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公开(公告)号:KR1020060119520A
公开(公告)日:2006-11-24
申请号:KR1020050042609
申请日:2005-05-20
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03H3/007
Abstract: A composite device comprising an FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) filter and an IPD(Integrated Passive Device) is provided to be appropriate for compactness and light weight of a mobile communication terminal and to realize desired characteristics of the terminal easily, by implementing a filter and a matching circuit adopted in an RF circuit part of the terminal as one chip including the FBAR and the IDT. A composite device includes a substrate(1), at least one FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator) filter(100) formed on one region of an upper plane of the substrate, and an IPD(Integrated Passive Device)(200) including at least one capacitor and at least one inductor connected electrically each other. The inductor or the capacitor is connected to the FBAR filter electrically. The substrate is a glass substrate.
Abstract translation: 提供了包括FBAR(Film Bulk Acoustic Resonator)滤波器和IPD(Integrated Passive Device,综合无源设备)的组合装置,以便于移动通信终端的紧凑性和重量轻,并且通过实现滤波器来实现终端的期望特性 以及在终端的RF电路部分中采用的匹配电路作为包括FBAR和IDT的一个芯片。 复合装置包括基板(1),形成在基板的上平面的一个区域上的至少一个FBAR(薄膜体积声谐振器)滤波器(100)和至少包括至少一个的IPD(集成无源设备) 一个电容器和至少一个电感器相互连接。 电感器或电容器电连接到FBAR滤波器。 基板是玻璃基板。
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公开(公告)号:KR1019990000081A
公开(公告)日:1999-01-15
申请号:KR1019970022744
申请日:1997-06-02
Applicant: 삼성전기주식회사
Inventor: 배효근
IPC: H04B1/06
Abstract: 본 발명은 통신단말기에서의 수신신호 스위칭회로에 관한 것으로, 특히 통신단말기에서 감지된 수신전계강도에 따라 증폭앞단에서 수신신호를 스위칭시키며, 약전계시 수신신호를 증폭시키고, 강전계시 수신신호를 그대로 통과시킴으로써, 단말기의 사이즈를 감소시킬 수 있으며, 생산단가를 저렴화시키도록 한 통신단말기에서의 수신신호 스위칭회로에 관한 것이다.
본 발명에서는 강전계일 경우에는 증폭하지 않으며, 약전계일 경우에만 수신신호를 증폭하도록 함으로써, 종래와 같이 강전계일 경우에 증폭한 수신신호를 다시 감쇠시켜야 할 필요가 없으므로, 종래에 사용하는 감쇠부 및 스위치를 설치하지 않아도 되며, 약전계와 강전계에서 통신단말기가 효율적으로 동작함으로서, 단말기가 수용할 수 있는 전계범위가 넓어지게 된다.-
公开(公告)号:KR101452072B1
公开(公告)日:2014-10-16
申请号:KR1020120151457
申请日:2012-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H04B1/48
CPC classification number: H03K17/16 , H03K17/162 , H03K17/693
Abstract: 본 발명은 고주파 스위치 회로에 관한 것으로, 제1 신호 포트에 접속된 제1 노드와, 공통 포트에 접속된 공통 노드와의 사이에 연결되어, 로우레벨 또는 하이레벨을 갖는 제1 제어 신호에 의해 동작되는 제1 스위치 회로부와, 제2 신호 포트에 접속된 제2 노드와 상기 공통 노드와의 사이에 연결되어, 상기 제1 제어신호와의 역위상을 갖는 제2 제어 신호에 의해 동작되는 제2 스위치 회로부와, 상기 제2 노드와 공통 소스 노드와의 사이에 연결되어, 상기 제1 제어 신호에 의해 동작되는 제1 션트 회로부와, 상기 제1 노드와 공통 소스 노드와의 사이에 연결되어, 상기 제2 제어 신호에 의해 동작되는 제2 션트 회로부와, 상기 공통 소스 노드에 제공할 소스 전압을 생성하는 소스 전압 생성부를 포함하고, 상기 소스 전압은 상기 제1 제어 신호의 하이레벨 미만이고, 접지 전위를 초과할 수 있다.
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公开(公告)号:KR1020140081564A
公开(公告)日:2014-07-01
申请号:KR1020120151457
申请日:2012-12-21
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H03K17/687 , H04B1/48
CPC classification number: H03K17/16 , H03K17/162 , H03K17/693
Abstract: The present invention relates to a high frequency switch circuit comprising a first switch circuit unit connected between a first node connected to a first signal port and a common node connected to a common port and operated by a first control signal having a low level or a high level; a second switch circuit unit connected between a second node connected to a second signal port and the common node and operated by a second control signal having an opposed phase with respect to the first control signal; a first shunt circuit unit connected between the second node and a common source node and operated by the first control signal; a second shunt circuit unit connected between the first node and the common source node and operated by the second control signal; and a source voltage generating unit generating a source voltage to be provided to the common source node, wherein the source voltage has a level lower than a high level of the first control signal and exceeding a ground potential.
Abstract translation: 高频开关电路技术领域本发明涉及一种高频开关电路,包括连接在连接到第一信号端口的第一节点和连接到公共端口的公共节点之间并由具有低电平或高电平的第一控制信号操作的第一开关电路单元 水平; 连接在连接到第二信号端口的第二节点和公共节点之间并由具有相对于第一控制信号的相对相位的第二控制信号操作的第二开关电路单元; 连接在第二节点和公共源节点之间并由第一控制信号操作的第一分流电路单元; 连接在第一节点和公共源节点之间并由第二控制信号操作的第二分流电路单元; 以及源电压生成单元,其生成要提供给所述公共源节点的源极电压,其中所述源极电压具有低于所述第一控制信号的高电平的电平并且超过地电位。
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公开(公告)号:KR1020120069527A
公开(公告)日:2012-06-28
申请号:KR1020110087274
申请日:2011-08-30
Applicant: 삼성전기주식회사
IPC: H01L29/78 , H03K17/693 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/1075 , H01L29/0653 , H01L29/10 , H01L29/772 , H01L29/7802 , H03K17/693
Abstract: PURPOSE: A high frequency semiconductor switch is provided to reduce an insertion loss by uniformly distributing a voltage in gate wiring. CONSTITUTION: Drain wiring(70) is extended in parallel to source wiring(60). A gate has a parallel part. The parallel part is extended in parallel to the source wiring and the drain wiring. Gate wiring(80) applies a voltage to a gate. A gate via(82) electrically connects the gate and the gate wiring.
Abstract translation: 目的:提供高频半导体开关,通过均匀分布栅极布线中的电压来减少插入损耗。 构成:漏极布线(70)与源极布线(60)并联延伸。 门有一个平行的部分。 并联部分与源极布线和漏极布线并联延伸。 栅极布线(80)向栅极施加电压。 栅极通孔(82)电连接栅极和栅极布线。
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公开(公告)号:KR101153601B1
公开(公告)日:2012-06-15
申请号:KR1020090113233
申请日:2009-11-23
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H03F3/245 , H03F1/0205 , H03F3/193 , H03F3/3022 , H03F3/3044 , H03F3/45179 , H03F2200/222 , H03F2200/318 , H03F2200/387 , H03F2200/408 , H03F2200/451 , H03F2203/45481 , H03F2203/45621
Abstract: 본 발명은 RF 입력 신호의 DC 전류에 의한 전력 소모를 제거하여 전력 효율을 증가시킬 수 있는 전력 증폭기에 관한 것으로, 입력 신호를 인버터 방식으로 증폭시켜 상기 입력 신호의 직류 성분을 제거하는 인버터 증폭부와, 상기 인버터 증폭부로부터의 증폭된 신호의 전달 경로를 임피던스 매칭하는 임피던스 매칭부와, 상기 임피던스 매칭부로부터의 정합된 신호를 사전에 설정된 이득으로 증폭하는 증폭부를 포함하는 것을 특징으로 하는 전력 증폭기를 제공한다.
전력 증폭기(Power Amplifier), 이동 통신 단말기(Mobile Telecommunication Terminal), 효율(Efficiency)-
公开(公告)号:KR101095145B1
公开(公告)日:2011-12-16
申请号:KR1020090126258
申请日:2009-12-17
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 전력 증폭 모듈의 검사 장치에 관한 것으로, 제1 전력 증폭 모듈과 제2 전력 증폭 모듈로부터 고주파 신호를 입력받는 제1 스위치와, 기본 고주파 신호를 제거하는 제1 고역 통과 필터; 제1 스위치에서 연결된 제2 스위치; 제1 전력 증폭 모듈과 제2 전력 증폭 모듈로부터 저주파 신호를 입력받는 제3 스위치와, 기본 저주파 신호를 제거하는 제2 고역 통과 필터; 제3 스위치에서 연결된 제4 스위치를 포함하며, 동시에 2개의 전력 증폭 모듈을 검사할 수 있어 생산 효율을 향상시킨다.
전력 증폭기, 성능 검사, 스위치, 스펙트럼 분석, 듀얼밴드 송신기Abstract translation: 本发明中,所述第一功率放大器模块和第二第一高通滤波器的第一开关,用于从所述功率放大模块,接收该射频信号,以去除与所述功率放大器模块的检测装置的主高频信号; 连接在第一开关上的第二开关; 第三开关,用于接收来自第一功率放大模块和第二功率放大模块的低频信号;第二高通滤波器,用于去除基本低频信号; 并且可以检测连接在第三开关上的第四开关,同时检查两个功率放大模块,从而提高生产效率。
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公开(公告)号:KR101059628B1
公开(公告)日:2011-08-25
申请号:KR1020090108709
申请日:2009-11-11
Applicant: 삼성전기주식회사
Abstract: 본 발명은 배선 간섭이 억제된 송신 모듈에 관한 것으로, RFIC 칩에서 입력되는 신호를 증폭하여 출력하는 전력 증폭 모듈; 저역 통과 필터와 매칭 회로로 이루어진 한쌍의 집적형 수동소자; 및 상기 집적형 수동소자를 둘러싸도록 형성되고 상기 전력 증폭 모듈과 상기 집적형 수동소자의 전기적 접속을 제공하는 도체 패턴을 구비한 프레임 기판을 포함하며, 배선 간섭을 억제하여 신호 열화를 방지할 수 있다.
전력 증폭기, 송신 모듈, 간섭, IPD, Integrated Passive DeviceAbstract translation: 本发明涉及抑制了互连干扰的发送模块,包括用于放大和输出从RFIC芯片输入的信号的功率放大模块; 一对集成无源元件,包括低通滤波器和匹配电路; 以及框架基板,其形成为包围所述一体化无源元件并且具有用于在所述功率放大模块和所述一体化无源元件之间提供电连接的导体图案,并且可以通过抑制布线干扰来防止信号恶化 。
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公开(公告)号:KR1020110069499A
公开(公告)日:2011-06-23
申请号:KR1020090126258
申请日:2009-12-17
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: G01R31/01 , G01R1/02 , G01R23/165 , H03F3/20
Abstract: PURPOSE: A testing device of a power amplification module is provided to improve production efficiency by testing the performance of two power amplification modules using two switches, two couplers, and two high pass band filters. CONSTITUTION: A first switch(130a) receives high frequency signals from a first power amplification module(110a) and a second power amplification module(110b) and selectively output one signal. A first high pass filter(150a) outputs the high frequency signal to the harmonic high frequency signal input port of a spectrum analysis device. A first coupler(140a) outputs the signal inputted from the first switch to a basic high frequency signal input port of the spectrum analysis device. The first coupler samples a part of the signal inputted from the first switch and outputs the sampled signal to the first high pass filter. A second switch(130b) receives a low frequency signal from the first power amplification module and the second power amplification module and selectively outputs one signal. A second high pass filter(150b) outputs the low frequency signal to the harmonic low frequency signal input port of the spectrum analysis device. A second coupler(140b) samples a part of the signal inputted from the second switch and outputs the sampled signal to a second high pass filter.
Abstract translation: 目的:提供功率放大模块的测试装置,通过使用两个开关,两个耦合器和两个高通带滤波器测试两个功率放大模块的性能来提高生产效率。 构成:第一开关(130a)从第一功率放大模块(110a)和第二功率放大模块(110b)接收高频信号,并选择性地输出一个信号。 第一高通滤波器(150a)将高频信号输出到频谱分析装置的谐波高频信号输入端口。 第一耦合器(140a)将从第一开关输入的信号输出到频谱分析装置的基本高频信号输入端口。 第一耦合器对从第一开关输入的信号的一部分进行采样,并将采样信号输出到第一高通滤波器。 第二开关(130b)从第一功率放大模块和第二功率放大模块接收低频信号并有选择地输出一个信号。 第二高通滤波器(150b)将低频信号输出到频谱分析装置的谐波低频信号输入端口。 第二耦合器(140b)对从第二开关输入的信号的一部分进行采样,并将采样信号输出到第二高通滤波器。
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公开(公告)号:KR1020110054635A
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:KR1020090111365
申请日:2009-11-18
Applicant: 삼성전기주식회사
CPC classification number: H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/85439 , H01L2224/85444
Abstract: PURPOSE: A lead frame is provided to improve reliability by enhancing combination between the lead frame and a molding compound. CONSTITUTION: A lead frame(100) includes a die pad(110) and a plurality of leads. The die pad mounts a semiconductor chip. The plurality of leads are formed around the die pad to be electrically connected to the semiconductor chip mounted on the die pad. A bonding island(112) is formed on the die pad for a wire bonding. The bonding island is an Ag or Au plating layer with a preset area.
Abstract translation: 目的:提供引线框架,通过增强引线框架和模塑料之间的组合来提高可靠性。 构成:引线框架(100)包括管芯焊盘(110)和多个引线。 芯片安装半导体芯片。 多个引线形成在芯片焊盘周围,以电连接到安装在芯片焊盘上的半导体芯片。 在用于引线接合的芯片焊盘上形成接合岛(112)。 接合岛是具有预设面积的Ag或Au镀层。
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