-
公开(公告)号：CN107446380B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN201710678362.X
申请日：2017-08-07
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明涉及两种偶氮染料掺杂的有机‑无机复合材料及其制备方法和应用，将γ‑(2,3环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、乙醇和水混合，再加入酸性催化剂，得到溶液A；将钛酸正四丁酯和乙酰丙酮混合均匀得到溶液B；将溶液A和溶液B混合均匀，得到有机‑无机复合基质母液；向有机‑无机复合基质母液中加入4‑羟基偶氮苯和分散红1，搅拌均匀得到悬浊液；利用旋转涂层工艺将悬浊液沉积在载玻片上，形成薄膜，将薄膜热处理得到两种偶氮染料掺杂的有机‑无机复合材料。本发明中采用改进溶胶‑凝胶技术，结合旋涂技术，将两种偶氮染料掺杂在了一起，制备的材料在两束不同波长的泵浦光激发下具有了同时处理双输入光信号的功能。
-
公开(公告)号：CN111353259B
公开(公告)日：2023-06-20
申请号：CN202010124577.9
申请日：2020-02-27
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种金属二次电子发射系数计算方法，考虑入射电子在材料中散射并激发内二次电子，内二次电子向表面运动，并发生级联散射，表面处的内二次电子越过表面势垒形成二次电子发射，建立依次考虑上述过程涉及的物理机制的金属二次电子发射系数半经验公式，对电子射程与内二次电子能量分布函数进行优化，并考虑了斜入射和背散射修正，获得金属的二次电子发射系数半经验公式，结果表明，优化公式计算结果与实验测量结果的相对误差不超过20％，相对于以往公式相对误差至少降低了10％，验证了优化公式的可靠性和普适性，本发明相对于其他传统的实验测量方法和蒙特卡洛计算方法，能够大幅缩短计算时间，使用更加简洁、方便，并且结果精准。
-
公开(公告)号：CN111835419A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010677055.1
申请日：2020-07-14
Applicant: 长安大学
IPC: H04B10/116 , H04K1/02 , H04N5/235
Abstract: 一种CMOS摄像头可见光通信的数据保密传输方法，包括以下步骤：发送数据时，将原数据码和错码进行间隔编码；接收数据时，根据间隔错码长度对CMOS摄像头的快门时间进行调整，使CMOS摄像头在成像时进行相应时间长度的光积分，拍摄得到明暗条纹图像，并通过图像处理技术从图像的明暗条纹中提取出原始数据信息；如果拍摄时的快门时间不正确，得到的图像中明暗条纹与原始数据不同，在不知道间隔错码特征信息的情况下无法获得原始数据。通过本发明方法，只有在已知加密规则的情况下才能接收到正确的原始数据，反之，则无法获得原始数据。该方式简单有效，保证了数据传输的安全性和完整性。
-
公开(公告)号：CN109753103B
公开(公告)日：2020-08-25
申请号：CN201910089433.1
申请日：2019-01-30
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种用于能量收集的最大功率跟踪控制系统，包括依次连接的放大与补偿电路、开关管控制逻辑及驱动电路、开关电源变换器拓扑电路和输出电压反馈电路，还包括依次连接的最大功率跟踪控制时序产生电路、最大功率跟踪控制采样保持电路和多环路反馈复合型误差放大电路，本发明的最大功率跟踪控制系统利用最大功率跟踪控制时序产生电路产生一个周期性的窄脉冲信号，最大功率跟踪控制采样电路实现周期性采样，多环路反馈复合型误差放大电路实现多环路先复合再补偿，采用上述电路结构可以对能量收集器实现最大功率跟踪，并可应用于多种开关电源变换器拓扑结构，电路能够使能量收集器实现最大功率转换，并具有低功耗、小面积、可编程等优点。
-
公开(公告)号：CN107884876A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201711411832.2
申请日：2017-12-23
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种基于波导光栅耦合器的光偏振态检测芯片，包括具有光栅区域以及四个输出端口的波导光栅耦合器，波导光栅耦合器的四个输出端口划分为相互垂直的两组，两组输出端口分别通过第一单模波导连接同一个多模干涉耦合器，并分别通过第二单模波导连接两个第一光电探测器；所述的第一单模波导、第二单模波导与波导光栅耦合器的输出端口之间均通过模式转换器连接；所述的多模干涉耦合器通过两个第三单模波导连接两个第二光电探测器。本发明所涉及的器件基于光波导器件，能够集成在同一衬底上，具有较高的集成度，能够在光通信、片上/片间光互连领域得到应用。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105448376B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201510786195.1
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅肖特基结型同位素电池及其制造方法，目的在于：提升输出功率和能量转化效率，提高封装密度，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底，衬底上部设置有N型SiC外延层，所述N型SiC外延层上设有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述若干个台阶的顶部中间位置均开设有凹槽，凹槽内设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，N型SiC欧姆接触掺杂区上端设置有N型欧姆接触电极，所述N型欧姆接触电极的形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同，所述N型欧姆接触电极两侧的台阶顶部位置上设置有α放射源；所述相邻台阶之间的沟槽底部设置有肖特基接触电极。
-
公开(公告)号：CN106098767A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610496818.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/74 , H01L21/332 , H01L29/06 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/0615 , H01L29/47 , H01L29/66363
Abstract: 本发明公开了一种P沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的N型欧姆接触电极、N型SiC衬底、P型SiC缓冲层、P型SiC漂移层和P型电流增强层，P型电流增强层上刻蚀形成有若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有P型SiC欧姆接触层，P型SiC欧姆接触层的上部设置有P型欧姆接触电极，P型欧姆接触电极的形状与P型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部均接触，所述N型欧姆接触电极和P型欧姆接触电极均包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。
-
公开(公告)号：CN106024877A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610497794.6
申请日：2016-06-28
Applicant: 长安大学
IPC: H01L29/74 , H01L21/332 , H01L29/47
CPC classification number: H01L29/74 , H01L29/47 , H01L29/66363
Abstract: 本发明公开了一种N沟肖特基栅碳化硅静电感应晶闸管及其制造方法，目的在于，降低器件开态电阻、提升功率特性，结构所采用的技术方案为：包括自下而上依次设置的P型欧姆接触电极、P型SiC衬底、N型SiC缓冲层、N型SiC漂移层和N型SiC电流增强层，所述N型SiC电流增强层上刻蚀形成若干个台阶，相邻台阶之间设有沟槽，所述台阶顶部设置有N型SiC欧姆接触层，N型SiC欧姆接触层的上部设置有N型欧姆接触电极，N型欧姆接触电极的形状与N型SiC欧姆接触层相同，所述沟槽内设置有肖特基电极，肖特基电极与台阶侧面和沟槽底部相接触，所述P型欧姆接触电极包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述N型欧姆接触电极包括依次沉积的Ni层和Pt层，所述肖特基电极包括依次沉积的Ni层、Cr层和Au层，或者Ti层、Cr层和Au层，或者Pt层、Cr层和Au层。
-
公开(公告)号：CN105448375A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201510786191.3
申请日：2015-11-16
Applicant: 长安大学
IPC: G21H1/06
CPC classification number: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种采用α放射源的碳化硅PIN型同位素电池及其制造方法，目的在于：提高能量转换效率和封装密度，有利于集成，实用性强，设计新颖合理，方便实现，本发明的电池所采用的技术方案为：包括由SiC基片构成的衬底和设置在所述衬底上部的N型SiC外延层，N型外延层上刻蚀形成多个台阶，在台阶顶部的中间位置设置有N型SiC欧姆接触掺杂区，在台阶底部设置有P型SiC欧姆接触掺杂区，所述N型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述N型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的N型欧姆接触电极，所述P型SiC欧姆接触掺杂区上部设置有形状与所述P型SiC欧姆接触掺杂区形状相同的P型欧姆接触电极；所述台阶顶部除去N型欧姆接触电极的区域设置有α放射源。
-
公开(公告)号：CN212627915U
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202021379370.8
申请日：2020-07-14
Applicant: 长安大学
IPC: H04B10/116 , H04B10/516 , H04B10/60 , H04B10/85 , H04N5/353
Abstract: 一种CMOS摄像头可见光通信的数据保密传输装置，包括发送模块和接收模块，发送模块包括发送端微控制器以及通过LED驱动电路与发送端微控制器相连的LED光源，接收模块包括CMOS摄像头以及分别与CMOS摄像头相连的接收端微控制器和图像处理单元；发送模块通过发送端微控制器将原始数据码和错码进行间隔编码，编码后的信息通过LED驱动电路调制在LED光源的光强上并向外发送信号；接收模块通过接收端微控制器根据错码间隔的长度对CMOS摄像头的快门时间进行调整，通过已调整了快门时间的CMOS摄像头拍摄图像，图像处理单元从所拍摄图像中提取原始数据。本实用新型能够提高可见光通信数据传输的安全性和完整性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
38
records
(took 0.063 seconds)
