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公开(公告)号:KR1020040047948A
公开(公告)日:2004-06-05
申请号:KR1020047005962
申请日:2002-11-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이비덴 가부시키가이샤 , 가부시끼가이샤 도시바
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2862 , G01R1/0433 , G01R1/0491 , G01R31/2831 , G01R31/286 , G01R31/2865 , G01R31/2867 , G01R31/287 , G01R31/2886
Abstract: 본 발명의 신뢰성 시험 장치(10)는, 웨이퍼 W에 형성된 다수의 디바이스 각각의 전극 패드와 콘택터(11)의 범프를 전기적으로 일괄 접촉한 상태에서 수납하는 웨이퍼 수납부(12)를 구비한다. 이 웨이퍼 수납부(12)는 측정부(15)와의 사이에서 시험용 신호를 수수하고, 기밀, 단열 구조이다. 웨이퍼 수납부(12)에는, 콘택터(11)를 압압하는 압압 기구(13)와, 콘택터(11)와 일괄 접촉한 웨이퍼 W를 소정의 고온으로 직접 가열하는 가열 기구(14)를 가지며, 가속 조건 하에서 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 배선막, 절연막의 신뢰성을 평가한다.
Abstract translation: 本发明的可靠性评估测试装置(10)包括晶片存储部分(12),该晶片存储部分(12)以晶片(W)的形式存储晶片(W),其中形成在晶片上的多个器件的电极焊盘和接触器 )完全相互电接触。 晶片收纳部(12)向测定部(15)收发测试信号,具有密闭隔热结构。 晶片收纳部12具有按压接触器11的加压机构13和直接将与接触器11接触的晶片W直接加热到规定的高温的加热机构14, 。 在加速条件下评估在半导体晶片上形成的互连膜和绝缘膜的可靠性。 <图像>
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公开(公告)号:KR1020040013001A
公开(公告)日:2004-02-11
申请号:KR1020037017144
申请日:2003-02-27
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 다케코시기요시
IPC: H01L21/301
CPC classification number: H01L21/67132 , B28D5/0082 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L2221/68322 , H01L2221/68327
Abstract: 다이싱 방법, 집적 회로 소자의 검사 방법, 기판 유지 장치 및 점착 필름이 개시되어 있다. 웨이퍼 사이즈보다도 큰 링 형상의 프레임(21)의 내측에, 예컨대 자외선에 의해 점착성이 작아지는 제 1 점착 필름(22)을 전장하고, 이 위에 웨이퍼(W)를 부착한다. 그리고, 판 형상의 지그(3)상에 양면의 점착성이 가열에 의해 작아지는 제 2 점착 필름(4)을 부착하고, 상기 필름상에 상기 제 1 필름을 부착하며, 그 후 다이싱을 실행한다. 이 경우, 웨이퍼는 지그에 부착된 상태로 되기 때문에 각 칩의 상대 위치가 어긋나지 않는다. 따라서 지그마다 검사 장치로 반입하여 칩의 전극 패드와 프로브의 위치맞춤이 가능하기 때문에, 예컨대 복수의 칩에 대하여 일괄적으로 검사를 실행할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020010024959A
公开(公告)日:2001-03-26
申请号:KR1020007010643
申请日:2000-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 콘택터의 유지 기구와, 상기 콘택터의 유지 기구를 포함하는 콘택터의 자동 교환 기구가 개시되어 있다. 콘택터의 유지 기구는 퍼포먼스 보드(P)에 고정된 프레임 본체(11)와, 상기 프레임 본체의 내측에 상기 콘택터를 유지하기 위한 복수의 래치 기구(13)와, 상기 래치 기구에 의해 유지된 상기 콘택터를 진공 흡착력에 의해 상기 프레임 본체내에 고정하기 위한 흡착 고정 기구(14)를 포함한다. 콘택터의 자동 교환 기구는 콘택터를 착탈 가능하게 유지하는 유지 기구(10)와, 이 유지 기구와의 사이에서 콘택터(12)의 교환을 실행하는 교환 기구(16)를 포함한다. 교환 기구는 콘택터(12)를 흡착 유지하는 흡착 유지부(17)와, 이 흡착 유지부를 선단 부분에 가짐과 동시에 선회 및 승강 가능한 아암(18)과, 이 아암(18)을 선회 및 승강시키는 아암 구동부(19)를 갖고 있다.
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公开(公告)号:KR101132904B1
公开(公告)日:2012-04-03
申请号:KR1020100136160
申请日:2010-12-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 수가 타다토모 , 이토 도시히로
CPC classification number: G01R31/2891 , G01R1/067 , G01R1/06794 , G01R3/00 , G01R31/2886
Abstract: 본 발명은 검사용 전극(P)에 검사용 프로브(12A)를 전기적으로 접촉시켜서 디바이스의 전기적 특성 검사를 실시하는 검사 방법에 있어서, 프리팅 현상을 이용하여 검사용 전극(P)의 절연피막(O)을 파괴하고, 검사용 프로브(12A)와 검사용 전극(P)을 전기적으로 접촉시키는 콘택트 공정이 개시되어 있다.
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公开(公告)号:KR100618747B1
公开(公告)日:2006-08-31
申请号:KR1020010007206
申请日:2001-02-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 다케코시기요시
IPC: G01L5/00
CPC classification number: G01R31/2887 , G01R1/06794 , Y10S414/136
Abstract: 본 발명은 웨이퍼가 탑재된 웨이퍼 척이 승강기구에 의해서 오버드라이브된 상태로, 웨이퍼상에 형성된 피검사체의 전기적 특성을 검사하는 방법에 있어서, 프로브 카드의 복수의 프로브가 웨이퍼 척에 인가하는 침 하중(needle load)에 의해서 웨이퍼 척(11)의 침하량(sinking amount)을 측정한다. 이 침하량으로부터 인가된 침 하중을 구하는 침 하중 측정 방법, 침 하중 설정 방법 및 침 하중 검지기구에 관한 것이다.
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公开(公告)号:KR1020060043635A
公开(公告)日:2006-05-15
申请号:KR1020050021306
申请日:2005-03-15
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
CPC classification number: G01R31/2862 , G01R31/2891
Abstract: 진공 프로브 장치(1)는 프로버실(11)의 상부에 헤드 플레이트(12)가 배치된다. 프로버실(11)내에 있어서, 프로브 카드(13)의 하방에 배치된 스테이지(14), 상기 스테이지(14)를 적어도 Z 방향으로 승강시키기 위한 제 1 이동 기구(14a), 바닥부(15a) 및 측부(15b)를 구비하는 오목 형상 챔버(15), 밀폐 부재[(12)12a]를 구비한다. 하부 카메라(17), 상부 카메라(19) 및 스테이지(14)를 조작함으로써, 조정용 데이터를 입수한다. 오목 형상 챔버(15)는, 그 측부(15b)의 상단부가 밀폐 부재[12(12a)]의 하면에 밀착되고, 진공 기구(18)가 그 내부를 배기함으로써, 진공 챔버(15")가 형성된다. 이 챔버(15")는 소용적이기 때문에, 진공 배기에 필요한 시간을 단축할 수 있다.
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公开(公告)号:KR100563343B1
公开(公告)日:2006-03-22
申请号:KR1020007010643
申请日:2000-01-28
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
IPC: H01L21/66
Abstract: 접촉자의 유지 기구와, 상기 접촉자의 유지 기구를 포함하는 접촉자의 자동 교환 기구가 개시되어 있다. 접촉자의 유지 기구는 퍼포먼스 보드(P)에 고정된 프레임 본체(11)와, 상기 프레임 본체의 내측에 상기 접촉자를 유지하기 위한 복수의 래치 기구(13)와, 상기 래치 기구에 의해 유지된 상기 접촉자를 진공 흡착력에 의해 상기 프레임 본체내에 고정하기 위한 흡착 고정 기구(14)를 포함한다. 접촉자의 자동 교환 기구는 접촉자를 탈착 가능하게 유지하는 유지 기구(10)와, 이 유지 기구와의 사이에서 접촉자(12)의 교환을 실행하는 교환 기구(16)를 포함한다. 교환 기구는 접촉자(12)를 흡착 유지하는 흡착 유지부(17)와, 이 흡착 유지부를 선단 부분에 가지는 동시에 선회 및 승강 가능한 아암(18)과, 이 아암(18)을 선회 및 승강시키는 아암 구동부(19)를 갖고 있다.
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公开(公告)号:KR100330844B1
公开(公告)日:2002-06-20
申请号:KR1019980001716
申请日:1998-01-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 다케코시기요시
IPC: H01L21/304
Abstract: 본 발명의 프로브 장치는 피검사체가 탑재되어, 회전 및 수평 수직 이동이 가능한 탑재대와, 탑재대의 상측에 배치되어 피검사체의 전기적 검사를 실행하기 위하여 탑재대상에 탑재된 피검사체에 접촉되는 프로브 침과, 탑재대에 마련되어 프로브 침을 연마하는 연마체가 탑재된 연마체 탑재부와, 연마체를 수납하는 수납 기구와, 수납 기구와 연마체 탑재부 사이에서 연마체를 반송하는 반송 기구를 구비하고 있다.
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公开(公告)号:KR1020020015294A
公开(公告)日:2002-02-27
申请号:KR1020010050240
申请日:2001-08-21
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 , 이토 도시히로 , 수가 타다토모
IPC: G01N27/30
CPC classification number: G01R31/2891 , G01R1/067 , G01R1/06794 , G01R3/00 , G01R31/2886
Abstract: PURPOSE: An inspection method and inspection apparatus are provided to reduce needle pressure applied by a probe to a measuring electrode. CONSTITUTION: An inspection apparatus(10) includes a power source circuit applying voltage to a part of an insulating film formed on an inspection electrode(P) of a target object(W) so as to form a predetermined potential gradient causing fritting phenomenon in the insulating film to break a part of the insulating film and formed in at least a part of the insulating film; inspecting probes(12A,12B) electrically contacting with a surface of a part of the inspection electrode, whose insulating film is broken by fritting phenomenon; and a tester(13) connected to the inspecting probes so as to inspect electrical properties of the target object to be inspected.
Abstract translation: 目的:提供一种检查方法和检查装置,以将探针施加的针压减小到测量电极。 构成:检查装置(10)包括对形成在目标物体(W)的检查电极(P)上的绝缘膜的一部分施加电压的电源电路,以形成预定的电位梯度,从而在 绝缘膜,以破坏绝缘膜的一部分并形成在绝缘膜的至少一部分中; 检查探针(12A,12B)与检查电极的一部分的表面电接触,其绝缘膜由于烧结现象而被破坏; 以及与检查用探针连接的检查器(13),以检查被检查体的电气特性。
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公开(公告)号:KR1020010082618A
公开(公告)日:2001-08-30
申请号:KR1020010007206
申请日:2001-02-14
Applicant: 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Inventor: 다케코시기요시
IPC: G01L5/00
CPC classification number: G01R31/2887 , G01R1/06794 , Y10S414/136
Abstract: PURPOSE: To solve such a problem that needle load is too small and the contact inferiority of a wafer W and a probe 19A is generated according to circumstances because inspection is performed in constant overdrive quantity until inspection is completed even if there is thermal deformation in the mother board of a probe card 9 by the effect of the heat generated in the wafer W during inspection if overdrive quantity is once set. CONSTITUTION: In a method for measuring needle load generated when the electrical characteristics of the wafer W are inspected by overdriving a wafer chuck 11 on which the wafer W is placed through the ball screw 12 and nut member 13 connected to a motor to bring the wafer W into contact with the probe 19A, a process for preliminarily calculating the relation between the needle load applied to the wafer chuck 11 and the sink quantity δ of the wafer chuck due to the needle load, a process for calculating the sink quantity δof the wafer chuck due to the needle load and process for calculating the needle load from the sink quantity δ are provided.
Abstract translation: 目的:为了解决针负载太小的问题,并且由于在恒定的过驱动量下进行检查,因此即使在检查完成之后,即使存在热变形,也可以根据情况生成晶片W和探针19A的接触不良 通过在检查期间在晶片W中产生的热量的影响的探针卡9的母板,如果过驱动量一旦设定。 构成:在通过过滤驱动通过滚珠丝杠12放置晶片W的晶片卡盘11和连接到马达的螺母构件13来检查晶片W的电特性而产生的针状负载的测量方法中,以使晶片W W与探针19A接触,用于预先计算施加到晶片卡盘11的针头负载与由于针头负载引起的晶片卡盘的吸收量δ之间的关系的处理,用于计算晶片的吸收量δ的处理 提供了由于针的负载引起的卡盘以及从吸收量δ计算针头负载的处理。
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