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公开(公告)号：KR101854609B1
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：KR1020110143701
申请日：2011-12-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02238 , H01L21/02252 , H01L21/02255 , H01L29/42356 , H01L29/4966 , H01L29/78
Abstract: 기판내에활성영역을정의하는필드영역을형성하고, 상기기판내에상기활성영역및 상기필드영역을부분적으로노출하는게이트트렌치를형성하고, 상기게이트트렌치내에노출된상기활성영역의표면상에게이트절연층을형성하되, 상기게이트절연층을형성하는것은, 상기활성영역의표면을 1차산화시켜제1 게이트산화막을형성하고, 및상기활성영역의표면을 2차산화시켜상기활성영역의표면과상기제1 게이트산화막의사이에제2 게이트산화막을형성하는것을포함하고, 상기게이트절연층및 상기노출된필드영역상에금속을포함하는게이트배리어층을컨포멀하게형성하고, 상기게이트배리어층 상에금속을포함하는게이트전극층을형성하고, 및상기게이트트렌치내에상기게이트절연층, 상기게이트배리어층, 및상기게이트전극층과각각접촉하는게이트캡핑층을형성하는것을포함하는반도체소자의제조방법이제안된다.
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公开(公告)号：KR101619826B1
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020100053468
申请日：2010-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 반도체소자의제조에서, 액티브영역의기판에리세스부를형성한다. 상기리세스부내벽및 기판상부면에, 플라즈마산화공정을수행하여예비게이트산화막을형성한다. 상기예비게이트산화막의표면을흡습시켜게이트산화막을형성한다. 상기리세스내부를채우면서상기게이트산화막상에게이트전극을형성한다. 또한, 소오스/드레인을형성한다. 상기반도체소자는높은신뢰성을갖는다.
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公开(公告)号：KR101441947B1
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020080011391
申请日：2008-02-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N7/18
Abstract: 카메라 이동 영향을 검출하고 억제하는 감시 카메라 장치 및 그 제어 방법을 개시한다. 본 발명은 새 이미지를 캡쳐하는 이미지 캡쳐 모듈 및 장면 모델을 저장하고, 캡쳐한 새 이미지와 장면 모델을 비교하여 장면 모델을 업그레이드하고, 장면 모델의 업그레이드 결과에 따라 새 이미지의 화소 상태를 확정하여 카메라 이동 여부를 검출하며, 상기 카메라의 이동이 검출될 때 상기 카메라 이동으로 발생한 오류를 억제하는 이미지 처리 모듈을 구비한다.
카메라, 이동, 감시, 화소 모델-
公开(公告)号：KR1020130033819A
公开(公告)日：2013-04-04
申请号：KR1020110097741
申请日：2011-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N21/266
CPC classification number: H04N21/44008 , H04H60/15 , H04H60/372 , H04H60/43 , H04H60/59 , H04H60/64 , H04H60/74 , H04H60/76 , H04N21/435 , H04N21/437 , H04N21/442 , H04N21/44222 , H04N21/8358 , H04N21/266 , H04N21/25 , H04N21/258
Abstract: PURPOSE: A broadcasting receiver and a broadcasting signal related information providing method are provided to offer information related to a broadcasting signal by reducing data traffic with a matching server. CONSTITUTION: A channel identification unit generates a fingerprint corresponding to a broadcasting signal of a changed channel(S20). The channel identification unit receives identification information for the changed channel from a matching server(S30). A related information providing unit receives condition information for receiving information related to a broadcasting signal(S40). The related information providing unit receives the information from a related information providing server using related information source information(S50). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (S10) Receiving a broadcasting signal, and verifying the channel change of the broadcasting signal; (S20) Generating a fingerprint corresponding to the broadcasting signal of the changed channel; (S30) Receiving identification information for the changed channel from a matching server; (S40) Receiving condition information which informs a condition for receiving information related to the broadcasting signal; (S50) Receiving and displaying the related information based on the condition information;
Abstract translation: 目的：提供广播接收机和广播信号相关信息提供方法，通过减少与匹配服务器的数据流量来提供与广播信号有关的信息。 构成：频道识别单元产生与改变频道的广播信号相对应的指纹（S20）。 频道识别单元从匹配服务器接收改变的频道的识别信息（S30）。 相关信息提供单元接收用于接收与广播信号有关的信息的条件信息（S40）。 相关信息提供单元使用相关信息源信息从相关信息提供服务器接收信息（S50）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （S10）接收广播信号，并验证广播信号的频道变化; （S20）生成与改变的频道的广播信号对应的指纹; （S30）从匹配服务器接收改变的频道的识别信息; （S40）通知用于接收与广播信号有关的信息的条件的接收条件信息; （S50）基于条件信息接收和显示相关信息;
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公开(公告)号：KR101225063B1
公开(公告)日：2013-01-24
申请号：KR1020060030648
申请日：2006-04-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H04N5/74
CPC classification number: H04N9/3194 , H04N9/3182 , H04N9/3185
Abstract: 본 발명은 투사면 특성에 의한 영상왜곡을 보정할 수 있는 프로젝터에서 상기 영상보정에 요구되는 투사면 특성 측정을 은닉적으로 수행하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 실시예에 따른 영상 보정 방법은 연속하는 영상 프레임들에서 하나 이상의 기준 픽셀과 상기 기준 픽셀에 대응하는 상쇄 픽셀을 투사하는 단계, 및 상기 기준 픽셀의 촬영 정보를 기반으로 한 보정 정보를 사용하여 투사될 영상 프레임을 보정하는 단계를 포함한다.
프로젝터, 기하 보정, 색상 보정-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110133842A
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：KR1020100053468
申请日：2010-06-07
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L21/0475
Abstract: PURPOSE: A recess channel transistor, a forming method thereof, a semiconductor device thereof, and a manufacturing method thereof are provided to use a plasma oxide film in which H2O rinse is performed, thereby reducing thickness dispersion of an oxide film. CONSTITUTION: A recess part(152) is formed in an active area of a substrate(150). A back up gate oxide film is formed on the inner wall of the recess part and the top of the substrate. A gate oxide film(158a) is formed by absorbing the surface of the back up gate oxide film. A gate electrode(162a) is formed on the gate oxide film while filling the recess part. A source and a drain are formed under the surface of the substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种凹槽通道晶体管，其形成方法，其半导体器件及其制造方法，使用其中进行H 2 O漂洗的等离子体氧化物膜，从而减小氧化膜的厚度分散。 构成：在衬底（150）的有源区域中形成凹部（152）。 在凹部的内壁和基板的顶部形成备用栅极氧化膜。 通过吸收备用栅氧化膜的表面形成栅氧化膜（158a）。 在填充凹部的同时，在栅极氧化膜上形成栅电极（162a）。 源极和漏极形成在衬底的表面下方。
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公开(公告)号：KR1020110105694A
公开(公告)日：2011-09-27
申请号：KR1020100097416
申请日：2010-10-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 박태서
CPC classification number: H04W4/12 , H04L51/18 , H04L51/38 , H04M1/72533 , H04M1/72552 , H04M3/42382
Abstract: 제1 맞춤 태그(Custom Tag)를 포함하는 메시지를 메시지 송신 장치로부터 수신하고, 제1 맞춤 태그가 존재하는지 여부를 판단하고, 판단 결과에 기초하여 제1 맞춤 태그가 존재하는 경우 제1 맞춤 태그를 검출하고, 검출 결과에 기초하여, 제1 맞춤 태그를 해석하고, 제1 맞춤 태그에 기술된 제어 동작에 기초하여 제어하는 맞춤 태그를 이용하는 메시지 수신 방법 및 그 장치가 개시되어 있다.
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公开(公告)号：KR1020100080702A
公开(公告)日：2010-07-12
申请号：KR1020090000113
申请日：2009-01-02
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66348 , H01L21/02068 , H01L21/2253 , H01L29/4232
Abstract: PURPOSE: A methods of fabricating a semiconductor device is provided to reduce the load of counter doping by performing a local doping through a conformal doping. CONSTITUTION: A semiconductor substrate including a cell region(A) and a core / a peri area(B) is prepared. A gate insulating layer(121) is formed on semiconductor substrate. The first undoped polysilicon layer(122) is formed on the gate insulating layer. The first doped polysilicon layer(123) is formed on the first undoped polysilicon film. The first doped polysilicon film is removed so that the first undoped polysilicon film is exposed to the outside. The dopant of the first conductivity type is inserted in a part and cell region of the core / peri area.
Abstract translation: 目的：提供制造半导体器件的方法，以通过通过共形掺杂进行局部掺杂来减小反向掺杂的负载。 构成：制备包括单元区域（A）和核心/周边区域（B）的半导体基板。 在半导体衬底上形成栅极绝缘层（121）。 第一未掺杂多晶硅层（122）形成在栅极绝缘层上。 第一掺杂多晶硅层（123）形成在第一未掺杂多晶硅膜上。 去除第一掺杂多晶硅膜，使得第一未掺杂多晶硅膜暴露于外部。 第一导电类型的掺杂剂插入芯/周边区域的一部分和单元区域中。
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公开(公告)号：KR1020100013898A
公开(公告)日：2010-02-10
申请号：KR1020080075638
申请日：2008-08-01
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/22 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/823842 , H01L21/823828 , H01L27/10873 , H01L27/10894
Abstract: PURPOSE: A plasma doped semiconductor devices having a dopant loss preventive layer and a method for manufacturing the same are provided to improve electrical properties by forming a gate electrode with a impurity loss prevention film after doping a source gas including a silicon component. CONSTITUTION: A gate dielectric layer(110) is formed on a semiconductor substrate(100). An N type gate electrode wiring(135) is formed on the gate dielectric layer. An NMOS area is covered by a photoresist solution mask and PMOS area is opened. The p type impurity is doped on the PMOS area through a plasma doping process. P type impurity plasma doping and plasma doping through a silicon source gas are performed at the same time and P-type impurity loss prevention film(140) is formed. Mask is eliminated and the gate electrode(115) is formed after cleaning.
Abstract translation: 目的：提供具有掺杂剂损失防止层的等离子体掺杂半导体器件及其制造方法，以在掺杂包括硅成分的源气体之后，通过形成具有杂质损失防止膜的栅电极来改善电性能。 构成：在半导体衬底（100）上形成栅介质层（110）。 在栅极电介质层上形成N型栅电极配线（135）。 NMOS区域被光致抗蚀剂溶液掩模覆盖，并且PMOS区域被打开。 p型杂质通过等离子体掺杂工艺掺杂在PMOS区域上。 通过硅源气体进行P型杂质等离子体掺杂和等离子体掺杂，同时形成P型杂质损失膜（140）。 消除掩模，并且在清洁之后形成栅电极（115）。
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公开(公告)号：KR1020090087643A
公开(公告)日：2009-08-18
申请号：KR1020080013008
申请日：2008-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/76 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/823481 , H01L21/76229 , H01L21/823456 , H01L27/0921 , H01L27/105
Abstract: A method of manufacturing the semiconductor device is provided to reduce the deterioration of device by the high temperature process by forming the oxynitride film in the low-temperature process. Third peripheral region trenches(110a, 110b, 110c) through the first and cell region trench(210) are formed on the peripheral region(100) and cell region(200) of the substrate(10). Oxide films(120, 220) are formed on the surface of third peripheral region trenches through the first and cell region trenches. The oxide film is formed by the thermal oxidation method, and the rapid thermal oxidation or the chemical vapor deposition. Filling isolation layers(160, 260) are planarized by the chemical mechanical polishing or the etch back.
Abstract translation: 提供一种制造半导体器件的方法，以通过在低温工艺中形成氧氮化物膜来减少由高温工艺引起的器件劣化。 通过第一和单元区域沟槽（210）的第三外围区域沟槽（110a，110b，110c）形成在衬底（10）的外围区域（100）和单元区域（200）上。 氧化膜（120,220）通过第一和单元区域沟槽形成在第三外围区域沟槽的表面上。 氧化膜通过热氧化法形成，并且快速热氧化或化学气相沉积。 填充隔离层（160,260）通过化学机械抛光或回蚀刻而平坦化。
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