公开(公告)号：KR20210024839A

公开(公告)日：2021-03-08

申请号：KR1020190104523A

申请日：2019-08-26

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종흔 ,  김태형 ,  정성용

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/407 ,  G01N33/00

CPC classification number: G01N27/127 ,  G01N27/12 ,  G01N27/407 ,  G01N27/4074 ,  G01N27/4075 ,  G01N33/00 ,  G01N33/0036

Abstract: 본 발명은 나이오븀(Nb)이 도핑된 산화니켈(NiO)로 이루어진 가스 감응층; 을 포함하는 자일렌 또는 톨루엔 가스의 선택적 감지용 가스 센서를 개시한다.

公开(公告)号：KR20210030864A

公开(公告)日：2021-03-18

申请号：KR1020200107277A

申请日：2020-08-25

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이주섭 ,  이종흔

IPC: H03H7/46 ,  H01P1/20

CPC classification number: H03H7/46 ,  H01P1/20

Abstract: 주파수 필터 회로가 개시된다. 상기 주파수 필터 회로는 제1 인덕터 및 상기 제1 인덕터와 병렬 연결된 제1 저항을 포함하는 제1 부분 회로, 상기 제1 부분 회로와 병렬 연결된 제1 인버터, 상기 제1 인버터에 직렬 연결된 제3 부분 회로를 포함하되, 상기 제3 부분 회로는 제3 인덕터 및 상기 제1 인버터 및 상기 제3 인덕터 사이의 분기 라인에 형성된 제3 저항을 포함할 수 있다.

公开(公告)号：KR102235899B1

公开(公告)日：2021-04-02

申请号：KR1020190083794A

申请日：2019-07-11

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종흔 ,  문영국 ,  정성용 ,  조영무 ,  김준식

IPC: G01N27/12 ,  B01J23/52 ,  G01N27/407 ,  G01N27/414

CPC classification number: G01N27/127 ,  B01J23/52 ,  G01N27/125 ,  G01N27/4074 ,  G01N27/4075 ,  G01N27/4143 ,  B01J2523/27 ,  B01J2523/43 ,  B01J2523/845

Abstract: 본 발명은 메틸벤젠을 검지하는 가스 센서에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 가스 센서는, 상기 메틸벤젠에 감응하는 감응층과; 상기 감응층의 상면에 형성되는 금(Au)을 포함하는 촉매층을 포함한다.

公开(公告)号：WO2021040208A1

公开(公告)日：2021-03-04

申请号：PCT/KR2020/007883

申请日：2020-06-18

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종흔 ,  김태형 ,  정성용

IPC: G01N27/12 ,  G01N27/407 ,  G01N33/00

Abstract: 본 발명은 나이오븀(Nb)이 도핑된 산화니켈(NiO)로 이루어진 가스 감응층; 을 포함하는 자일렌 또는 톨루엔 가스의 선택적 감지용 가스 센서를 개시한다.

公开(公告)号：WO2016133245A1

公开(公告)日：2016-08-25

申请号：PCT/KR2015/004765

申请日：2015-05-12

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종흔 ,  강윤찬 ,  윤지욱 ,  황수진

IPC: G01N27/407 ,  B82B1/00

CPC classification number: G01N33/0027 ,  B82B1/00 ,  G01N27/407 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02628 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/245

Abstract: 본 발명은 메틸벤젠 가스를 선택적으로 그리고 고감도로 감응하는 개량된 성능의 산화물 반도체형 가스센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스센서는, 가스 감응층이 팔라듐(Pd)이 첨가된 산화코발트(Co 3 O 4 ) 나노구조체로 이루어진 메틸벤젠 가스 감지용 가스센서이다. 본 발명은 Pd이 첨가된 Co 3 O 4 나노 중공계층구조 및 난황구조를 이용하여 5 ppm의 저농도에서 자일렌 가스에 대하여 150 이상, 톨루엔 가스에 대하여 100배 이상의 고감도를 나타내고 자일렌 및 톨루엔을 포함하는 메틸벤젠 가스에 대한 선택적 감지(에탄올 가스 감도 대비 자일렌 30배, 톨루엔 15배 이상)가 매우 우수한 산화물 반도체형 가스센서를 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明提供：具有改进性能的氧化物半导体型气体传感器，其以选择性和高灵敏度敏化甲基苯气体; 及其制造方法。 根据本发明的气体传感器涉及用于感测甲苯气体的气体传感器，其中气敏层由加钯的氧化钴（Co 3 O 4）纳米结构构成。 本发明可以提供一种氧化物半导体型气体传感器，其通过使用Pd添加的Co 3 O 4中空分层纳米结构和蛋黄 - 壳结构，对于二甲苯气体显示出高达150倍或更高的灵敏度，并且对于 甲苯气体的浓度低于5ppm，对甲苯（包括二甲苯和甲苯）（对于二甲苯为30倍或更高，甲苯为15倍或更多，与乙醇气体的敏感性相比）具有极好的选择性检测。

公开(公告)号：WO2017026785A1

公开(公告)日：2017-02-16

申请号：PCT/KR2016/008770

申请日：2016-08-10

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종흔 ,  윤지욱 ,  김준식

IPC: G01N27/12 ,  G01N33/497 ,  B82Y15/00

CPC classification number: G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  G01N33/497

Abstract: 본 발명은 습기 환경에서도 안정적이고 신뢰성 있는 검출능을 나타내는 가스 검출용 복합체, 그 제조방법, 상기 가스 검출용 복합체를 가스 감응층으로 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, SnO 2 , ZnO, WO 3 , NiO 및 In 2 O 3 로 이루어진 군으로부터 선택된 산화물 반도체의 나노구조체; 및 상기 나노구조체에 담지된 CeO 2 첨가제를 포함하는 가스 검출용 복합체, 그 제조방법, 상기 가스 검출용 복합체를 가스 감응층으로 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, CeO 2 가 균일하게 첨가된 산화물 반도체 나노구조체를 사용하여 습기의 존재유무 및 농도에 무관하게 검출대상이 되는 가스에 대해서 높은 감도로 신속한 검출이 가능한 가스 검출용 복합체, 그 제조방법, 상기 가스 검출용 복합체를 가스 감응층으로 포함하는 가스 센서 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于气体检测的复合物，其即使在潮湿环境中也能显示稳定和可靠的检测性能，其制造方法，包含气体检测用复合体作为气体感测层的气体传感器及其制造方法 更具体地，涉及用于气体检测的复合物，其包括：选自由SnO 2，ZnO，WO 3，NiO和In 2 O 3组成的组的氧化物半导体的纳米结构; 以及负载在纳米结构体上的CeO 2添加剂，其制造方法，包含气体检测用复合体作为气体感应层的气体传感器及其制造方法。 本发明提供一种用于气体检测的复合物，其能够通过均匀加入CeO 2的氧化物半导体纳米结构，而不管水分的存在或浓度如何，以高灵敏度快速检测待检测气体; 气体传感器，包括用于气体检测的复合物作为气体感测层; 及其制造方法。

公开(公告)号：WO2017018674A1

公开(公告)日：2017-02-02

申请号：PCT/KR2016/006997

申请日：2016-06-30

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종흔 ,  강윤찬 ,  윤지욱 ,  최승호

IPC: G01N27/40 ,  G01N27/30 ,  C01G1/02 ,  C01B31/02

CPC classification number: C01G1/02 ,  G01N27/30 ,  G01N27/40

Abstract: 본 발명은 나노 기공, 메조 기공 및 마크로 기공이 3차원적으로 상호 연결된 다공성 산화물 반도체, 그 제조방법 및 이를 가스감응물질로 포함하는 가스센서에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는, 1 nm 내지 4 nm 미만의 직경을 갖는 나노 기공; 4 nm 내지 50 nm의 직경을 갖는 메조 기공; 및 100 nm 내지 1 ㎛ 미만의 직경을 갖는 마크로 기공이 3차원적으로 상호 연결된 다공성 산화물 반도체, 그 제조방법 및 이를 가스감응물질로 포함하는 가스센서에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 나노, 메조 및 마크로 기공제어를 통해서 다양한 검출대상 가스에 대해서 초고감도 및 초고속 응답특성을 나타내는 산화물 반도체형 가스센서를 제공할 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种包含三维连接的纳米孔，中孔和大孔的多孔氧化物半导体，其制造方法以及包含该气体传感器的气体传感器，更具体地说，涉及多孔氧化物 半导体及其制造方法以及包含气体敏感物质的气体传感器，所述多孔氧化物半导体包含直径小于1nm〜4nm的纳米孔，直径为4nm〜50nm的中孔，以及大孔 具有小于100nm至1μm的直径以进行三维连接。 根据本发明，提供了一种氧化物半导体型气体传感器，其通过控制纳米孔，中孔和大孔，相对于待检测的各种气体具有超高灵敏度和超高速响应特性。

公开(公告)号：WO2018093235A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：PCT/KR2017/013271

申请日：2017-11-21

Applicant: 고려대학교 산학협력단 ,  주식회사 티엠씨

Inventor： 이종흔 ,  정성용 ,  김태형 ,  윤지욱 ,  안공훈 ,  정귀수

IPC: G01N27/407 ,  G01N27/414

CPC classification number: G01N27/4075 ,  G01N27/4143

Abstract: 본 발명은 산화물 반도체형 가스센서 및 그 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 팔라듐(Pd)이 첨가된 산화주석(SnO 2 ) 난황구조 미분말(Pd-loaded SnO 2 yolk shell spheres)로 이루어진 가스 감응층 상에 산화코발트(Co 3 O 4 ), 산화크롬(Cr 2 O 3 ), 산화망간(MnO 2 ), 산화바나듐(V 2 O 5 ) 중에서 선택되는 1종 이상의 촉매층을 형성함으로써 인체에 악영향을 주는 실내 환경 가스인 벤젠을 고감도, 고선택적으로 검지할 수 있는 가스 센서 및 그 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：WO2014171634A1

公开(公告)日：2014-10-23

申请号：PCT/KR2014/002011

申请日：2014-03-11

Applicant: 고려대학교 산학협력단

Inventor： 이종흔 ,  김효중 ,  윤지욱

IPC: G01N27/12 ,  B82B3/00

CPC classification number: G01N33/0036 ,  G01N27/127

Abstract: 메틸벤젠 가스의 선택적 감응이 가능하도록 크롬(Cr)이 도핑된 산화니켈(NiO)로 이루어진 가스 감응층을 포함하는 가스 센서 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 따른 가스 센서는 가스 감응층이 크롬이 도핑된 산화니켈로 이루어진다. 이러한 가스 센서는 여타 가스에 비해 메틸벤젠 가스에 대한 선택성이 매우 우수하다. 이러한 가스 센서는 본 발명 제조 방법에 따라 다량으로 쉽게 제조할 수 있으며 가스 감응층을 구성하는 물질의 미세구조에 영향을 받지 않는다. 본 발명에서는 가스 확산 및 반응에 유리한 계층 구조의 산화니켈 감응 물질에 크롬을 도핑할 경우, 벤젠, 포름알데히드, 알콜 등에 대한 감도가 무시할 수 있을 만큼 작으면서도, 자일렌, 톨루엔 등의 메틸벤젠 가스에 대해 매우 높은 선택성과 감도를 나타내는 가스 센서가 가능함을 제안한다.

Abstract translation: 提供了一种气体传感器，其包括由掺杂有铬（Cr）的氧化镍（NiO）组成的气敏层，以选择性地检测甲基苯气体。 根据本发明的气体传感器具有由Cr掺杂的NiO组成的气敏层。 与其他气体相比，气体传感器表现出对甲苯气体的优异选择性。 气体传感器可以根据本发明的制造方法容易且大量地生产，并且不受形成气敏层的材料的微观结构的影响。 气体传感器本发明涉及苯，甲醛和醇的灵敏度可忽略不计，并且当具有有利于气体分散和响应的分层结构的NiO传感器材料是具有显着高的甲苯气体如二甲苯和甲苯的选择性和灵敏度时 掺杂Cr。

公开(公告)号：WO2022250261A1

公开(公告)日：2022-12-01

申请号：PCT/KR2022/003754

申请日：2022-03-17

Applicant: 삼성전자 주식회사 ,  고려대학교 산학협력단

Inventor： 김성환 ,  이종흔 ,  임겨레 ,  조영규 ,  문영국 ,  박장표 ,  정용원

IPC: G01N33/00 ,  G01N27/12 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00

Abstract: 본 개시의 다양한 실시예에 따른, 센서는 기판, 상기 기판 상 또는 내부에 패턴화된 나노섬유를 포함하고, 상기 나노섬유는 산화구리 및 산화철구리를 포함하고, 상기 산화철구리의 외곽에 상기 산화구리가 배치될 수 있다. 본 개시의 다양한 실시예에 따른 나노섬유가 포함된 센서를 제조하는 방법은 금속결정, 폴리머, 용매가 포함된 용액을 주사기를 통해 메탈 콜렉터 상에 배치된 기판에 패턴을 가지도록 나노섬유를 배치하는 공정, 상기 기판에 배치된 상기 나노섬유의 상기 폴리머를 분해시키고 상기 금속결정을 산화시키는 상기 기판을 열처리하는 공정을 포함하고, 상기 주사기와 상기 메탈 콜렉터는 서로 직교하는 3축을 따라 이동가능하고, 상기 금속결정은 구리 및 철을 포함하는 질산염을 포함하고, 열처리된 상기 나노섬유는 산화구리 및 산화철구리를 포함하고, 상기 용액에 포함된 상기 금속결정, 상기 폴리머 및 상기 용매의 질량비는 1:10:50일 수 있다.