公开(公告)号：KR101126411B1

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：KR1020050026142

申请日：2005-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재섭 ,  강현일 ,  이성수 ,  로다홀거 ,  고주현 ,  백동현 ,  홍성철

IPC: H03F3/26 ,  H03F3/34

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 RF(Radio Frequency) 시스템에 관한 것으로, 특히 RF 시스템에 사용되는 전력 증폭기 모듈(Power amplifier module)의 집적화에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 DAT(Distributed active transformer) 구조의 전력 증폭기에서 문제가 되는 K 요소를 끌어올려 효율과 최대 출력을 최적화하는 전력 증폭기를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은, 온-칩으로 집적화된 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 전력 증폭기에 있어서, 제 1 계층에 위치한 1차 권선과, 상기 1차 권선과 같은 위치로 상기 제 1 계층의 상위의 제 2 계층에 존재하는 2차 권선들과, 상기 2차 권선들을 연결하는 교차부를 포함하여 구성하는 것을 특징으로 함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 RF 시스템 등에 이용됨.
CMOS, NMOS, DAT, 전력 증폭기

公开(公告)号：KR1020060079050A

公开(公告)日：2006-07-05

申请号：KR1020050026142

申请日：2005-03-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재섭 ,  강현일 ,  이성수 ,  로다홀거 ,  고주현 ,  백동현 ,  홍성철

IPC: H03F3/26 ,  H03F3/34

CPC classification number: H03F1/565 ,  H03F1/223 ,  H03F3/2176 ,  H03F3/26 ,  H03F3/604 ,  H03F2200/541

Abstract: 1. 청구범위에 기재된 발명이 속하는 기술분야
본 발명은 RF(Radio Frequency) 시스템에 관한 것으로, 특히 RF 시스템에 사용되는 전력 증폭기 모듈(Power amplifier module)의 집적화에 관한 것임.
2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제
본 발명은 DAT(Distributed active transformer) 구조의 전력 증폭기에서 문제가 되는 K 요소를 끌어올려 효율과 최대 출력을 최적화하는 전력 증폭기를 제공하는데 그 목적이 있음.
3. 발명의 해결 방법의 요지
본 발명은, 온-칩으로 집적화된 CMOS(complementary metal-oxide semiconductor) 전력 증폭기에 있어서, 제 1 계층에 위치한 1차 권선과, 상기 1차 권선과 같은 위치로 상기 제 1 계층의 상위의 제 2 계층에 존재하는 2차 권선들과, 상기 2차 권선들을 연결하는 교차부를 포함하여 구성하는 것을 특징으로 함.
4. 발명의 중요한 용도
본 발명은 RF 시스템 등에 이용됨.
CMOS, NMOS, DAT, 전력 증폭기

公开(公告)号：KR1020080102642A

公开(公告)日：2008-11-26

申请号：KR1020070049326

申请日：2007-05-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 주호정 ,  배종대 ,  허정욱 ,  백동현 ,  최정현 ,  남일구

IPC: H03L7/099

CPC classification number: H04B1/0082 ,  H03L7/093 ,  H03L7/099

Abstract: A local oscillation signal generator generates local oscillation signals with various frequency bands, requires a relatively small chip area, and reduces power consumption. A local oscillation signal generator includes a PLL(Phase Locked Loop) circuit, a first 2 divider(1st DIV2), a 3 divider(DIV3), a multiplexer(MUX), a second 2 divider(2nd DIV2). The PLL circuit includes a VCO(Voltage Controlled Oscillator) outputting the local oscillation signal, and a PLL 2 divider dividing and outputting the local oscillation signal by 2. The first 2 divier divides and outputs the local oscillation signal by 2. The 3 divider divides and outputs the local oscillation signal by 3. The second 2 divider divides the output signal of the multiplexer by 2 and outputs the divided signal.

Abstract translation: 本地振荡信号发生器产生具有各种频带的本地振荡信号，需要相对较小的芯片面积，并降低功耗。 本地振荡信号发生器包括PLL（锁相环）电路，第一分频器（1st DIV2），3除法器（DIV3），多路复用器（MUX），第二二分频器（2nd DIV2）。 PLL电路包括输出本地振荡信号的VCO（压控振荡器）以及PLL2分频器，分频并输出本地振荡信号2.前2个分频器将本地振荡信号分频并输出。3分频器除法器 并将本地振荡信号输出3.第二个2分频器将多路复用器的输出信号除以2，并输出分频信号。

公开(公告)号：KR1020060131321A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：KR1020050051659

申请日：2005-06-15

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재섭 ,  김태욱 ,  강현일 ,  백동현

IPC: H03F3/20 ,  H03F1/32

CPC classification number: H03F1/34 ,  H03F1/301 ,  H03F1/3205 ,  H03F3/2171

Abstract: A high-efficiency power amplifier with a precise duty cycle is provided to maintain a high duty cycle at high efficiency while actively coping with various environmental variations including a mismatch, process variation, and temperature variation. A high-efficiency power amplifier includes an inverter configured of a pair of MOS(Metal Oxide Semiconductor) transistors(M1,M2), and a feedback path adjusting an input voltage in response to an output voltage between input and output terminals of the inverter and correcting an operation time point of the MOS transistors configuring the inverter. The feedback path is a resistor connected between the input and output terminals of the inverter.

Abstract translation: 提供具有精确占空比的高效率功率放大器，以高效率地维持高占空比，同时积极应对各种环境变化，包括失配，过程变化和温度变化。 高效率功率放大器包括由一对MOS（金属氧化物半导体）晶体管（M1，M2）构成的反相器，以及响应于逆变器的输入和输出端子之间的输出电压来调节输入电压的反馈路径，以及 校正构成逆变器的MOS晶体管的工作时间点。 反馈路径是连接在逆变器的输入和输出端子之间的电阻。