一种传感器测试与演示模型系统

    公开(公告)号:CN110111667A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910383123.0

    申请日:2019-05-09

    Abstract: 一种传感器测试与演示模型系统,包括硬件部分,软件载体部分,第一连接部分,第二连接部分;硬件部分内包含客户定制化组件板以及简易标准化主板,软件载体部分包括基于XML的定制化寄存器映射模块,定制化数据阅读器模块,定制化脚本模块,定制化界面外观模块以及简易原型化软件核心模块,连接部分为专用连接器和专用协议模块;在第二连接部分和简易原型化软件核心模块下,根据客户需求加入客户定制化组件板和客户定制化基于XML的定制化寄存器映射模块、定制化数据阅读器模块、定制化脚本模块和定制化界面外观模块。本发明的优点:简化多种传感器的试样研究。能够让传感器的客户更关注于他们的产品而不是将关注点集中在演示和测试环境上。

    一种智能传感器
    22.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109164218A

    公开(公告)日:2019-01-08

    申请号:CN201811339865.5

    申请日:2018-11-12

    Abstract: 一种智能传感器,其特征在于:所述的智能传感器,包括传感器,控制器,嵌入式分类器,传感器中枢;其中:传感器分别与控制器、嵌入式分类器连接传感器分别与控制器、嵌入式分类器形成核心控制单元,核心控制单元与传感器中枢连接,所述的传感器为气体传感器。本发明的优点:本发明所述的智能传感器,丰富了传统传感器的功能性,能够使其拥有提取相关数据的功能;其嵌入式的分类器与控制器相结合,对不同工作条件下的多种化学品进行选择,既提高了精度,又增加了新功能;在总设计上也降低了设计时间,提高了产品总价值;通过将学习算法功能大部分时间设置为关闭状态,根据历史测试数据使用智能开启的方式,大大降低了传感器的功耗。

    减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构及方法

    公开(公告)号:CN114922928A

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN202210467643.1

    申请日:2022-04-29

    Abstract: 减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构,包括端点,刚体,刚性连接模块,柔性梁,固定点;其中:刚体上端为端点结构,平行于位移方向的柔性梁之间设置有刚性连接模块,固定点,刚体下方设置有固定点。一种减小MEMS谐振器件误差影响的弹簧设计结构的方法,MEMS柔性的结构,安排多个以交互方式偏转的柔性梁,柔性梁能实现针对蚀刻误差的自补偿效应;柔性梁以反对称方式偏转,柔性梁的任何平面都是自补偿。本发明的优点:能实现MEMS柔性结构的特定设计,以获得对蚀刻误差不敏感的器件,实现一种针对蚀刻误差的自补偿效应。解决在机械领域中由非垂直蚀刻壁引起的错误,而无需在MEMS配套ASIC中实现额外且昂贵的电子设备。

    一种改进的MEMS封装结构
    24.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114105080A

    公开(公告)日:2022-03-01

    申请号:CN202111575014.2

    申请日:2021-12-21

    Abstract: 一种改进的MEMS封装结构,包括CMOS或者MEMS芯片,钝化层,密封真空腔,硅晶元盖,谐振器,接触界面,热机械隔离玻璃平台晶片,承载晶片,氧化层,刻蚀后的器件,刻蚀孔;CMOS或者MEMS芯片表面带有钝化层,硅晶元盖和CMOS或者MEMS芯片之间设置有密封真空腔3和谐振器;CMOS或者MEMS芯片和硅晶元盖间为接触界面,热机械隔离玻璃平台晶片内设置有密封真空腔;承载晶片和刻蚀后的器件连接,刻蚀后的器件内设置有氧化层和刻蚀孔。本发明的优点:减少机械振动和冲击,具有良好的温度特性可应用于多种类型的MEMS谐振腔,表面贴装LGA封装比陶瓷封装成本低,多种金属可用于将两片晶圆粘合在一起。

    一种具有片上温度补偿的双谐振器及生产工艺

    公开(公告)号:CN113992179A

    公开(公告)日:2022-01-28

    申请号:CN202111469524.1

    申请日:2021-12-03

    Abstract: 一种具有片上温度补偿的双谐振器,锚点通过弹簧与振荡器连接,驱动电极和感应电极与振荡器连接,振荡器表面带有重掺杂氧化层;分为高温振荡器和低温振荡器两段,低温振荡器与MEMS芯片边缘呈15‑40度的夹角。一种具有片上温度补偿的双谐振器的生产工艺,刻蚀电极和低温振荡器天窗:通过深紫外刻蚀技术在SOI的器件层上刻蚀天窗,以形成振荡器与金属导线间的欧姆接触,沉积金属电极;将MEMS晶圆与电路晶圆键合:减薄抛光,形成终端互联。本发明的优点:通过频率温度补偿调整谐振器固有频率,提高压力传感器的输出精度,可以应用于MEMS谐振式压力传感器,或定时谐振器,过滤器,陀螺仪,谐振式化学传感器等领域。

    一种可无线通讯植入式压力传感器的结构及制备方法

    公开(公告)号:CN111407251A

    公开(公告)日:2020-07-14

    申请号:CN202010343699.7

    申请日:2020-04-27

    Abstract: 一种可无线通讯植入式压力传感器的结构,包括两片相匹配的、与人体生物兼容的玻璃晶圆作为压力传感器基材,L-C振荡位于电路通过两片玻璃晶圆通过阳极键合形成密封的空腔中,形成可感应绝对压力变化的薄膜层,在空腔内加入吸气层。一种可无线通讯植入式压力传感器的结构的制备方法,电感作为天线来感知外部的无线信号,一个外部的读取器是用来测量L-C振荡频率,从而测量压力,对一片玻璃晶圆进行了减薄,形成可感应绝对压力变化的薄膜层。本发明的优点:芯片从晶圆上切割下来之后,可以在边缘预留的位置做钛引线。压力传感器可以在医学中得到应用,测得心脏、头部、脊髓和膀胱中的血液、尿、脊液的压力值,也可用于工业腔室的压力值测量。

    一种贴片式智能无线医疗监测终端

    公开(公告)号:CN111387962A

    公开(公告)日:2020-07-10

    申请号:CN202010391279.6

    申请日:2020-05-11

    Abstract: 一种贴片式智能无线医疗监测终端,包括加速度传感器,陀螺仪传感器,温度传感器,MEMS麦克风,ECG传感器,可选传感器模块,嵌入式算法模块,无线通讯模块,电池,贴片,微处理器,内部存储器;嵌入式算法模块包括发热测试算法、咳嗽测试算法,心跳频率算法和呼吸频率算法模块;实现远距离、无接触式测量;电池为整个检测装置提供电量,贴片式智能无线医疗检测终端的外部形式为贴片的结构。本发明的优点:可用于多种疾病监测,尤其可适用于新冠肺炎病人的呼吸,体温,心跳、血氧、咳嗽等指标的监测和预测。实现了实时、持续性的检测与新冠肺炎相关的各项症状。实现了医生远程测量,避免了高传染性患者与医生直接接触。

    一种具有冗余独立传感元件的惯性传感器

    公开(公告)号:CN110132264A

    公开(公告)日:2019-08-16

    申请号:CN201910383028.0

    申请日:2019-05-09

    Abstract: 一种具有冗余独立传感元件的惯性传感器,适用于任何传感器,用惯性传感器作为例子,具体涉及加速度计和陀螺仪;具有冗余独立传感元件的传感器需要至少两个传感器,两个加速度计或者两个陀螺仪,具有不同的共振频率;所有的传感器和ASIC都封装在一个器件中;具体架构包括,为惯性测量单元IMU,专用集成电路ASIC,两线式串行总线,监视模块,数字模拟转换电路,模拟数字转换电路,陀螺仪驱动模块,陀螺仪平均模块,加速度计平均模块;具有冗余独立传感元件的传感器需要至少两个传感器,如两个加速度计或者两个陀螺仪,具有不同的共振频率。本发明的优点:提高可靠性和性能的具有冗余独立传感元件的惯性传感器,提升了产品的可靠性。

    可集成式硅振荡器结构及其制备方法

    公开(公告)号:CN110113006A

    公开(公告)日:2019-08-09

    申请号:CN201910352638.4

    申请日:2019-04-29

    Abstract: 可集成式硅振荡器结构,其特征在于:所述的可集成式硅振荡器结构,有三种谐振器的结构,MEMS芯片与CMOS集成电路通过键合工艺集成在一起,在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器,单独的MEMS硅谐振器,集成电路芯片也是单独的。一种可集成式硅振荡器结构的制备方法,其特征在于:在CMOS集成电路上直接制备硅谐振器,单独的MEMS硅谐振器,集成电路芯片也是单独的;键合工艺可以是共晶键合、硅-硅直接键合、玻璃浆料键合等工艺的一种;在CMOS集成电路上直接制备硅振荡器;单独MEMS硅振荡器。本发明的优点:防震效果是传统石英晶振产品的25倍,具有不受振动影响、不易碎的特点。还具有可集成度高、可编程、尺寸小、功耗小等优点。

    一种谐振式压力传感器及制作工艺

    公开(公告)号:CN110031133A

    公开(公告)日:2019-07-19

    申请号:CN201811339734.7

    申请日:2018-11-12

    Abstract: 一种谐振式压力传感器,包括硅晶圆,薄膜部分,谐振部分,谐振部分固定点,背孔,盖帽,吸气剂层,支撑硅层,埋层氧化层,顶层硅薄膜,多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜;SOI晶圆是由顶层硅薄膜、埋层氧化层和支撑硅层组成;以硅晶圆或是SOI晶圆作为衬底,形成谐振式压力传感器的薄膜部分,或者在SOI晶圆衬底上由顶层硅薄膜和多晶硅薄膜和氧化层薄膜交替淀积膜,形成谐振式压力传感器的薄膜部分。一种谐振式压力传感器的制作工艺,谐振部分是通过淀积外延/多晶硅层实现的,衬底通过刻蚀工艺形成流体进入到薄膜的通道-谐振式压力传感器的背孔。本发明的优点:整体结构紧凑,精度高,制作工艺简单,容易控制,产品适用范围广。

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