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公开(公告)号:CN109816096A
公开(公告)日:2019-05-28
申请号:CN201910062532.0
申请日:2019-01-23
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器的感知器神经网络电路及其调节方法,该电路包括忆阻器模块、权值转换模块、净输入模块和映射函数模块;所述的忆阻器模块与权值转换模块连接,所述的权值转换模块与净输入模块连接,所述的净输入模块与映射函数模块连接。本发明的方法首先调节忆阻器的阻值与时间关系的图像近似为一条直线,再调节权值与时间关系的图像近似为一条直线。线性变化的忆阻器阻值能够更加精确的代替神经网络的突触权值,利用忆阻器的阻值来储存训练好的神经网络的突触权值,从而实现了忆阻器阻值与神经元突触权值的转换,解决传统神经元电路不能精确调整神经突触权值的问题。
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公开(公告)号:CN109753103A
公开(公告)日:2019-05-14
申请号:CN201910089433.1
申请日:2019-01-30
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供了一种用于能量收集的最大功率跟踪控制系统,包括依次连接的放大与补偿电路、开关管控制逻辑及驱动电路、开关电源变换器拓扑电路和输出电压反馈电路,还包括依次连接的最大功率跟踪控制时序产生电路、最大功率跟踪控制采样保持电路和多环路反馈复合型误差放大电路,本发明的最大功率跟踪控制系统利用最大功率跟踪控制时序产生电路产生一个周期性的窄脉冲信号,最大功率跟踪控制采样电路实现周期性采样,多环路反馈复合型误差放大电路实现多环路先复合再补偿,采用上述电路结构可以对能量收集器实现最大功率跟踪,并可应用于多种开关电源变换器拓扑结构,电路能够使能量收集器实现最大功率转换,并具有低功耗、小面积、可编程等优点。
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公开(公告)号:CN107101718B
公开(公告)日:2018-08-28
申请号:CN201710358063.8
申请日:2017-05-19
Applicant: 长安大学
IPC: G01J1/00
Abstract: 本发明公开了一种基于反向串联忆阻器的曝光量传感器,包括第一电源V1、第二电源V2、开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块、求差模块、放大模块、增大模块;第一电源V1或第二电源依次V2与开关K、光电模块、限流模块、忆阻器模块组成回路;忆阻器模块包括忆阻器Mz1、Mz2、Mj1和Mj2,Mj1和Mj2完全相同,Mz1与Mj1串联,Mz2与Mj2串联,Mz1和Mj1组成的串联支路与Mz2和Mj2形成的串联支路相并联;求差模块与忆阻器模块相连,放大模块与求差模块相连,增大模块与放大模块相连。本发明的曝光量测量范围大,灵敏度高,适用于大曝光量及长时间曝光的测量,而且电路简单,避免了测量过程中忆阻器阻值变化对传感器的回路电流和曝光量测量的影响,测量误差小,使用方便。
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公开(公告)号:CN103872045B
公开(公告)日:2016-06-29
申请号:CN201410123317.4
申请日:2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,耗尽型器件栅下保留SiN,器件栅下存在高浓度二维电子气,器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性,将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。
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公开(公告)号:CN103915434B
公开(公告)日:2016-06-15
申请号:CN201410122687.6
申请日:2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,耗尽型器件栅下保留SiN,器件栅下存在高浓度二维电子气,器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性,将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。
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公开(公告)号:CN102749130B
公开(公告)日:2014-11-05
申请号:CN201210222513.8
申请日:2012-06-29
Applicant: 长安大学
IPC: G01G9/00
Abstract: 本发明公开了一种LOVE波型微量物质质量的测量装置,包括在同一压电基片材料上制作的一个输入叉指换能器、两个相同的输出叉指换能器、输入叉指换能器的第一电极、输入叉指换能器的第二电极、输出叉指换能器的第一电极、输出叉指换能器的第二电极,以及覆盖在输入叉指换能器、输出叉指换能器和压电基片上的LOVE波波导层;输入叉指换能器的第一电极、输入叉指换能器的第二电极、输出叉指换能器的第一电极和输出叉指换能器的第二电极的末端均从LOVE波波导层中伸出;两个输出叉指换能器分别对称设置在输入叉指换能器的左、右两侧,输入叉指换能器与输出叉指换能器之间的区域为测量区域。本发明结构简单,能够实现对毫克以及毫克以下物质质量的测量。
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公开(公告)号:CN103872045A
公开(公告)日:2014-06-18
申请号:CN201410123317.4
申请日:2014-03-28
Applicant: 长安大学
Abstract: 本发明提供一种GaN基超薄势垒增强/耗尽模式反相器、环振及其制作方法,利用表面SiN有效降低超薄势垒异质结的沟道方块电阻,通过调节栅下SiN厚度可分别实现增强型器件及耗尽型器件,将增强型器件栅下SiN刻蚀掉,器件栅下沟道电子浓度很低,器件可呈现出正阈值电压的增强型特性,耗尽型器件栅下保留SiN,器件栅下存在高浓度二维电子气,器件呈现出负阈值电压的耗尽型特性,将增强型器件和耗尽型器件集成可实现反相器,再将2n+1个相同的反相器级连,可实现环振。
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公开(公告)号:CN103178803A
公开(公告)日:2013-06-26
申请号:CN201310044829.7
申请日:2013-02-05
Applicant: 长安大学
IPC: H03H9/02
Abstract: 本发明公开了一种正偶数多边形Rayleigh波产生器件,包括在同一压电基片材料上制作的n个叉指换能器,n为大于等于4的偶数;所述的n个叉指换能器按照正n边形设置在所述压电基片材料上,各相邻的叉指换能器之间有间距且间距相等。其通过在同一压电基片材料上制作一组按照正偶数多边形设置的Rayleigh波叉指换能器,实现多角度Rayleigh波的激发,进而满足具有对Rayleigh波激发角度、强度等特性具有不同需求的功能性器件的需求。
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