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公开(公告)号：KR101587568B1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：KR1020147010824
申请日：2011-11-22
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
CPC classification number: B09B3/00 , C03B19/08 , C03C1/002 , C03C11/007
Abstract: 본발명의일 관점에의하면, 소듐-실리케이트또는보로알루미노-실리케이트조성의폐유리분말을발포형성제첨가없이성형몰드에서가압하여성형체를제조하는단계; 및상기성형체를 600 내지 1000℃온도범위에서소성및 발포시키는단계를포함하며, 상기폐유리분말의제조방법은소듐-실리케이트또는보로알루미노-실리케이트조성폐유리를습식분쇄공정으로분쇄하는단계를포함하는, 폐유리를이용한발포유리제조방법이제공된다.
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公开(公告)号：KR1020150102163A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140023477
申请日：2014-02-27
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
IPC: C01G41/02
Abstract: 본 발명은 산화텅스텐 미립자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 산화텅스텐 미립자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자의 제조방법은 화학침전법을 이용하여 산화텅스텐의 전구체인 암모늄 파라 텅스테이트(APT, (NH
4 )
10 ·(H
2 W
12 0
42 )·4H
2 O)로부터 순도가 높고 입도가 작으며 균일한 산화텅스텐 미립자를 제조할 수 있으므로, 산화텅스텐이 사용되는 다양한 분야에서 유용하게 사용될 수 있다.Abstract translation: 本发明涉及通过使用它们制造的氧化钨微粒和氧化钨微粒的制造方法。 根据本发明，氧化钨微粒的制造方法可以由（NH_4）_10·（H_2W_12O_42）的对位钨酸铵（APT）制造具有小而均匀的粒度和高纯度的氧化钨微粒， ·4H_2O作为氧化钨的前体使用化学沉淀法，因此可用于使用氧化钨的各种领域。
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公开(公告)号：KR101402501B1
公开(公告)日：2014-06-03
申请号：KR1020120016563
申请日：2012-02-17
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
IPC: C01B21/072 , B22F9/00 , H01L21/48
Abstract: 본 발명은 질화알루미늄의 결정입자로 이루어지는 결정조직을 가지며, 4점 구부림 강도는 350 MPa 이상이고, 열전도도가 190 W/m·K 이상인 질화알루미늄 소결체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 상기 질화알루미늄 소결체는 소결조제로 산화 이트리아를 사용함으로써, 높은 열전도 특성 및 기계적 특성을 구현할 수 있고, 반도체 기판 등에 활용 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020130047869A
公开(公告)日：2013-05-09
申请号：KR1020110112671
申请日：2011-11-01
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a hydroxide nickel electrode is provided easily manufacture a hydroxide nickel(Ni(OH)2) film electrode for a super capacitor using a static current electrodeposition. CONSTITUTION: A manufacturing method of a hydroxide nickel electrode comprises a step of manufacturing a (Ni(NO3)2·6H2O) electrodeposition aqueous solution of 20-50 °C(S1); a step of dipping stainless steel, as a current collector, in the Ni((NO3)2·6H2O) electrodeposition aqueous solution(S2); a step of manufacturing an electrode by forming Ni(OH)2 on the stainless steel by an electrochemical method at room temperature and atmospheric pressure(S3); and a step of drying the manufactured Ni(OH)2 electrode at 20-30 °C(S4). [Reference numerals] (S1) Manufacture nickel hydroxide(Ni(NO3)2·6H2O) electrodeposition aqueous solution of 20-50°C range; (S2) Deposit stainless steel, as a current collector, into the nickel hydroxide(Ni(NO3)2·6H2O) electrodeposition aqueous solution; (S3) Manufacture a nickel hydroxide(Ni(OH)2) electrode on the stainless steel by an electrochemical method at room temperature and atmospheric pressure; (S4) Dry the nickel hydroxide(Ni(OH)2) electrode at 20-30°C
Abstract translation: 目的：提供氢氧化镍电极的制造方法，其使用静电电沉积容易地制造用于超级电容器的氢氧化镍（Ni（OH）2）膜电极。 构成：氢氧化镍电极的制造方法包括制造20-50℃的（Ni（NO 3）2·6H 2 O）电沉积水溶液（S1）的工序。 在Ni（（NO 3）2·6H 2 O）电沉积水溶液（S2）中浸渍不锈钢作为集电体的步骤; 在室温和大气压下通过电化学方法在不锈钢上形成Ni（OH）2来制造电极的步骤（S3）; 以及在20-30℃干燥所制造的Ni（OH）2电极的步骤（S4）。 （参考号）（S1）制造20-50℃范围的氢氧化镍（Ni（NO 3）2·6H 2 O）电沉积水溶液; （S2）将作为集电体的不锈钢沉积到氢氧化镍（Ni（NO 3）2·6H 2 O）电沉积水溶液中; （S3）在室温和大气压下，通过电化学方法在不锈钢上制造氢氧化镍（Ni（OH）2）电极; （S4）在20-30℃下干燥氢氧化镍（Ni（OH）2）电极
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101741308B1
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020150023365
申请日：2015-02-16
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
IPC: C01G41/02
Abstract: 텅스텐정광및 무기산의혼합물을 pH 4 이하의범위로제어하면서텅스텐산(HWO)을제조하는단계; 및제조된텅스텐산(HWO)를 350 내지 650℃에서열처리하는단계를포함하는산화텅스텐미립자의제조방법과상기방법으로제조된산화텅스텐미립자를제공하며, 이를통해순도가높고입도가작으며균일한산화텅스텐미립자를제조할수 있으므로, 다양한분야에서유용하게사용가능하다.
Abstract translation: 制备钨酸（HWO），同时控制钨精矿和无机酸的混合物至pH4或更低; 以及一种用于制造钨氧化物微粒，包括热的步骤处理从350所产生的钨（HWO）到650℃并提供由上述方法制备的氧化钨微粒的制造方法，和具有高纯度粒径提及，通过该均匀的氧化 可以生产钨微粒，以便它们可以有效地用于各种领域。
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公开(公告)号：KR1020170054042A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：KR1020150156724
申请日：2015-11-09
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
Abstract: 본발명은고순도탄화규소(SiC)의제조방법에관한것이다. 본발명에따른탄화규소(SiC)의제조방법은불화칼슘(CaF)을포함하는소결조제를이용하여아크방전을수행함으로써반응온도가반응물외부로분산되는것을차단하여탄화규소(SiC)의생성속도를향상시킬수 있을뿐만아니라부반응을억제하여탄화규소의제조효율및 순도를향상시키는효과가우수하다.
Abstract translation: 本发明涉及生产高纯度碳化硅（SiC）的方法。 根据本发明的用于制造碳化硅（SiC）的方法包括使用含有氟化钙（CaF）的烧结助剂来执行电弧放电，以防止反应温度分散在反应物之外， 而且通过抑制副反应来提高碳化硅的生产效率和纯度的效果也是优异的。
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公开(公告)号：KR1020150115996A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：KR1020140039893
申请日：2014-04-03
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
IPC: B32B18/00 , C04B35/52 , C04B35/584 , H05K7/20
CPC classification number: B32B9/007 , B32B18/00 , C04B35/52 , C04B35/584 , H05K7/20
Abstract: 본발명은탄소재의기판을형성하는제1 층및 제1 층의일면또는양면에형성되며, 질화규소, 질화알루미늄, 질화리튬및 실리콘카바이드중 1 종이상을함유하는제2 층을포함하는열전도성기재및 이의제조방법에관한것으로서, 1000℃이상의고온에서도적용가능하며, 산소가스, 오존가스및 이산화질소가스등의반응성가스분위기에서도산화를방지할수 있는열전도성기재를제공한다.
Abstract translation: 导热基材技术领域本发明涉及一种导热基材，其特征在于，包括：形成碳基基板的第一层; 以及设置在第一层的一侧或两侧并且在氮化硅，氮化铝，氮化锂和碳化硅中含有至少一种化合物的第二层，并且还涉及其制造方法。 此外，本发明提供一种即使在高于或等于1000℃的高温下也可应用的导热性基材，即使在包含氧气，臭氧气体和二氧化氮气体的气氛或反应性气体中也能防止氧化。
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公开(公告)号：KR101356382B1
公开(公告)日：2014-01-27
申请号：KR1020070059948
申请日：2007-06-19
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 다공성 코디어라이트(cordierite)/지르코니아(zirconia) 세라믹 허니컴(ceramic honeycomb) 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 다공성 코디어라이트/지르코니아 세라믹 허니컴은, 코디어라이트 분말에 기계적 특성의 증진을 위한 지르코니아 분말, 기공 형성을 위한 흑연 분말 및 성형조제용 첨가제를 혼합하여 혼합물을 만들고 상기 혼합물을 성형하여 허니컴 성형체를 제조한 후 상기 허니컴 성형체를 건조 및 소성하여 제조되는 것을 특징으로 한다.
따라서, 우수한 기공 특성, 기계적 특성 및 압출성형성을 갖는 세라믹 허니컴을 원활히 제조할 수 있는 효과가 있다.
코디어라이트, 지르코니아, 흑연, 강도, 기공, 압출성형, 다공성, 세라믹, 허니컴, 필터-
公开(公告)号：KR1020130095112A
公开(公告)日：2013-08-27
申请号：KR1020120016563
申请日：2012-02-17
Applicant: 강릉원주대학교산학협력단
IPC: C01B21/072 , B22F9/00 , H01L21/48
CPC classification number: C01B21/0722 , C01B21/0728 , C01P2006/32 , C01P2006/90 , C04B35/581
Abstract: PURPOSE: An aluminum nitride sintered body using yttria nitrate as a sintering aid, a manufacturing method thereof and a semiconductor substrate including the same realize high thermal conductive and mechanical characteristics and the aluminum nitride sintered body can be used in a semiconductor substrate, etc. CONSTITUTION: A manufacturing method of an aluminum nitride sintered body comprises the steps of: manufacturing an aqueous solution containing yttria nitrate; dispersing and drying aluminum nitride in the manufactured aqueous solution; heat-treating the dried mixture at 300-700°C; and pressurizing and sintering the mixture. [Reference numerals] (AA) First step of producing Y(NO_3)_3·6H_2O solution within 20-30 deg. C; (BB) Second step of depositing, dispersing aluminum nitride in the Y(NO_3)_3·6H_2O solution and drying; (CC) Third step of heat-treating the produced aluminum nitride/yttria mixture at 500 deg. C; (DD) Fourth step of producing aluminum nitride sintered body by using a hot-press
Abstract translation: 目的：使用硝酸钇作为烧结助剂的氮化铝烧结体及其制造方法和包含该氮化铝的半导体基板实现高导热性和机械特性，并且氮化铝烧结体可用于半导体衬底等。 ：氮化铝烧结体的制造方法，其特征在于，包括：制造含有硝酸钇的水溶液; 在制造的水溶液中分散和干燥氮化铝; 在300-700℃下对干燥的混合物进行热处理; 并对混合物进行加压和烧结。 （AA）在20-30度内生成Y（NO 3）3·6H 2 O溶液的第一步骤。 C; （BB）将氮化铝沉淀在Y（NO 3）3·6H 2 O溶液中并进行干燥的第二步骤; （CC）在500度下对所生产的氮化铝/氧化钇混合物进行热处理的第三步骤。 C; （DD）使用热压制造氮化铝烧结体的第四工序
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