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公开(公告)号：KR1020170014557A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150108147
申请日：2015-07-30
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H03F3/45273 , G09G3/2092 , G09G2310/0248 , G09G2310/0254 , G09G2310/0291 , G09G2310/08 , G09G2330/021 , H03F3/3022 , H03F3/45219 , H03F3/45475 , H03F2203/45112 , H03F2203/45726
Abstract: 출력버퍼를포함하는소스드라이버, 디스플레이구동회로및 소스드라이버의동작방법이개시된다. 본발명의실시예들에따른소스드라이버는, 다수의데이터라인들에대응하여다수의버퍼들을포함하고, 각각의버퍼는입력신호를증폭하는증폭부와상기데이터라인으로구동신호를출력하는출력구동부를포함하는버퍼부및 차지쉐어링동작시, 상기다수의데이터라인들을전기적으로연결하는하나이상의차지쉐어링스위치들을포함하는스위치부를구비하고, 상기증폭부는기준전류패스와출력전류패스를갖는제1 전류미러를포함하고, 상기차지쉐어링동작시상기기준전류패스의제1 노드와상기출력전류패스의제2 노드가서로전기적으로연결되는것을특징으로한다.
Abstract translation: 源驱动器包括缓冲器装置，其包括对应于多个数据线的多个缓冲器，所述多个缓冲器中的每一个缓冲器分别包括被配置为放大输入信号的放大器和被配置为将驱动信号输出到相应数据的输出驱动器 在多条数据线之间; 以及开关装置，其包括电荷共享开关，其被配置为在电荷共享操作期间将所述多个数据线彼此电连接，所述放大器包括具有参考电流路径的第一电流镜，所述参考电流路径包括第一节点和输出电流路径 包括第二节点，并且在电荷共享操作期间，参考电流路径的第一节点和输出电流路径的第二节点彼此电连接。
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公开(公告)号：KR1020170014352A
公开(公告)日：2017-02-08
申请号：KR1020150107518
申请日：2015-07-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03F3/45
CPC classification number: G09G3/3648 , G09G3/3614 , G09G3/3688 , G09G2300/0426 , G09G2310/0291 , G09G2310/08 , G09G2370/08 , H03F3/3022 , H03F3/45219 , H03F3/45475 , H03F2203/45248
Abstract: 버퍼증폭기회로는제1액티브로드를갖는제1차동증폭기와제2액티브로드를갖는제2차동증폭기를포함하는버퍼증폭기와, 차동스위치신호들과상기버퍼증폭기의입력신호를이용하여상기버퍼증폭기의출력단자의출력신호를상기제1액티브로드와상기제2액티브로드중에서어느하나로피드백하여상기출력신호의슬루레이트를향상시키는피드백회로를포함한다.
Abstract translation: 缓冲放大器电路包括缓冲放大器，该缓冲放大器包括具有第一有源负载的第一差分放大器和具有第二有源负载的第二差分放大器和被配置为将缓冲放大器的输出端的输出信号反馈到 第一和第二有源负载使用差分开关信号和缓冲放大器的输入信号来增强输出信号的转换速率。
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4.发明授权
公开(公告)号：KR100911652B1
公开(公告)日：2009-08-10
申请号：KR1020070014735
申请日：2007-02-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H03M1/66
CPC classification number: H03M1/804
Abstract: 디지털-아날로그 변환기가 개시된다. 상기 디지털-아날로그 변환기는 제1커패시터, 제2커패시터, 연산 증폭기, 및 각각이 복수의 스위칭 신호들 중에서 대응되는 스위칭 신호에 응답하여 스위칭되는 복수의 스위치들을 포함하는 스위칭 회로를 포함한다. 상기 스위칭 회로의 동작에 의하여 상기 제1커패시터가 프리-차지 커패시터로서 사용되는 경우에는 상기 제2커패시터는 샘플-홀드 커패시터로서 사용되고, 상기 제2커패시터가 프리-차지 커패시터로서 사용되는 경우에는 상기 제1커패시터는 샘플-홀드 커패시터로서 사용된다.
DAC, RC-DAC, OP AMP-
5.发明授权적은 칩 사이즈를 요구하는 디지털 아날로그 컨버터,디지털 아날로그 컨버팅 방법 및 상기 디지털 아날로그컨버터를 구비하는 디스플레이 패널 드라이버 有权用于数字模拟转换的装置和方法以及包括其的显示面板驱动器
公开(公告)号：KR100800494B1
公开(公告)日：2008-02-04
申请号：KR1020070013800
申请日：2007-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: A digital analog converter, a converting method of the digital analog converter, and a display panel driver including the digital analog converter are provided to remove the offset of chopping amplifier by driving alternately the chopping amplifier in non-inverting or inverting modes. A digital analog converter includes a chopping amplifying unit(560), which receives higher and lower bit voltages corresponding to higher x bits and lower y bits of n bit data, and outputs analog data voltages. The chopping amplifying unit includes a sample hold capacitor(S_SH) and a chopping amplifier(AMP_chop). The sample hold capacitor is charged by the higher bit voltage in a non-inverting mode. The chopping amplifier supplies the higher bit voltage to the sample hold capacitor in the non-inverting mode and outputs voltage, which the higher bit voltage is added with the lower bit voltage, as the analog data voltage in an inverting mode.
Abstract translation: 提供数字模拟转换器，数字模拟转换器的转换方法以及包括数字模拟转换器的显示面板驱动器，以通过以非反相或反相模式交替地驱动斩波放大器来消除斩波放大器的偏移。 数字模拟转换器包括斩波放大单元（560），其接收对应于较高x位和较低y位的n位数据的较高和较低位电压，并输出模拟数据电压。 斩波放大单元包括采样保持电容（S_SH）和斩波放大器（AMP_chop）。 采样保持电容在非反相模式下被较高位电压充电。 斩波放大器在同相模式下向采样保持电容器提供较高位电压，并将反相模式下的模拟数据电压输出较高位电压与较低位电压相加的电压。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080008543A
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：KR1020060067931
申请日：2006-07-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14616 , H01L21/26586 , H01L27/14689
Abstract: A CMOS image sensor and a method for manufacturing the same are provided to enhance the quality of the product by increasing the transmission efficiency of charges. A CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) image sensor includes an active region, a photo diode and a floating diffusion region(FD), a gate(35) of a transfer transistor(30), and at least one dopant doping region(7). The active region is defined by an element isolation region(20). The photo diode and floating diffusion region are disposed in parallel with the active region. The gate of the transfer transistor is formed to cross over the active region between the photo diode and floating diffusion region. The density of dopant doping regions formed in the active region is varied based on distance with the floating diffusion area.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器及其制造方法，以通过提高电荷的传输效率来提高产品的质量。 CMOS（互补金属氧化物半导体）图像传感器包括有源区，光电二极管和浮动扩散区（FD），转移晶体管（30）的栅极（35）和至少一个掺杂剂掺杂区域（7） 。 有源区由元件隔离区（20）限定。 光电二极管和浮动扩散区域与有源区域平行设置。 转移晶体管的栅极形成为跨越光电二极管和浮动扩散区之间的有源区。 基于与浮动扩散区域的距离，在有源区域中形成的掺杂剂掺杂区域的密度变化。
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公开(公告)号：KR100744134B1
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：KR1020060018885
申请日：2006-02-27
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/146
Abstract: A CMOS image sensor and its driving method are provided to stably drive unit cells while decreasing the number of devices required for the unit cells. A CMOS image sensor includes plural unit cells(100) having a 3-transistor structure. Each unit cell has a photodiode(PD) converting light energy into an electric signal, a transmission transistor(T11) transmitting photo charge stored in the photodiode to a floating diffusion region(FD), a driver transistor(T13) connected to the floating diffusion region at a gate electrode, and a capacitive device(110) connected between a control voltage source(200) and the floating region. The device changes a voltage of the floating diffusion region according to level fluctuation of the control voltage source.
Abstract translation: 提供CMOS图像传感器及其驱动方法以稳定地驱动单位单元，同时减少单位单元所需的装置的数量。 CMOS图像传感器包括具有3晶体管结构的多个单位单元（100）。 每个单位单元具有将光能转换成电信号的光电二极管（PD），将存储在光电二极管中的光电荷传输到浮动扩散区域（FD）的传输晶体管（T11），连接到浮动扩散区域的驱动器晶体管（T13） 在控制电压源（200）和浮动区之间连接的电容器件（110）。 该器件根据控制电压源的电平波动来改变浮动扩散区域的电压。
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公开(公告)号：KR101760816B1
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：KR1020100105781
申请日：2010-10-28
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G01J5/22
Abstract: 온도센서는밴드갭 레퍼런스회로, 온도전압생성부및 디지털 CDS 회로를포함한다. 밴드갭 레퍼런스회로는온도에비례하는기준전압을생성한다. 온도전압생성부는기준전압에기초하여온도에비례하는제1 온도전압및 제2 온도전압을출력한다. 디지털 CDS 회로는제1 온도전압및 제2 온도전압에대해상관이중샘플링을수행하여온도를나타내는디지털신호를출력한다. 온도센서는주위의온도를정확하게측정할수 있다.
Abstract translation: 温度传感器包括带隙参考电路，温度电压发生器和数字CDS电路。 带隙参考电路产生与温度成比例的参考电压。 温度电压发生器基于参考电压输出第一温度电压和与温度成比例的第二温度电压。 数字CDS电路对第一温度电压和第二温度电压执行相关双采样以输出表示温度的数字信号。 温度传感器可以准确测量环境温度。
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