29/30 , C30B29/32 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/11502 , H01L41/0805 , H01L41/1876 , H01L41/1878 , H01L41/318
Abstract: 本发明的强电介体薄膜，通过在强电介体钙钛矿材料的A位置离子中至少含有1％以上的4配位Si4+或Ge4+的强电介体Pb(Zr，Ti)O3的B位置上，包含合计为5摩尔％以上、40摩尔％以下的Nb、V、W中的至少一种元素，从而可以显著提高其可靠性。
-
公开(公告)号：CN1519941A
公开(公告)日：2004-08-11
申请号：CN200310124653.2
申请日：2003-12-26
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/31 , H01L21/82 , H01L21/8239 , H01L41/08
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/02356 , H01L21/31691
Abstract: 一种强电介质薄膜，其特征在于，在薄膜面内，对于电场外加方向，180°区域和90°区域按同一角度旋转，由高取向多晶体构成，所述高取向多晶体的特征在于，在同一电场中反转。
-
公开(公告)号：CN113696632B
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202110538520.8
申请日：2021-05-18
Applicant: 精工爱普生株式会社
Abstract: 本发明提供提高压电元件的响应性的压电元件、液体喷出头及液体喷出装置。压电元件具有第一电极；第二电极；压电体，其被配置在第一电极与第二电极间，在将压电体中所产生的电荷为饱和状态的情况下的施加于第一电极与第二电极之间的正电压设为饱和正电压、且将压电体中所产生的电荷为饱和状态的情况下的施加于第一电极与第二电极间的负电压设为饱和负电压时，在使被施加于第一电极与第二电极间的电压从饱和负电压逐渐变化至饱和正电压的情况下，基于压电体中所产生的电荷的电流依次经由随着该电压升高而电流变大的第一路径、随着该电压升高而电流变小的第二路径、随着该电压升高而电流变大的第三路径、随着该电压升高而电流变小的第四路径而变化。
-
公开(公告)号：CN113809228B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202110653119.9
申请日：2021-06-11
Applicant: 精工爱普生株式会社
IPC: H10N30/853 , H10N30/87
Abstract: 本发明提供一种在作为压电体层的材料而使用了铌酸钾钠的压电元件中作为压电特性而能够获得更大的位移特性的压电元件以及压电元件应用设备。压电元件(1)具备第一电极(20)、第二电极(40)和被设置在第一电极(20)与第二电极(40)之间的压电体层(30)，其中，压电体层结构的复合氧化物组成，并且在基于θ‑2θ测量的X射线衍射图谱中，具有源自(100)面的第一峰、源自(010)面的第二峰和源自(001)面的第三峰。(30)由包括钾(K)、钠(Na)和铌(Nb)的钙钛矿型
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
81
records
(took 0.033 seconds)
