公开(公告)号：KR1019980078105A

公开(公告)日：1998-11-16

申请号：KR1019970015531

申请日：1997-04-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강창석

IPC: H01L27/108

Abstract: 반도체 장치의 커패시터 제조방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 반도체 기판 상에 콘택홀을 갖는 제1 도전층 패턴 및 식각정지막 패턴을 형성한 후 상기 식각정지막 패턴을 덮도록 상기 반도체 기판의 전면에 층간절연막을 형성한다. 이어서, 상기 식각정지막 패턴을 식각정지막으로 상기 층간절연막을 식각함으로써 상기 제1 도전층 패턴들 사이에 층간절연막 패턴을 형성한다. 다음에, 상기 식각정지막 패턴을 제거한 후, 상기 제1 도전층 패턴 및 층간절연막 패턴이 형성된 반도체 기판의 전면에 유전체막 및 제2 도전층을 형성한다. 본 발명의 반도체 장치의 커패시터 제조방법은 배리어막 패턴이 유전체막 형성시 산화되지 않기 때문에 콘택저항의 증가를 억제할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980006312A

公开(公告)日：1998-03-30

申请号：KR1019960021856

申请日：1996-06-17

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강창석

IPC: H01L27/108

公开(公告)号：KR1019970018567A

公开(公告)日：1997-04-30

申请号：KR1019950031038

申请日：1995-09-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강창석

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/8242

Abstract: 본 발명은 반도체장치의 제조방법에 관한 것으로서, 단차피복성을 개선시키는 커패시터 제조방법에 관해 개시한다. 본 발명의 커패시터 제조방법은 반도체기판 상에 트랜지스터를 형성하는 단계, 상기 트랜지스터가 형성된 반도체기판 전면에 상기 트랜지스터의 소오스상에 형성된 콘택홀을 갖는 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 콘택홀을 매립하면서 상기 층간절연막 전면에 하부 스토리지 노드를 형성하는 단계, 상기 하부 스토리지 노드 전면에 유전체막을 형성하는 단계, 상기 유전체막 전면을 에치백 하는 단계 및 상기 에티백된 유전체막 전면에 상부 스토리지 노드를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 하부 스토리지 노드의 측벽과 상부에 형성되는 유전체막의 두께를 같도록 형성할 수 있으므로 상부막의 얇음에 따른 누설전류의 증가 및 상부 두께(Toxeq.)의 증가를 방지할 수 있다.

公开(公告)号：KR100104836B1

公开(公告)日：1996-09-16

申请号：KR1019920014195

申请日：1992-08-07

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기원 ,  강창석

IPC: H01L27/04

公开(公告)号：KR1019960010001B1

公开(公告)日：1996-07-25

申请号：KR1019920016203

申请日：1992-09-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강창석 ,  권기원 ,  박태서 ,  선용빈

IPC: H01L27/10

Abstract: The method comprises forming a 1st electrode and a oxide film on the 1st electrode at 600-800deg.C; depositing a dielectric layer of metal oxide; annealing the dielectric layer under O3 atmosphere at 200-300deg.C; and forming 2nd electrode on the dielectric layer.

Abstract translation: 该方法包括在600-800℃下在第一电极上形成第一电极和氧化膜; 沉积金属氧化物介电层; 在氧气氛下在200-300℃下退火介电层; 以及在所述电介质层上形成第二电极。

公开(公告)号：KR100093099B1

公开(公告)日：1995-12-19

申请号：KR1019930000963

申请日：1993-01-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기원 ,  강창석

IPC: H01L27/04

公开(公告)号：KR1019930011231A

公开(公告)日：1993-06-24

申请号：KR1019910020631

申请日：1991-11-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 권기원 ,  강창석 ,  김영욱

IPC: H01L27/10

Abstract: 내용 없음

公开(公告)号：KR102258369B1

公开(公告)日：2021-05-31

申请号：KR1020140076429

申请日：2014-06-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정원석 ,  강창석 ,  이민용 ,  진상우

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

Abstract: 수직형메모리장치는기판, 채널들, 전하저장막구조물, 게이트전극들, 제1 반도체소자및 보호막패턴을포함한다. 상기기판은제1 영역및 제2 영역을포함한다. 상기채널들은상기제1 영역상에배치되며, 상기기판의상면에대해수직한제1 방향으로연장된다. 상기전하저장막구조물은상기채널들의외측벽을감싼다. 상기게이트전극들은상기전하저장막구조물의외측벽을감싸며상기제1 방향을따라서로이격되어적층된다. 상기제1 반도체소자는상기기판의제2 영역상에배치된다. 상기보호막패턴은상기제1 반도체소자를덮으며, 상기기판의상면에가장인접한게이트전극의두께와동일한두께를갖는다.

公开(公告)号：KR101891959B1

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：KR1020120022466

申请日：2012-03-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김주형 ,  강창석 ,  이운경

IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/11582 ,  H01L29/4234 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7926

Abstract: 비휘발성메모리장치및 그제조방법이제공된다. 상기비휘발성메모리장치는서로이격되고순차적으로적층된제1 층간절연막및 제2 층간절연막, 상기제1 층간절연막과상기제2 층간절연막사이에배치된게이트패턴, 상기제1 층간절연막및 상기제2 층간절연막을관통하도록형성된채널패턴, 상기게이트패턴과상기채널패턴사이에배치된트랩층, 및상기채널패턴과상기제1 층간절연막사이와, 상기채널패턴과상기제2 층간절연막사이에배치된전하확산억제층을포함한다.

公开(公告)号：KR101681738B1

公开(公告)日：2016-12-02

申请号：KR1020100055561

申请日：2010-06-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 박찬 ,  강창석 ,  장성일 ,  최병인

IPC: G11C16/34 ,  G11C16/28 ,  G11C16/30

CPC classification number: G11C16/10 ,  G11C16/3418

Abstract: 본발명은더미메모리셀을포함하는불휘발성메모리장치및 그것의프로그램방법에관한것이다. 본발명의기술적사상의실시예에따른불휘발성메모리장치는더미메모리셀 및상기더미메모리셀에직렬로연결된복수의메모리셀들을포함하며, 프로그램동작시에상기복수의메모리셀들중 선택된메모리셀과상기더미메모리셀 사이의거리에따라상기더미메모리셀에제공되는전압을가변한다. 따라서, 본발명의기술적사상의실시예에따른불휘발성메모리장치는디스터브를방지할수 있다.

Abstract translation: 一种包括虚拟存储单元的非易失性存储器件及其编程方法，其中非易失性存储器件包括一个虚拟存储单元，以及与该虚拟存储单元串联连接的多个存储单元。 非易失性存储装置根据执行程序操作时的多个存储单元中的所选择的存储单元与虚拟存储单元之间的距离，设定提供给虚拟存储单元的电压。