公开(公告)号：KR101810282B1

公开(公告)日：2017-12-18

申请号：KR1020140082291

申请日：2014-07-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케나가유이치 ,  고모리가츠히코

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/60

CPC classification number: G05B19/418 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76862

Abstract: 본발명은, 종형기판처리장치내에서의 DED 프로세스에있어서, 성막물질을보이드없이매립하는기판처리방법을제공하는것을과제로한다. 복수매의기판을정해진간격으로다단으로유지하는기판유지구를배치할수 있는처리용기와, 상기처리용기내를가열하는히터와, 상기처리용기내에성막가스및 에칭가스를도입하는처리가스도입부와, 상기처리용기내를배기하는배기부를갖는종형기판처리장치와, 상기종형기판처리장치의작동을제어하는제어장치를이용한, 미리정해진요철패턴이형성된기판에대해서제1 성막처리, 제1 에칭처리및 제2 성막처리에의해상기패턴의오목부내에성막물질을매립하는기판처리방법으로서, 상기기판처리방법은, 상기제2 성막처리후에상기성막물질이상기오목부내에보이드없이메워지도록, 상기제1 성막처리의제1 성막시간을포함하는제1 성막조건, 상기제1 에칭처리의제1 에칭시간을포함하는제1 에칭조건, 및상기제2 성막처리의제2 성막시간을포함하는제2 성막조건을, 상기제어장치가산출하는산출공정과, 산출된상기제1 성막조건, 상기제1 에칭조건및 상기제2 성막조건에기초하여, 상기기판에대해서, 상기제1 성막처리, 상기제1 에칭처리및 상기제2 성막처리를실시하는처리공정을포함하는기판처리방법.

Abstract translation: 根据在垂直型基板处理装置中的处理DED本发明，将是零，并用于嵌入的成膜材料没有空隙提供一种基板处理方法。 和与所述处理容器，其可以放置一个衬底保持器用于保持多级将多个基板以预定的间隔，用于加热所述处理容器的内部的加热器，用于在上述处理容器导入成膜气体和蚀刻气体的处理气体导入部， 和具有该排气排出上述处理容器的内部，具有控制装置，用于控制垂直型基板处理装置的动作的纵式基板处理装置中，预定的凹凸图案是第一膜用于在基板形成工序中形成，在第一刻蚀工艺中，和 作为用于通过沉积工艺中，基板处理方法嵌入的图案的凹部中的膜形成材料，所述第二成膜工序之后的第二基板处理方法，以便填充而不会在成膜材料移相器凹部的空隙，所述第一成膜 第一膜形成条件，包括治疗的第一成膜时间，在第一蚀刻条件下，包括在第一蚀刻处理的第一蚀刻时间，并且所述第二膜沉积条件，包括所述第二成膜工序的第二成膜时间 一， 在计算步骤中，第一膜形成条件的计算，在第一蚀刻条件，并且其中所述控制装置计算所述第二膜形成条件下，相对于所述基板，所述第一成膜工序，在第一蚀刻工序和的基础 并执行第二个成膜过程。

公开(公告)号：KR1020150004754A

公开(公告)日：2015-01-13

申请号：KR1020140082291

申请日：2014-07-02

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케나가유이치 ,  고모리가츠히코

IPC: H01L21/3065 ,  C23C16/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/324 ,  H01L21/60

CPC classification number: G05B19/418 ,  C23C16/045 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/32136 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76862 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/324 ,  H01L21/67098 ,  H01L2021/60187

Abstract: 본 발명은, 종형 기판 처리 장치 내에서의 DED 프로세스에 있어서, 성막 물질을 보이드 없이 매립하는 기판 처리 방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
복수 매의 기판을 정해진 간격으로 다단으로 유지하는 기판 유지구를 배치할 수 있는 처리 용기와, 상기 처리 용기 내를 가열하는 히터와, 상기 처리 용기 내에 성막 가스 및 에칭 가스를 도입하는 처리 가스 도입부와, 상기 처리 용기 내를 배기하는 배기부를 갖는 종형 기판 처리 장치와, 상기 종형 기판 처리 장치의 작동을 제어하는 제어 장치를 이용한, 미리 정해진 요철 패턴이 형성된 기판에 대해서 제1 성막 처리, 제1 에칭 처리 및 제2 성막 처리에 의해 상기 패턴의 오목부 내에 성막 물질을 매립하는 기판 처리 방법으로서, 상기 기판 처리 방법은, 상기 제2 성막 처리 후에 상기 성막 물질이 상기 오목부 내에 보이드 없이 메워지도록, 상기 제1 성막 처리의 제1 성막 시간을 포함하는 제1 성막 조건, 상기 제1 에칭 처리의 제1 에칭 시간을 포함하는 제1 에칭 조건, 및 상기 제2 성막 처리의 제2 성막 시간을 포함하는 제2 성막 조건을, 상기 제어 장치가 산출하는 산출 공정과, 산출된 상기 제1 성막 조건, 상기 제1 에칭 조건 및 상기 제2 성막 조건에 기초하여, 상기 기판에 대해서, 상기 제1 성막 처리, 상기 제1 에칭 처리 및 상기 제2 성막 처리를 실시하는 처리 공정을 포함하는 기판 처리 방법.

Abstract translation: 本发明的目的是提供一种在垂直基板处理装置中处理在DED工艺中无空隙的掩模成形材料的基板的方法。 通过第一成膜工艺，第一蚀刻工艺和第二成膜工艺相对于具有凹凸图案的衬底，处理用于将成膜材料掩埋在图案的凹部中的衬底的方法使用：工艺 容器以预定间隔设置用于将多个基板保持多层的基板保持件; 用于加热处理容器内部的加热器; 工艺气体导入部，将成膜气体和蚀刻气体导入到处理容器中; 具有用于排出处理容器内部的排气部的垂直基板处理装置; 以及用于控制垂直基板处理装置的操作的控制器。 该方法包括计算包括第一成膜工艺的第一成膜时间，包括第一蚀刻工艺的第一蚀刻时间的第一蚀刻条件和包括第二成膜时间的第二成膜条件的第一成膜条件 通过控制装置进行第二次成膜处理，使得成膜材料在第二成膜工艺之后没有任何空隙填充在凹陷中; 基于所计算的第一成膜条件，第一蚀刻条件和第二成膜条件，对基板进行第一成膜处理，第一蚀刻处理和第二成膜处理。

公开(公告)号：KR1020130110014A

公开(公告)日：2013-10-08

申请号：KR1020130020286

申请日：2013-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케나가유이치 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/12 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: PURPOSE: A continuous processing system, a continuous processing method, and a computer readable recording medium with a program independently heat heaters to desired temperatures by supplying power through independent power controllers. CONSTITUTION: A heater unit (10) heats inside a processing chamber accommodating multiple objects (W). The heater unit is composed of heaters (11-15) disposed in five stages. Process gas supply pipes (21-23) supply process gas within the processing chamber. Flow rate adjustment units (24-26) adjust the flow rate of process gas flowing through the process gas supply pipes. A control unit (50) outputs a control signal to the flow rate adjustment unit, a pressure adjustment unit (5), power controllers (16-20) of the heaters. [Reference numerals] (50) Control unit

Abstract translation: 目的：连续处理系统，连续处理方法以及具有程序的计算机可读记录介质，通过独立的功率控制器供电来独立地将加热器加热到期望的温度。 构成：加热器单元（10）在容纳多个物体（W）的处理室内加热。 加热器单元由五级设置的加热器（11-15）组成。 工艺气体供应管（21-23）在处理室内提供工艺气体。 流量调节单元（24-26）调节流经工艺气体供给管道的工艺气体流量。 控制单元（50）向流量调节单元输出控制信号，压力调节单元（5），加热器的功率控制器（16-20）。 （附图标记）（50）控制单元

公开(公告)号：KR100809768B1

公开(公告)日：2008-03-04

申请号：KR1020047001794

申请日：2002-08-05

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 사카모토고이치 ,  다케나가유이치 ,  요코타다카시 ,  가와무라가즈히로

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/67253 ,  F27D19/00 ,  H01L21/67098 ,  H01L21/67109 ,  Y10T29/41

Abstract: A thermal processing method selects a batch size range including the number of workpieces to be processed from a plurality of batch size ranges including batch size ranges in which reference numbers smaller than the holding capacity of a workpiece holder are maximums. The workpieces are distributed in the workpiece holder on the basis of the workpiece distribution pattern determined corresponding to the specified batch size range. Processing conditions of the thermal process are determined according to the workpiece distribution pattern. A thermal processing apparatus comprises a controller capable of carrying out the thermal processing method.