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公开(公告)号：KR102234266B1
公开(公告)日：2021-04-02
申请号：KR1020140093314A
申请日：2014-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L29/788
Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 셀 어레이 영역 및 주변 회로 영역을 포함하는 기판, 상기 셀 어레이 영역의 상기 기판 상에 배치되고, 교대로 적층된 전극들 및 절연막들을 포함하는 적층 구조체, 상기 주변 회로 영역의 상기 기판 상에 배치되고, 일 방향으로 상호 이격되는 복수의 주변 게이트 구조체들 및 상기 주변 게이트 구조체들의 양 측벽 상에 배치되는 잔류 스페이서들을 포함하되, 상기 주변 게이트 구조체들 각각은, 상기 기판 상의 주변 게이트 패턴 및 상기 주변 게이트 패턴의 측벽 상의 주변 게이트 스페이서를 포함하고, 상기 잔류 스페이서들 각각은, 적층된 희생 패턴 및 절연 패턴을 포함하되, 상기 절연 패턴은 상기 적층 구조체를 구성하는 상기 절연막들과 동일한 물질을 포함하는 반도체 장치가 제공된다.
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公开(公告)号：KR102091724B1
公开(公告)日：2020-03-20
申请号：KR1020130028670
申请日：2013-03-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
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公开(公告)号：KR101844963B1
公开(公告)日：2018-04-04
申请号：KR1020110020029
申请日：2011-03-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G11C16/24 , G11C16/04 , G11C16/10 , G11C16/26 , H01L29/792 , H01L27/115
CPC classification number: G11C16/0483 , G11C16/10 , H01L27/1157 , H01L27/11582 , H01L29/7926
Abstract: 여기에개시되는불 휘발성메모리장치는기판과; 상기기판위에수직하게형성된적어도하나의스트링과; 그리고상기적어도하나의스트링은다결정실리콘물질로형성된채널을포함하며; 비트라인을통해상기적어도하나의스트링에연결된비트라인전류제어회로를포함한다. 상기비트라인전류제어회로는온도감소시상기적어도하나의스트링의채널을통해흐르는전류를증가시키도록온도감소에따라상기비트라인으로공급되는전류의양을증가시킨다.
Abstract translation: 这里公开的非易失性存储器件包括衬底; 至少一个在衬底上垂直形成的串; 并且其中所述至少一个串包括由多晶硅材料形成的沟道; 以及通过位线耦合到至少一个串的位线电流控制电路。 位线电流控制电路根据温度降低而增加供应到位线的电流量，以便在温度降低时增加流经至少一个串的沟道的电流。
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公开(公告)号：KR1020170018207A
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：KR1020150111358
申请日：2015-08-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115
CPC classification number: H01L27/11565 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L27/11524 , H01L27/11529 , H01L27/11556 , H01L27/11568 , H01L27/1157 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L28/00 , H01L29/04
Abstract: 본발명의실시형태에따른메모리장치는, 기판의상면에수직하는방향으로연장되는채널영역, 상기채널영역에인접하도록상기기판상에적층되며, 서로다른길이로연장되는복수의게이트전극층과복수의절연층, 및상기복수의게이트전극층각각의일단에인접하도록배치되는복수의더미채널영역을포함하며, 상기기판은상기복수의더미채널영역의하부에형성되는기판절연층을포함한다.
Abstract translation: 存储器件包括多个通道区域，每个沟道区域在垂直于衬底的上表面的方向上延伸，多个栅电极层和堆叠在衬底上的与沟道区相邻的多个绝缘层，每个栅电极 延伸不同长度，以及与多个栅电极层的第一端相邻的多个虚设通道区域，其中，所述衬底包括形成在所述多个虚拟通道区域下方的衬底绝缘层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101702356B1
公开(公告)日：2017-02-03
申请号：KR1020100076536
申请日：2010-08-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명의전하트랩형플래시메모리장치의소거방법은, 온도감지결과를받아들이는단계, 그리고상기온도감지결과를근거로하여노말소거동작과변형소거동작을선택적으로실행하는단계를포함하며, 상기변형소거동작은소거실행구간동안워드라인들로인가되는워드라인전압의레벨, 상기소거실행구간과소거검증구간사이의지연시간의길이, 및상기지연시간동안상기워드라인들로인가되는상기워드라인전압의레벨중 적어도하나를가변시킬수 있다.
Abstract translation: 一种电荷捕捉闪存器件的擦除方法，该方法包括接收温度检测结果，并且基于温度检测结果执行擦除操作，其中擦除操作包括擦除执行间隔，擦除验证间隔和延迟时间 在所述擦除执行间隔和所述擦除验证间隔之间，其中所述擦除操作改变在所述擦除执行间隔期间施加到字线的字线电压的电平，所述延迟时间的长度，或施加到所述擦除执行间隔的字线电压的电平 延迟时间内的字线。
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公开(公告)号：KR101652829B1
公开(公告)日：2016-09-01
申请号：KR1020100052366
申请日：2010-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L29/66666 , G11C16/0466 , G11C16/0483 , H01L27/11551 , H01L27/11556 , H01L27/11578 , H01L29/66825 , H01L29/66833 , H01L29/7827 , H01L29/7889 , H01L29/7926
Abstract: 수직채널구조의비휘발성메모리소자가제공된다. 본발명의일 실시예에따른비휘발성메모리소자는, 기판상에수직인방향으로연장되는채널층; 및채널층의측벽을따라서기판상으로수직하게배열되는복수의트랜지스터들을포함하는메모리셀 스트링;을포함하고, 메모리셀 스트링은복수의트랜지스터들을구성하며제1 층간절연막에의해분리되는게이트들을포함하며, 메모리셀 스트링의복수의트랜지스터들중 적어도하나는게이트와채널층의사이에형성된돌출부를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101624980B1
公开(公告)日：2016-05-27
申请号：KR1020090055067
申请日：2009-06-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/66833 , G11C16/10 , G11C16/14 , H01L21/28282 , H01L27/11565 , H01L27/11568 , H01L27/11578 , H01L27/11582 , H01L29/513 , H01L29/792 , H01L29/7926
Abstract: 비휘발성메모리소자가제공된다. 이소자는기판, 기판상의터널유전막, 터널유전막상의트랩절연막, 트랩절연막상의고정전하막, 고정전하막상의블로킹막, 블로킹막상의게이트전극을포함한다. 상기블로킹막은상기고정전하막과다른물질을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020150146206A
公开(公告)日：2015-12-31
申请号：KR1020140076429
申请日：2014-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L27/11582 , H01L27/11573 , H01L27/11575 , H01L27/11585
Abstract: 수직형메모리장치는기판, 채널들, 전하저장막구조물, 게이트전극들, 제1 반도체소자및 보호막패턴을포함한다. 상기기판은제1 영역및 제2 영역을포함한다. 상기채널들은상기제1 영역상에배치되며, 상기기판의상면에대해수직한제1 방향으로연장된다. 상기전하저장막구조물은상기채널들의외측벽을감싼다. 상기게이트전극들은상기전하저장막구조물의외측벽을감싸며상기제1 방향을따라서로이격되어적층된다. 상기제1 반도체소자는상기기판의제2 영역상에배치된다. 상기보호막패턴은상기제1 반도체소자를덮으며, 상기기판의상면에가장인접한게이트전극의두께와동일한두께를갖는다.
Abstract translation: 垂直存储器件包括：衬底; 渠道; 电荷储存膜结构; 栅电极; 第一半导体器件; 和保护膜图案。 衬底包括第一区域和第二区域。 通道设置在第一区域上并且在相对于衬底的上表面垂直的第一方向上延伸。 电荷存储膜结构包裹通道的外壁。 栅极电极包围电荷存储膜结构的外壁，并沿着第一方向彼此分离。 第一半导体器件设置在衬底的第二区域上。 保护膜图案覆盖第一半导体器件，并且具有与最靠近衬底上表面的栅电极相同的厚度。
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公开(公告)号：KR1020150002292A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：KR1020130075938
申请日：2013-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G11C16/14 , G11C16/0483 , G11C2216/18
Abstract: 불휘발성 메모리 장치가 개시된다. 상기 불휘발성 메모리 장치는 기판 상에 제공되는 복수의 셀 스트링들을 포함하며, 상기 복수의 셀 스트링들 각각은 상기 기판과 수직한 방향으로 적층된 적어도 하나의 그라운드 선택 트랜지스터 및 복수의 셀 트랜지스터들을 포함하며, 상기 기판과 상기 셀 스트링들의 채널 영역은 동일한 도전형을 가지며, 소거 동작 시, 상기 기판에 소거 전압을 제공하는 기판 바이어스 회로; 및 소거 동작 시, 상기 그라운드 선택 트랜지스터에 그라운드 선택 라인 포화 전압을 제공하는 그라운드 선택 라인 전압 발생부를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种具有可靠性提高的非易失性存储器件。 非易失性存储器件包括设置在基板上的多个单元串。 每个单元串包括多个单元晶体管和至少一个沿垂直于衬底的垂直方向堆叠的接地选择晶体管。 电池串的衬底和沟道区具有相同的导电类型。 根据本发明的非易失性存储装置包括：衬底偏置电路，其在擦除操作中向衬底提供擦除电压;以及接地选择线电压产生单元，其在擦除中向接地选择晶体管提供接地选择线饱和电压 操作。
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