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公开(公告)号：KR100993171B1
公开(公告)日：2010-11-09
申请号：KR1020080084123
申请日：2008-08-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 가스 감응층이 나노 기공성 중공 구조 또는 나노 기공성 계층 구조를 가지는 In
2 O
3 로 이루어진 가스센서를 제공한다. 본 발명에 따른 가스센서는 H
2 S 및 CO 감응시 고감도, 빠른 응답속도를 얻을 수 있을 뿐만 아니라, 센서가 공기에 다시 노출되었을 경우 가역적으로 저항이 회복되는 특성을 실현할 수 있다. 본 발명에서는 이러한 가스센서의 제조 방법도 제공한다. 본 발명에 따른 가스센서는 In
2 O
3 단일성분계로 쉽게 합성할 수 있으며 다양한 구조로 만들 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020090053395A
公开(公告)日：2009-05-27
申请号：KR1020070120235
申请日：2007-11-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 운전자의 음주운전 여부를 효과적으로 빠르게 판단할 수 있는 개량된 구조의 산화물 반도체형 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는, SnO
2 , ZnO, In
2 O
3 , WO
3 , Fe
2 O
3 및 TiO
2 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체에 NiO, CoO 및 MnO
2 중 어느 하나가 첨가된 산화물 반도체형 가스 센서이다. 본 발명에 따르면, Ni 또는 Co 또는 Mn이 포함된 산화물 반도체를 이용해 가스 센서를 제조함으로써 일차 입자의 크기가 작으면서도 응집이 되지 않는 구조의 가스 센서를 제조할 수 있다. 가스 센서에 포함되는 NiO, CoO 또는 MnO
2 는 표면에서의 반응을 촉진시키는 나노촉매 기능을 하기 때문에 알코올을 매우 빠르게 감응하며 주위 환경에서 알코올 농도가 낮아질 경우 매우 빠르게 회복함으로써 알코올 농도의 실시간 감지를 가능하게 해준다.-
公开(公告)号：KR101094277B1
公开(公告)日：2011-12-19
申请号：KR1020090064355
申请日：2009-07-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 가스 감응층이 나노 기공성 구조를 가지는 산화코발트(Co
3 O
4 )로 이루어진 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 나노 기공성 구조의 Co
3 O
4 가스 센서는 알코올 계열 가스에 대한 선택성이 우수하며 빠른 응답속도 및 빠른 회복속도를 얻을 수 있다. 이러한 가스 센서는 본 발명에 따라 Co
3 O
4 단일성분계로 쉽게 합성할 수 있으며 다양한 구조로 만들 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020110006800A
公开(公告)日：2011-01-21
申请号：KR1020090064355
申请日：2009-07-15
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A gas sensor using cobalt oxide of nano porous structure and a manufacturing method thereof are provided to manufacture a gas sensor with small primary particles since a porous gas sensor is made of Co3O4 which has nano porous structure. CONSTITUTION: A manufacturing method of a gas sensor using cobalt oxide of nano porous structure comprises following steps. The Co3O4 particle having the nano structure is formed. A film is formed by the particle and a Co3O4 gas sensitive layer of the nano porous structure is formed. The amino acid is added in the Co precursor, so the hydrothermal synthesis reaction is raised(S2). The organic acid is added more in the Co precursor and the hydrothermal synthesis reaction is raised. Oxalic acid is used as the organic acid.
Abstract translation: 目的：提供一种使用纳米多孔结构的氧化钴的气体传感器及其制造方法，由于多孔气体传感器由具有纳米多孔结构的Co 3 O 4制成，因此制造具有小一次粒子的气体传感器。 构成：使用纳米多孔结构的氧化钴的气体传感器的制造方法包括以下步骤。 形成具有纳米结构的Co 3 O 4颗粒。 由该颗粒形成膜，形成纳米多孔结构的Co 3 O 4气体敏感层。 在Co前体中加入氨基酸，使水热合成反应升高（S2）。 在Co前体中加入有机酸，提高水热合成反应。 草酸用作有机酸。
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公开(公告)号：KR1020100025401A
公开(公告)日：2010-03-09
申请号：KR1020080084123
申请日：2008-08-27
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: PURPOSE: A gas sensor using an indium oxide nano-porous spherical structure, and a manufacturing method thereof are provided to easily find out noxious gasses, such as explosiveness and poison. CONSTITUTION: A manufacturing method of a gas sensor using an indium oxide nano-porous spherical structure is as follows. A mixture of an In precursor, metallic salt, and amino acid is obtained(S1). A template is added in the mixture, and stirred. Sediment is obtained by coating the surface of the template with an In material(S2). The template is removed from the sediment, and In2O3 fine powder with a nano-porous hollow structure is formed(S3). A film is formed by the fine powder, and a gas sensitive layer is formed by heating the film.
Abstract translation: 目的：提供一种使用氧化铟纳米多孔球形结构的气体传感器及其制造方法，以容易地发现爆炸性和毒性等有害气体。 构成：使用氧化铟纳米多孔球形结构的气体传感器的制造方法如下。 得到In前体，金属盐和氨基酸的混合物（S1）。 在混合物中加入模板并搅拌。 通过用In材料（S2）涂覆模板的表面获得沉淀物。 从沉淀物中除去模板，形成具有纳米多孔中空结构的In 2 O 3细粉末（S3）。 通过细粉末形成膜，通过加热膜形成气体敏感层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090073350A
公开(公告)日：2009-07-03
申请号：KR1020070141269
申请日：2007-12-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: A semiconductor type gas sensor and a manufacturing method thereof are provided to increase the response speed about the inspection gas through a hierarchical structure of including nano-pore. A semiconductor type gas sensor of high-sensitivity and the high speed reaction using hierarchical structure has a porous nano hierarchical structure. The main component is selected from a group made of SnO2, ZnO, In2O3, WO3, Fe2O3 and TiO2. The manufacturing method of the semiconductor type gas sensor comprises: a step of forming a oxide semiconductor precipitate having nano hierarchical structure by causing hydrothermal synthesis reaction of a metal precursor(S1); a step of washing precipitate and drying in order to obtain the powder(S2); and a step of manufacturing the oxide semiconductor type gas sensor having the porous nano hierarchical structure by processing with the heat after forming a film from the power(S4).
Abstract translation: 提供了一种半导体式气体传感器及其制造方法，以通过包括纳米孔的分层结构来提高对检查气体的响应速度。 具有高灵敏度的半导体型气体传感器和使用分级结构的高速反应具有多孔纳米分层结构。 主要成分选自SnO2，ZnO，In2O3，WO3，Fe2O3，TiO2等。 半导体型气体传感器的制造方法包括：通过引起金属前体（S1）的水热合成反应形成具有纳米级分结构的氧化物半导体沉淀物的步骤; 洗涤沉淀物并干燥以获得粉末（S2）的步骤; 以及通过在从电力形成膜之后通过加热处理制造具有多孔纳米级分结构的氧化物半导体型气体传感器的步骤（S4）。
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公开(公告)号：KR100989611B1
公开(公告)日：2010-10-26
申请号：KR1020070141269
申请日：2007-12-31
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 고감도, 쾌속반응 산화물 반도체형 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 다공질의 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체형 가스 센서이며, 본 발명에 따른 가스 센서 제조 방법에서는, 금속 전구체의 수열합성 반응을 일으켜 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체 침전물을 형성한 후, 상기 침전물을 세척 및 건조하여 분말을 얻는다. 그런 다음, 상기 분말로 막을 형성한 후 열처리하여 다공질의 나노 계층적 구조를 가지는 산화물 반도체형 가스 센서를 제조한다.
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公开(公告)号：KR1020090054026A
公开(公告)日：2009-05-29
申请号：KR1020070120692
申请日：2007-11-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12 , G01N27/407 , G01N33/497
Abstract: 본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서 제조방법은 기판 상에 열증착법을 이용하여 SnO
2 나노와이어층을 성장시키는 단계; 상기 SnO
2 나노와이어층에 La소스로 0.01 내지 1.2M La(NO
3 )
3 수용액 0.001 내지 10 ml를 상기 SnO
2 나노와이어층에 제공하는 단계; 및 상기 La소스를 첨가한 SnO
2 나노와이어층을 500℃ 내지 700℃에서 30분 내지 90분 동안 열처리하는 단계를 포함하며, 기체 에탄올 선택성을 향상시킨 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서는 상기한 제조방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서는 열증착법으로 성장시킨 SnO
2 나노와이어에 La을 코팅하여 제조한 본 발명의 La가 첨가된 SnO
2 나노와이어 센서는 프로판, 일산화탄소, 수소, 질소산화물에 대한 알콜 선택성이 향상되며, 쾌속반응의 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR100981166B1
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：KR1020070120235
申请日：2007-11-23
Applicant: 고려대학교 산학협력단
Abstract: 운전자의 음주운전 여부를 효과적으로 빠르게 판단할 수 있는 개량된 구조의 산화물 반도체형 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는, SnO
2 , ZnO, In
2 O
3 , WO
3 , Fe
2 O
3 및 TiO
2 로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 산화물 반도체에 NiO, CoO 및 MnO
2 중 어느 하나가 첨가된 산화물 반도체형 가스 센서이다. 본 발명에 따르면, Ni 또는 Co 또는 Mn이 포함된 산화물 반도체를 이용해 가스 센서를 제조함으로써 일차 입자의 크기가 작으면서도 응집이 되지 않는 구조의 가스 센서를 제조할 수 있다. 가스 센서에 포함되는 NiO, CoO 또는 MnO
2 는 표면에서의 반응을 촉진시키는 나노촉매 기능을 하기 때문에 알코올을 매우 빠르게 감응하며 주위 환경에서 알코올 농도가 낮아질 경우 매우 빠르게 회복함으로써 알코올 농도의 실시간 감지를 가능하게 해준다.-
公开(公告)号：KR100948236B1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：KR1020070120692
申请日：2007-11-26
Applicant: 고려대학교 산학협력단
IPC: G01N27/12 , G01N27/407 , G01N33/497
Abstract: 본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서 제조방법은 기판 상에 열증착법을 이용하여 SnO
2 나노와이어층을 성장시키는 단계; 상기 SnO
2 나노와이어층에 La소스로 0.01 내지 1.2M La(NO
3 )
3 수용액 0.001 내지 10 ml를 상기 SnO
2 나노와이어층에 제공하는 단계; 및 상기 La소스를 첨가한 SnO
2 나노와이어층을 500℃ 내지 700℃에서 30분 내지 90분 동안 열처리하는 단계를 포함하며, 기체 에탄올 선택성을 향상시킨 것을 특징으로 한다.
상기 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서는 상기한 제조방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 La이 코팅된 SnO
2 나노와이어 센서는 열증착법으로 성장시킨 SnO
2 나노와이어에 La을 코팅하여 제조한 본 발명의 La가 첨가된 SnO
2 나노와이어 센서는 프로판, 일산화탄소, 수소, 질소산화물에 대한 알콜 선택성이 향상되며, 쾌속반응의 효과가 있다.
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