公开(公告)号：KR1020040008212A

公开(公告)日：2004-01-28

申请号：KR1020037015945

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈아키 ,  도조유키오 ,  스폴필립 ,  다고겐지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: 열처리장치의 세정처리는, 반응실내를 300℃로 가열하는 가열공정과, 열처리장치의 내부에 부착한 질화규소를 제거하는 세정공정을 구비하고 있다. 세정공정에서는, 300℃로 가열된 반응관내에, 불소가스와 염소가스와 질소가스를 포함하는 클리닝가스를 공급하여, 질화규소를 제거하고 열처리장치의 내부를 세정한다.

公开(公告)号：KR1020010073221A

公开(公告)日：2001-07-31

申请号：KR1020017005220

申请日：2000-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  후지타요시유키 ,  도조유키오 ,  쓰다도시타케

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명의 열처리방법은, 미세한 요철형상을 가진 실리콘막이 표면에 형성되어 있는 피처리체를 처리용기 내에 로드하는 로딩 공정과, PH
3 가스를 도핑 가스로서, 550∼750℃의 온도를 유지하면서, 상기 실리콘막중에 불순물로서 인 원자를 도입하는 도핑공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101565896B1

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：KR1020130020286

申请日：2013-02-26

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 다케나가유이치 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/66 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L22/12 ,  C23C16/24 ,  C23C16/52 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: (과제) 피(被)처리체로의연속처리를용이하게조정할수 있는연속처리시스템, 연속처리방법및, 프로그램을제공한다. (해결수단) 열처리장치(1)의제어부(50)는, 입력된 D-poly막및 a-Si막의목표막두께로부터, 각층의가중치를산출하고, 산출한가중치와활성화에너지에기초하여적층막의활성화에너지를산출한다. 다음으로, 제어부(50)는, 산출한활성화에너지와 D-poly막및 a-Si막의막두께에있어서의각 ZONE의온도와의관계에기초하여적층막의모델을작성하고, 작성한적층막의모델을이용하여 ZONE마다의최적온도를산출한다. 그리고, 제어부(50)는, 히터(11∼15)의전력컨트롤러(16∼20)를제어하여, 반응관(2) 내의온도가산출된각 존의온도로설정함과함께, 압력조정부(5), 유량조정부(24∼26) 등을제어하여, 반도체웨이퍼(W)에적층막을형성한다.

公开(公告)号：KR1020110091456A

公开(公告)日：2011-08-11

申请号：KR1020110009311

申请日：2011-01-31

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/314

CPC classification number: H01L21/02115 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02362 ,  H01L21/0332

Abstract: PURPOSE: A laminating structure forming method and an apparatus for the same are provided to improve adhesion between an underlying layer and amorphous carbon film, thereby enabling to properly utilize for a hard mask which is used as an etching mask. CONSTITUTION: A laminating structure including an amorphous carbon film is formed on an underlying layer(2). A first-ply layer(3) including a Si-C bond is formed on a surface of the underlying layer. An organic silicone gas is supplied on the underlying layer. The amorphous carbon film(4) is formed as a thermal film on the underlying layer in which the first-ply layer is formed. A deposition gas including a hydrocarbon compound gas is supplied to the underlying layer.

Abstract translation: 目的：提供层叠结构形成方法及其装置，以提高下层和非晶碳膜之间的粘附性，从而能够适用于用作蚀刻掩模的硬掩模。 构成：在下层（2）上形成包括无定形碳膜的层压结构。 在下层的表面上形成包含Si-C键的第一层（3）。 在底层上提供有机硅气。 无定形碳膜（4）在其上形成第一层的下层形成热膜。 包括烃化合物气体的沉积气体被供应到下层。

公开(公告)号：KR101408063B1

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：KR1020130100355

申请日：2013-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: 아몰퍼스 카본막을 포함하는 구조를 형성하는 배치 처리 방법은, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내를 800℃∼950℃의 예비 처리 온도로 가열함과 함께 반응실 내에 질소 가스 및 암모니아 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 예비 처리 가스를 공급하여 하지층의 표면으로부터 물을 제거하는 예비 처리를 행하는 공정과, 다음으로, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내를 주(主) 처리 온도로 가열함과 함께 반응실 내에 탄화수소 가스를 공급하여 하지층 상에 아몰퍼스 카본막을 성막하는 주(主) CVD를 행하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR101326704B1

公开(公告)日：2013-11-08

申请号：KR1020100052663

申请日：2010-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: 아몰퍼스 카본막을 포함하는 구조를 형성하는 배치 처리 방법은, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내를 800℃∼950℃의 예비 처리 온도로 가열함과 함께 반응실 내에 질소 가스 및 암모니아 가스로 이루어지는 군으로부터 선택된 예비 처리 가스를 공급하여 하지층의 표면으로부터 물을 제거하는 예비 처리를 행하는 공정과, 다음으로, 반응실 내를 배기하면서, 반응실 내를 주(主) 처리 온도로 가열함과 함께 반응실 내에 탄화수소 가스를 공급하여 하지층 상에 아몰퍼스 카본막을 성막하는 주(主) CVD를 행하는 공정을 구비한다.

公开(公告)号：KR1020070117005A

公开(公告)日：2007-12-11

申请号：KR1020077027864

申请日：2002-02-20

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 니시무라가즈아키 ,  도조유키오 ,  스폴필립 ,  다고겐지

IPC: H01L21/20

CPC classification number: C23C16/4405

Abstract: A thermal treatment apparatus cleaning method includes a heating step to heat a reaction chamber up to 300 °C and a cleaning step to remove silicon nitride from an inner portion of the thermal treatment apparatus. In the cleaning step, a reaction tube heated up to 300°C is filled with a cleaning gas containing fluorine gas, chlorine gas, and nitrogen gas and silicon nitride is removed, thereby cleaning the inner portion of the thermal treatment apparatus.

Abstract translation: 热处理装置的清洗方法包括：将反应室加热至300℃的加热工序，以及从热处理装置的内部除去氮化硅的清洗工序。 在清洗工序中，将加热至300℃的反应管填充有含氟气体，氯气，氮气的清洗气体，除去氮化硅，清洗热处理装置的内部。

公开(公告)号：KR1020130106800A

公开(公告)日：2013-09-30

申请号：KR1020130100355

申请日：2013-08-23

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/312

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: PURPOSE: A batch processing method for forming a structure including an amorphous carbon film and a computer-readable recording medium are provided to improve the flatness of a film surface by including an underlying layer. CONSTITUTION: A ceiling is formed on the top of a reaction tube. A cover (6) is arranged on the bottom of the reaction tube. The cover is vertically moved by a boat elevator. A rotary shaft (12) is installed on the bottom of a rotary table. The rotary shaft is connected to a rotating device (13). [Reference numerals] (100) Control unit

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成包括非晶碳膜和计算机可读记录介质的结构的批处理方法，以通过包括下层来改善膜表面的平坦度。 构成：在反应管的顶部形成天花板。 在反应管的底部布置有盖（6）。 船盖电梯垂直移动。 旋转轴（12）安装在旋转台的底部。 旋转轴连接到旋转装置（13）。 （附图标记）（100）控制单元

公开(公告)号：KR1020100130968A

公开(公告)日：2010-12-14

申请号：KR1020100052663

申请日：2010-06-04

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 오카다미츠히로 ,  도조유키오

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC classification number: H01L21/3146 ,  C23C16/0209 ,  C23C16/0272 ,  C23C16/26 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/02304 ,  H01L21/02312

Abstract: PURPOSE: A batch processing method for forming structure including amorphous carbon film is provided to manufacture a structure including a wiring and an electrode contacting the semiconductor device on a target object by forming a semiconductor layer, an insulation layer, and a conductive layer with the predetermined pattern on the target object. CONSTITUTION: A ceiling(3) formed in cone shape is installed on the top of a reaction tube(2). An exhaust pipe(4) for discharging the gas within the reaction tube is installed on the center of the ceiling. An exhausting unit(GE) is connected to the exhaust pipe through the hermetic exhaust pipe(5). A cover body(6) is arranged on the bottom of the reaction tube.

Abstract translation: 目的：提供一种用于形成包括非晶碳膜的结构的批处理方法，以通过形成半导体层，绝缘层和具有预定的导电层的导电层来制造包括布线和与目标物体上的半导体器件接触的电极的结构 目标物体上的图案。 构成：在反应管（2）的顶部安装有锥形形状的天花板（3）。 用于将反应管内的气体排出的排气管（4）安装在天花板的中心。 排气单元（GE）通过密封排气管（5）连接到排气管。 盖体（6）布置在反应管的底部。

公开(公告)号：KR100662929B1

公开(公告)日：2006-12-28

申请号：KR1020017005220

申请日：2000-08-24

Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤

Inventor： 가토히토시 ,  후지타요시유키 ,  도조유키오 ,  쓰다도시타케

IPC: H01L21/324

Abstract: 본 발명의 열처리방법은, 미세한 요철형상을 가진 실리콘막이 표면에 형성되어 있는 피처리체를 처리용기 내에 로드하는 로딩 공정과, PH
3 가스를 도핑 가스로서, 550∼750℃의 온도를 유지하면서, 상기 실리콘막중에 불순물로서 인 원자를 도입하는 도핑공정을 구비한다.

Abstract translation: 本发明的热处理方法包括：装载步骤，将其表面上形成有微细不规则形状的硅膜加工到处理容器中的待处理物体;