公开(公告)号：CN114105080A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202111575014.2

申请日：2021-12-21

Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司

Inventor： 黄向向 ,  杨敏 ,  道格拉斯·雷·斯巴克斯 ,  关健 ,  陈林

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

Abstract: 一种改进的MEMS封装结构，包括CMOS或者MEMS芯片，钝化层，密封真空腔，硅晶元盖，谐振器，接触界面，热机械隔离玻璃平台晶片，承载晶片，氧化层，刻蚀后的器件，刻蚀孔；CMOS或者MEMS芯片表面带有钝化层，硅晶元盖和CMOS或者MEMS芯片之间设置有密封真空腔3和谐振器；CMOS或者MEMS芯片和硅晶元盖间为接触界面，热机械隔离玻璃平台晶片内设置有密封真空腔；承载晶片和刻蚀后的器件连接，刻蚀后的器件内设置有氧化层和刻蚀孔。本发明的优点：减少机械振动和冲击，具有良好的温度特性可应用于多种类型的MEMS谐振腔，表面贴装LGA封装比陶瓷封装成本低，多种金属可用于将两片晶圆粘合在一起。

公开(公告)号：CN216972002U

公开(公告)日：2022-07-15

申请号：CN202123236229.X

申请日：2021-12-21

Applicant: 罕王微电子(辽宁)有限公司

Inventor： 黄向向 ,  杨敏 ,  道格拉斯·雷·斯巴克斯 ,  关健 ,  陈林

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H03H3/007 ,  H03H9/24

Abstract: 一种改进的MEMS封装结构，包括CMOS或者MEMS芯片，钝化层，密封真空腔，硅晶元盖，谐振器，接触界面，热机械隔离玻璃平台晶片，承载晶片，氧化层，刻蚀后的器件，刻蚀孔；CMOS或者MEMS芯片表面带有钝化层，硅晶元盖和CMOS或者MEMS芯片之间设置有密封真空腔3和谐振器；CMOS或者MEMS芯片和硅晶元盖之间为接触界面，热机械隔离玻璃平台晶片内设置有密封真空腔；承载晶片和刻蚀后的器件连接，刻蚀后的器件内设置有氧化层和刻蚀孔。本实用新型的优点：减少机械振动和冲击；具有良好的温度特性可应用于多种类型的MEMS谐振腔，表面贴装LGA封装比陶瓷封装成本低。