반도체 화합물의 제조방법
    1.
    发明公开
    반도체 화합물의 제조방법 有权
    制备半导体化合物的方法

    公开(公告)号:KR1020140049159A

    公开(公告)日:2014-04-25

    申请号:KR1020120114629

    申请日:2012-10-16

    Abstract: In order to realize a method for manufacturing a semiconductor compound which can replace titanium dioxide and has superior physical properties rapidly and safely obtained in operational processes, and a material manufactured thereby, the present invention provides the method for manufacturing the semiconductor compound. The method includes a step of providing a mixed solution of titanium dioxide, a cadmium precursor, 3-mercaptopropionic acid, and water and a step of forming a semiconductor compound combined with titanium dioxide and cadmium sulfide by irradiating the mixed solution with microwaves. [Reference numerals] (S100) Step of providing a titanium dioxide aqueous solution; (S200) Step of forming a cadmium dithiol complex; (S300) Step of manufacturing a mixed solution between the cadmium dithiol complex and the titanium dioxide aqueous solution; (S400) Step of irradiating the mixed solution with microwaves; (S500) Step of obtaining and drying determined nanocrystal in which cadmium sulfide and titanium dioxide are combined

    Abstract translation: 为了实现可以替代二氧化钛并且在操作过程中快速安全地获得的物理性能优异的半导体化合物的制造方法以及由此制造的材料,本发明提供了半导体化合物的制造方法。 该方法包括提供二氧化钛,镉前体,3-巯基丙酸和水的混合溶液的步骤,以及通过用微波照射混合溶液形成与二氧化钛和硫化镉组合的半导体化合物的步骤。 (附图标记)(S100)提供二氧化钛水溶液的步骤; (S200)形成镉二硫醇复合物的工序; (S300)在二硫化镉复合物和二氧化钛水溶液之间制造混合溶液的工序; (S400)用微波照射混合溶液的步骤; (S500)合并硫化镉和二氧化钛的确定的纳米晶体的获得和干燥步骤

    산화텅스텐 미립자의 제조방법
    2.
    发明公开
    산화텅스텐 미립자의 제조방법 有权
    三氧化钨微粒的制备方法

    公开(公告)号:KR1020150102163A

    公开(公告)日:2015-09-07

    申请号:KR1020140023477

    申请日:2014-02-27

    Abstract: 본 발명은 산화텅스텐 미립자의 제조방법 및 이를 이용하여 제조되는 산화텅스텐 미립자에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 산화텅스텐 미립자의 제조방법은 화학침전법을 이용하여 산화텅스텐의 전구체인 암모늄 파라 텅스테이트(APT, (NH
    4 )
    10 ·(H
    2 W
    12 0
    42 )·4H
    2 O)로부터 순도가 높고 입도가 작으며 균일한 산화텅스텐 미립자를 제조할 수 있으므로, 산화텅스텐이 사용되는 다양한 분야에서 유용하게 사용될 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及通过使用它们制造的氧化钨微粒和氧化钨微粒的制造方法。 根据本发明,氧化钨微粒的制造方法可以由(NH_4)_10·(H_2W_12O_42)的对位钨酸铵(APT)制造具有小而均匀的粒度和高纯度的氧化钨微粒, ·4H_2O作为氧化钨的前体使用化学沉淀法,因此可用于使用氧化钨的各种领域。

    산화텅스텐 미립자의 제조방법
    3.
    发明授权
    산화텅스텐 미립자의 제조방법 有权
    三氧化钨微粒的制备方法

    公开(公告)号:KR101599602B1

    公开(公告)日:2016-03-07

    申请号:KR1020140023477

    申请日:2014-02-27

    Abstract: 본발명은산화텅스텐미립자의제조방법및 이를이용하여제조되는산화텅스텐미립자에관한것으로서, 본발명에따른산화텅스텐미립자의제조방법은화학침전법을이용하여산화텅스텐의전구체인암모늄파라텅스테이트(APT, (NH)·(HW0)·4HO)로부터순도가높고입도가작으며균일한산화텅스텐미립자를제조할수 있으므로, 산화텅스텐이사용되는다양한분야에서유용하게사용될수 있다.

    산화텅스텐 및 그 제조방법
    5.
    发明授权
    산화텅스텐 및 그 제조방법 有权
    氧化钨及其制造方法

    公开(公告)号:KR101741308B1

    公开(公告)日:2017-05-30

    申请号:KR1020150023365

    申请日:2015-02-16

    Abstract: 텅스텐정광및 무기산의혼합물을 pH 4 이하의범위로제어하면서텅스텐산(HWO)을제조하는단계; 및제조된텅스텐산(HWO)를 350 내지 650℃에서열처리하는단계를포함하는산화텅스텐미립자의제조방법과상기방법으로제조된산화텅스텐미립자를제공하며, 이를통해순도가높고입도가작으며균일한산화텅스텐미립자를제조할수 있으므로, 다양한분야에서유용하게사용가능하다.

    Abstract translation: 制备钨酸(HWO),同时控制钨精矿和无机酸的混合物至pH4或更低; 以及一种用于制造钨氧化物微粒,包括热的步骤处理从350所产生的钨(HWO)到650℃并提供由上述方法制备的氧化钨微粒的制造方法,和具有高纯度粒径提及,通过该均匀的氧化 可以生产钨微粒,以便它们可以有效地用于各种领域。

    반도체 화합물의 제조방법
    6.
    发明授权
    반도체 화합물의 제조방법 有权
    半导体化合物的制造方法

    公开(公告)号:KR101413165B1

    公开(公告)日:2014-07-01

    申请号:KR1020120114629

    申请日:2012-10-16

    Abstract: 본 발명은 이산화티타늄를 대체할 수 있으면서 공정상 빠르고 안전한 우수한 물성을 갖는 반도체 화합물의 제조방법 및 그 제조물질을 구현하기 위하여, 이산화티타늄, 카드뮴전구체, 3-메르캅토프로피온산 및 물을 혼합한 혼합용액을 제공하는 단계 및 혼합용액에 마이크로웨이브를 조사하여 이산화티타늄과 황화카드뮴이 결합된 반도체 화합물을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 화합물의 제조방법을 제공한다.

    산화텅스텐 및 그 제조방법
    7.
    发明公开
    산화텅스텐 및 그 제조방법 有权
    三氧化钨微粒及其制备方法

    公开(公告)号:KR1020160101297A

    公开(公告)日:2016-08-25

    申请号:KR1020150023365

    申请日:2015-02-16

    CPC classification number: C01G41/02 C01P2004/62

    Abstract: 텅스텐정광및 무기산의혼합물을 pH 4 이하의범위로제어하면서텅스텐산(HWO)을제조하는단계; 및제조된텅스텐산(HWO)를 350 내지 650℃에서열처리하는단계를포함하는산화텅스텐미립자의제조방법과상기방법으로제조된산화텅스텐미립자를제공하며, 이를통해순도가높고입도가작으며균일한산화텅스텐미립자를제조할수 있으므로, 다양한분야에서유용하게사용가능하다.

    Abstract translation: 本发明提供一种制备氧化钨颗粒和氧化钨颗粒的方法,所述方法包括:在控制钨浓缩物和无机酸的混合物的同时,在钨酸盐(W 2 O 4) pH 4; 以及在350-650℃下对所制备的钨酸(H_2WO_4)进行热处理的步骤。通过使用本发明,可以制备具有高纯度和小粒径的均匀的氧化钨颗粒,使得氧化钨 颗粒可用于各种领域。

    마그네슘 제련 슬래그를 포함하는 시멘트 혼화재, 그 제조 방법, 및 그를 포함하는 시멘트
    8.
    发明授权
    마그네슘 제련 슬래그를 포함하는 시멘트 혼화재, 그 제조 방법, 및 그를 포함하는 시멘트 有权
    具有镁精矿浆的水泥混合物,其制造方法和具有相同的水泥

    公开(公告)号:KR101439079B1

    公开(公告)日:2014-09-17

    申请号:KR1020130022008

    申请日:2013-02-28

    CPC classification number: Y02P40/143 Y02W30/94

    Abstract: The present invention provides a method of manufacturing a cement admixture having magnesium smelting slag, through which the magnesium smelting slag can be recycled. The method of manufacturing a cement admixture having magnesium smelting slag according to an embodiment of the present invention comprises the steps of: forming magnesium molten metal by smelting magnesium from a magnesium material; separating magnesium smelting slag from the magnesium molten metal; and forming a β-C2S crystal phase by rapidly cooling the magnesium smelting slag.

    Abstract translation: 本发明提供一种制造具有镁冶炼炉渣的水泥混合物的方法,通过该方法可以回收镁熔渣。 根据本发明实施方案的制造具有镁熔渣的水泥混合物的方法包括以下步骤:通过从镁材料中熔炼镁而形成镁熔融金属; 从镁熔融金属中分离镁熔渣; 并通过快速冷却镁熔渣来形成β-C2S晶相。

    경량골재의 제조방법
    9.
    发明公开
    경량골재의 제조방법 有权
    轻量化聚合方法

    公开(公告)号:KR1020140108799A

    公开(公告)日:2014-09-15

    申请号:KR1020130022009

    申请日:2013-02-28

    Abstract: For a method for manufacturing light weight aggregate composites using magnesium smelting side products which cannot be easily recycled and fly ashes and manufacturing a light weight aggregate having an excellent property using the light weight aggregate composites, the present invention provides a method for manufacturing a light weight aggregate, which comprises the steps of: forming a mixture of magnesium smelting side products and fly ashes; forming a formed body by forming the mixture; and forming a light weight aggregate by baking the formed body.

    Abstract translation: 对于使用不易于再循环和飞灰的镁冶炼侧产物制造轻质聚集体复合材料的方法,并且使用轻质骨料复合材料制造具有优异性能的轻质骨料,本发明提供了一种制造轻质量的方法 骨料,其包括以下步骤:形成镁冶炼侧产物和飞灰的混合物; 通过形成混合物形成成形体; 并通过烘焙成形体形成轻质骨料。

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