나노 기공성 구조의 산화코발트를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법
    21.
    发明公开
    나노 기공성 구조의 산화코발트를 이용한 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
    使用纳米多孔钴氧化物结构的气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020110006800A

    公开(公告)日:2011-01-21

    申请号:KR1020090064355

    申请日:2009-07-15

    Abstract: PURPOSE: A gas sensor using cobalt oxide of nano porous structure and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a gas sensor with small primary particles since a porous gas sensor is made of Co3O4 which has nano porous structure. CONSTITUTION: A manufacturing method of a gas sensor using cobalt oxide of nano porous structure comprises following steps. The Co3O4 particle having the nano structure is formed. A film is formed by the particle and a Co3O4 gas sensitive layer of the nano porous structure is formed. The amino acid is added in the Co precursor, so the hydrothermal synthesis reaction is raised(S2). The organic acid is added more in the Co precursor and the hydrothermal synthesis reaction is raised. Oxalic acid is used as the organic acid.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用纳米多孔结构的氧化钴的气体传感器及其制造方法,由于多孔气体传感器由具有纳米多孔结构的Co 3 O 4制成,因此制造具有小一次粒子的气体传感器。 构成:使用纳米多孔结构的氧化钴的气体传感器的制造方法包括以下步骤。 形成具有纳米结构的Co 3 O 4颗粒。 由该颗粒形成膜,形成纳米多孔结构的Co 3 O 4气体敏感层。 在Co前体中加入氨基酸,使水热合成反应升高(S2)。 在Co前体中加入有机酸,提高水热合成反应。 草酸用作有机酸。

    산화니켈몰리브데늄이 첨가된 산화니켈 나노복합체를 이용한 자일렌 가스 센서 및 그 제조방법
    25.
    发明授权
    산화니켈몰리브데늄이 첨가된 산화니켈 나노복합체를 이용한 자일렌 가스 센서 및 그 제조방법 有权
    使用添加了氧化镍钼的氧化镍纳米复合材料的二甲苯气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101806742B1

    公开(公告)日:2018-01-10

    申请号:KR1020160141272

    申请日:2016-10-27

    Abstract: 본발명은산화물반도체형가스센서및 그제조방법에관한것으로, 더욱상세하게는산화니켈몰리브데늄이첨가된산화니켈나노복합체를가스감응층으로이용하여인체에악영향을주는실내환경가스인자일렌을고감도, 고선택적으로검지할수 있는가스센서및 그제조방법에관한것이다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种氧化物半导体式气体传感器及其制造,并且更具体地,涉及一种室内环境气体因子亚基通过使用该denyum氧化状态的镍钼的氧化镍纳米复合材料对人体有不利影响被添加到气体敏感层的方法 一种能够高灵敏度和高选择性检测的气体传感器及其制造方法。

    산화몰리브덴을 이용한 휘발성 염기 질소 가스 센서 및 그 제조 방법
    27.
    发明公开
    산화몰리브덴을 이용한 휘발성 염기 질소 가스 센서 및 그 제조 방법 有权
    使用氧化钼的挥发性碱性氮气传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020140141774A

    公开(公告)日:2014-12-11

    申请号:KR1020130061903

    申请日:2013-05-30

    Abstract: 트리메틸아민과 같은 휘발성 염기 질소 가스의 선택적 감응이 가능하도록 하는 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 가스 감응층이 분무열분해법에 의한 산화몰리브덴(MoO
    3 ) 분말로부터 형성된 것이다. 본 발명에 따른 가스 센서 제조 방법에서는, 분무열분해법에 의해 산화몰리브덴 분말을 형성한 다음, 이것을 박판 구조로 제작해 가스 감응층을 형성한다. 분무열분해법을 이용하면 미세구조를 쉽게 조절하여 가스 확산에 유리한 구조를 얻고 동시에 2차 입자의 성장을 막아 가스 감도를 큰 폭으로 향상시켜 트리메틸아민 가스에 대한 선택적 감응성을 크게 향상시킬 수 있다.

    Abstract translation: 提供能够选择性地感测挥发性碱性氮气的气体传感器,例如三甲胺及其制造方法。 根据本发明,气体传感器具有通过热裂解方法由钼(MoO_3)粉末形成的气体感测层。 根据本发明,气体传感器的制造方法如下。 通过热裂解方法形成钼粉末。 钼粉末被制成薄膜结构,并且薄膜结构形成气体感测层。 气体传感器具有通过热裂解方法容易地控制精细结构而有效地扩散气体的结构,并且通过阻止二次粒子的显着提高气体的灵敏度,可以显着提高对三甲胺气体的选择灵敏度。

    가스 감지용 박막, 이를 포함하는 가스 센서 및 가스 감지용 박막을 제조하는 방법
    28.
    发明公开
    가스 감지용 박막, 이를 포함하는 가스 센서 및 가스 감지용 박막을 제조하는 방법 无效
    用于检测气体的薄膜,包括其的气体传感器和用于检测气体的薄膜的方法

    公开(公告)号:KR1020100108732A

    公开(公告)日:2010-10-08

    申请号:KR1020090026894

    申请日:2009-03-30

    Abstract: PURPOSE: A thin film for detecting gas, a gas sensor including the same, and a method for manufacturing a gas sensor and a thin film for detecting gas are provided to manufacture a porous crystalline tin oxide thin film having improved reaction with certain gas, since a thin tin film is anodized and heat-treated. CONSTITUTION: A method for forming a thin film for detecting gas comprises following steps. A thin tin film is formed on a substrate. A thin tin film is anodized, so that a porous amorphous tin oxide film may be formed. The porous amorphous tin oxide film is heat-treated, so that the porous crystalline tin oxide thin film may be formed.

    Abstract translation: 目的:提供一种用于检测气体的薄膜,包括该薄膜的气体传感器,以及用于制造气体传感器和用于检测气体的薄膜的方法,以制造具有改善与某些气体的反应的多孔结晶氧化锡薄膜,因为 对薄锡膜进行阳极氧化和热处理。 构成:形成用于检测气体的薄膜的方法包括以下步骤。 在基板上形成薄锡膜。 阳极氧化薄锡膜,从而可以形成多孔非晶氧化锡膜。 多孔非晶态氧化锡膜进行热处理,可以形成多孔结晶氧化锡薄膜。

    나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법
    29.
    发明授权
    나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법 有权
    使用纳米材料的气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:KR100961988B1

    公开(公告)日:2010-06-08

    申请号:KR1020060139173

    申请日:2006-12-30

    Abstract: 나노소재를 이용한 기체 센서 및 그 제조방법이 제공된다.
    본 발명에 따른 나노소재를 이용한 기체 센서는 실리콘 산화막 및 실리콘 질화막이 차례로 증착되어 있는 반도체 기판과; 상기 실리콘 질화막 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 히터 어레이로 이루어진 히터전극과; 상기 히터전극 상에 형성되며, 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 절연층과; 상기 절연층 상에 형성된 복수개의 IDE 패턴 형태의 센서 어레이로 이루어진 센서전극과; 상기 센서전극 상에 형성되며, 나노튜브 또는 나노선이 상기 센서전극과 전기적으로 접촉하도록 분산되어 있는 감지부; 및 상기 감지부 및 전극 단자부 이외의 부분에 적층되어 있는 상부 보호층을 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명에 따른 기체 센서는 하나의 센서로서 다양한 오염 기체를 고감도로 감지할 수 있고, 성능의 재현성이 우수하다.

    산화인듐 나노 기공성 구형 구조를 이용한 가스센서 및 그 제조 방법
    30.
    发明公开
    산화인듐 나노 기공성 구형 구조를 이용한 가스센서 및 그 제조 방법 失效
    使用纳米多孔氧化物球形结构的气体传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020100025401A

    公开(公告)日:2010-03-09

    申请号:KR1020080084123

    申请日:2008-08-27

    Abstract: PURPOSE: A gas sensor using an indium oxide nano-porous spherical structure, and a manufacturing method thereof are provided to easily find out noxious gasses, such as explosiveness and poison. CONSTITUTION: A manufacturing method of a gas sensor using an indium oxide nano-porous spherical structure is as follows. A mixture of an In precursor, metallic salt, and amino acid is obtained(S1). A template is added in the mixture, and stirred. Sediment is obtained by coating the surface of the template with an In material(S2). The template is removed from the sediment, and In2O3 fine powder with a nano-porous hollow structure is formed(S3). A film is formed by the fine powder, and a gas sensitive layer is formed by heating the film.

    Abstract translation: 目的:提供一种使用氧化铟纳米多孔球形结构的气体传感器及其制造方法,以容易地发现爆炸性和毒性等有害气体。 构成:使用氧化铟纳米多孔球形结构的气体传感器的制造方法如下。 得到In前体,金属盐和氨基酸的混合物(S1)。 在混合物中加入模板并搅拌。 通过用In材料(S2)涂覆模板的表面获得沉淀物。 从沉淀物中除去模板,形成具有纳米多孔中空结构的In 2 O 3细粉末(S3)。 通过细粉末形成膜,通过加热膜形成气体敏感层。

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