公开(公告)号：KR1020060079050A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：KR1020050026142

申请日：2005-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재섭 ,  강현일 ,  이성수 ,  로다홀거 ,  고주현 ,  백동현 ,  홍성철

IPC: H03F3/26 ,  H03F3/34

CPC classification number: H03F1/565 ,  H03F1/223 ,  H03F3/2176 ,  H03F3/26 ,  H03F3/604 ,  H03F2200/541

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 RF(Radio Frequency) 시스템에 관한 것으로, 특히 RF 시스템에 사용되는 전력 증폭기 모듈(Power amplifier module)의 집적화에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 DAT(Distributed active transformer) 구조의 전력 증폭기에서 문제가 되는 K 요소를 끌어올려 효율과 최대 출력을 최적화하는 전력 증폭기를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은, 온-칩으로 집적화된 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 전력 증폭기에 있어서, 제 1 계층에 위치한 1차 권선과, 상기 1차 권선과 같은 위치로 상기 제 1 계층의 상위의 제 2 계층에 존재하는 2차 권선들과, 상기 2차 권선들을 연결하는 교차부를 포함하여 구성하는 것을 특징으로 함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 RF 시스템 등에 이용됨.
CMOS, NMOS, DAT, 전력 증폭기