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公开(公告)号：KR1020140045843A
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：KR1020120112092
申请日：2012-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1066 , H01L29/2003 , H01L29/41766 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7786
Abstract: Disclosed are a high electron mobility transistor (HEMT) and a method of fabricating the same. The disclosed HEMT includes a channel layer; a channel supply layer formed on the channel layer and having an energy bandgap greater than that of the channel layer; a P-type semiconductor layer formed on the channel supply layer and having an energy bandgap different from that of the channel supply layer; a gate electrode formed on the P-type semiconductor layer; and source and drain electrodes formed at both sides of the gate electrode while being spaced apart from each other. The P-type semiconductor layer includes a hole injection layer formed on the channel supply layer to supply holes to at least one among the channel layer and the channel supply layer in an on state and a depletion forming layer formed at a portion of the hole injection layer and having a doping concentration different from the doping concentration of the hole injection layer.
Abstract translation: 公开了高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。 所公开的HEMT包括通道层; 沟道供应层，其形成在沟道层上并具有比沟道层大的能带隙; 形成在所述沟道供给层上并具有与所述沟道供给层不同的能带隙的P型半导体层; 形成在P型半导体层上的栅电极; 以及形成在栅极两侧的源极和漏极，同时彼此间隔开。 P型半导体层包括形成在沟道供给层上的空穴注入层，以在导通状态下向沟道层和沟道供给层中的至少一个提供空穴，并且在空穴注入的一部分形成有耗尽形成层 并且具有不同于空穴注入层的掺杂浓度的掺杂浓度。
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公开(公告)号：KR1020130128281A
公开(公告)日：2013-11-26
申请号：KR1020120052213
申请日：2012-05-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/778 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/778 , H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/42316 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/7787
Abstract: A high electron mobility transistor (HEMT) and a manufacturing method thereof are disclosed. The HEMT can include a discontinuous region in a channel region. The discontinuous region can include a plurality of unit 2DEG regions which are separated from each other. The discontinuous region can be placed at or adjacent the interface part between two semiconductor layers. The discontinuous part can be formed in a concavo-convex structure or as multiple recess regions or multiple ion injection regions. The unit 2DEG regions can have a nano-scale. The unit 2DEG regions can have a dot pattern or a stripe pattern.
Abstract translation: 公开了一种高电子迁移率晶体管（HEMT）及其制造方法。 HEMT可以在通道区域中包括不连续区域。 不连续区域可以包括彼此分离的多个单元2DEG区域。 不连续区域可以放置在两个半导体层之间的界面部分或邻近两个半导体层之间的界面部分。 不连续部分可以形成为凹凸结构或多个凹陷区域或多个离子注入区域。 单元2DEG区域可以具有纳米尺度。 单元2DEG区域可以具有点图案或条纹图案。
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公开(公告)号：KR101289938B1
公开(公告)日：2013-07-25
申请号：KR1020060094164
申请日：2006-09-27
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 다중 입력 다중 출력 방식을 사용하는 이동 통신 시스템의 신호 수신 장치에서, 채널 행렬을 사용하여 다수의 신호 검출 방식들중 상기 신호 수신 장치가 사용할 신호 검출 방식을 선택하는데 사용되는 선택 파라미터를 검출하고, 상기 선택 파라미터를 임계값과 비교하고, 그 비교 결과에 상응하게 상기 다수의 신호 검출 방식들중 어느 한 신호 검출 방식을 선택하고, 상기 신호 검출 방식에 상응하게 송신 신호를 검출한다.
ML 수신기, 하이브리드 방식, FDFR 시공간 코드, 선택 파라미터, MIMO-
公开(公告)号：KR101252859B1
公开(公告)日：2013-04-09
申请号：KR1020060089697
申请日：2006-09-15
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명은 다중 입력 다중 출력 방식을 이용하여 데이터를 송수신하는 통신 시스템에서 데이터 송수신 방법 및 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 통신 시스템에서의 데이터 송수신 방법은, 수신기가 미리 설정된 매트릭스 코드북의 벡터 코드들을 설정된 기준에 따라 적어도 하나의 그룹들로 그룹핑한 후, 송신기와의 데이터 스트림 상태를 측정하는 과정과, 상기 수신기가 상기 측정한 결과에 상응하는 벡터 코드가 포함된 그룹을 확인하고, 상기 확인한 그룹 단위로 피드백 정보를 상기 송신기로 전송하는 과정과, 상기 송신기가 상기 수신기로부터 수신한 피드백 정보에 상응하여 상기 수신기로 데이터 스트림을 전송하는 과정을 포함한다.
MIMO, 프리 코드, 코드 벡터, 프리 코딩 매트릭스, full feedback, partial feedback, reduced feedback, grouping feedback-
公开(公告)号：KR1020120132994A
公开(公告)日：2012-12-10
申请号：KR1020110051437
申请日：2011-05-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: PURPOSE: An apparatus and method for soft demmaping having two dimensional LLR(log-likelihood ratio) performance are provided to detect an LLR value using a shifted table method. CONSTITUTION: A receiving unit(110) receives a QAM(quadrature amplitude modulation) signal and channel information through two channels. A detection unit(120) detects an LLR value about the QAM signal using a shifted table method. A decoding unit(130) decodes detected LLR value. An area selecting unit(140) designates a sub-area of the QAM signal corresponding to obtained bit information from the decoded LLR value. An operation unit(150) calculates the LLR value of other bit information which is included in the designated sub-area. The detection unit detects the LLR value about the QAM signal in one dimension. [Reference numerals] (110) Receiving unit; (120) Detection unit; (130) Decoding unit; (140) Area selecting unit; (150) Operation unit
Abstract translation: 目的：提供一种具有二维LLR（对数似然比）性能的软测绘的装置和方法，以使用偏移表法检测LLR值。 构成：接收单元（110）通过两个通道接收QAM（正交幅度调制）信号和信道信息。 检测单元（120）使用移位表法检测关于QAM信号的LLR值。 解码单元（130）解码检测到的LLR值。 区域选择单元（140）根据解码的LLR值指定与获得的比特信息相对应的QAM信号的子区域。 操作单元（150）计算包括在指定子区域中的其他比特信息的LLR值。 检测单元在一个维度上检测关于QAM信号的LLR值。 （附图标记）（110）接收单元; （120）检测单元; （130）解码单元; （140）区域选择单位; （150）操作单元
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100713336B1
公开(公告)日：2007-05-04
申请号：KR1020040015560
申请日：2004-03-08
IPC: H04B7/02
CPC classification number: H04L27/2647 , H04L1/0618
Abstract: 본 발명은 적응변조기법을 지원하는 이동통신시스템에서의 신호 검출 순서 결정방법에 관한 것이다. 이를 위해 본 발명은 가능한 모든 경우의 검출 순서에 대해서 유효 SINR을 구하고 비트 할당하여 각 변조방식 별 최소 심볼 거리와 유효 SINR의 곱이 최소인 채널을 최대로 하는 검출 순서를 선택함으로써, 평균 오차확률을 최소화할 수 있다. 또한 안테나 수가 증가하는 경우 가능한 모든 경우의 검출 순서를 고려하지 않고, 순방향 순서와 역방향 순서에 대해 각 변조방식 별 최소 심볼 거리와 유효 SINR의 곱이 최소인 채널을 최대로 하는 검출 순서를 선택한다. 이로써 모든 경우의 검출 순서를 고려하는 경우와 비슷한 성능을 얻을 수 있었다.
Adaptive modulation, Spatial Multiplexing Multiple Input Multiple Output, detection order, V-BLAST, effective SINR-
公开(公告)号：KR102213181B1
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：KR1020140121314
申请日：2014-09-12
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본발명은필터뱅크기반의무선통신시스템에서채널상태정보보고및 자원할당방법및 장치에관한것으로, 본발명의필터뱅크에기반한무선통신시스템에서수신단의채널상태보고방법은송신단으로부터적어도두 개의필터뱅크와관련된필터뱅크관련정보를수신하는단계, 상기필터뱅크관련정보를이용하여상기적어도두 개의필터뱅크에대한채널상태를측정하는단계, 및상기측정결과에기반한채널상태정보를상기송신단으로보고하는단계를포함하는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101805634B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020110119125
申请日：2011-11-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L29/7784 , H01L21/02538 , H01L29/122 , H01L29/127 , H01L29/158 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/42376 , H01L29/66431 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/66795 , H01L29/7783 , H01L29/7787 , H01L29/785
Abstract: III-V족배리어를포함하는반도체소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한반도체소자는기판상에이격되게형성된절연층과, 상기절연층의이격된부분을채우고, 상기절연층보다높게돌출된부분을갖는 III-V족물질층과, 상기물질층의돌출된부분의측면및 상부면을덮고, 상기물질층보다큰 밴드갭을갖는배리어층과, 상기배리어층의표면을덮는게이트절연막과, 상기게이트절연막상에형성된게이트전극및 상기게이트전극과이격된소스및 드레인전극을포함한다. 이때, 상기 III-V족물질층의조성비는일정하다. 상기배리어층은양자우물을형성하는 III-V족물질을포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了包括III-V族势垒的半导体器件及其制造方法。 根据本发明实施例的半导体器件包括：绝缘层，形成在衬底上以与衬底间隔开; III-V材料层，具有比绝缘层高的部分， 覆盖侧面和材料层的突出部分的表面的顶部上，具有大的带隙比所述材料层，并且与覆盖所述阻挡层的表面上的栅极绝缘膜，形成栅极绝缘层和所述电极上的栅阻挡层，和栅电极 源极和漏极间隔开。 此时，III-V族材料层的组成比例是恒定的。 阻挡层可以包括形成量子阱的III-V材料。
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公开(公告)号：KR1020170081918A
公开(公告)日：2017-07-13
申请号：KR1020160000949
申请日：2016-01-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본개시는 LTE(Long Term Evolution)와같은 4G(4th generation) 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기위한 5G(5th generation) 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 본개시에따른무선통신시스템에서기지국의동작방법은, 적어도하나의단말의채널관련정보에기반하여송신신호에적용할윈도우(window)의구성(configuration)을결정하는과정과, 상기윈도우의구성을포함하는제어정보를상기적어도하나의단말에송신하는과정을포함하고, 상기윈도우의구성은상기송신신호에할당된주파수대역을적어도하나의서브대역으로나누어, 각각의상기적어도하나의서브대역에적용될각각의윈도우의길이를포함한다. 또한, 본개시에따른무선통신시스템에서단말의동작방법은, 상기채널관련정보에기반하여결정되고, 송신신호에적용되는윈도우(window)의구성(configuration)을포함하는제어정보를수신하는과정을포함하고, 상기윈도우의구성은상기송신신호에할당된주파수대역을적어도하나의서브대역으로나누어, 각각의상기적어도하나의서브대역에적용될각각의윈도우의길이를포함한다.
Abstract translation: 本公开涉及自4G（第四代）通信系统（例如长期演进（LTE））以来支持更高数据速率的5G（第5代）或前5G通信系统。 根据本公开的操作无线通信系统中的基站的方法包括以下步骤：基于至少一个终端的信道相关信息来确定要应用于传输信号的窗口的配置， 至少包括所述控制信息包括传送到终端，划分在窗口分配给所述guseongeun传输信号划分成至少一个子带的频带的步骤中，分别将被应用到每个所述至少一个子带的 Lt。 此外，根据本发明的在无线通信系统中的终端的操作的方法中，被施加到发送信号中的被信道信息的基础上确定，接收到包括窗口（窗口）的结构（配置）的控制信息的步骤 其中窗口的配置包括要应用于至少一个子带中的每一个的每个窗口的长度，分配给传输信号的频带被划分成至少一个子带。
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公开(公告)号：KR1020170053055A
公开(公告)日：2017-05-15
申请号：KR1020150155338
申请日：2015-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사 , 연세대학교 산학협력단
CPC classification number: H04L27/264 , H04B7/0417 , H04B7/0456 , H04B17/336 , H04B17/354 , H04L25/03821
Abstract: 본개시는 LTE와같은 4G 통신시스템이후보다높은데이터전송률을지원하기제공될 5G 또는 pre-5G 통신시스템에관련된것이다. 특히, 본개시는무선통신시스템에서필터뱅크다중반송파(filter bank multi-carrier, FBMC) 기법을위한전처리(pre-processing)에관한것으로서, 통신노드의방법은, 상대노드로부터신호를수신하는동작, 상기수신된신호를기반으로채널및 필터의주파수밀폐특성에따른전처리방식을결정하는동작, 및상기결정된전처리방식에따라상기필터에대응되는부반송파셋에대한전처리를수행하는동작을포함할수 있다.
Abstract translation: 本公开涉及将被提供以支持诸如LTE之类的4G通信系统之后的更高数据速率的5G或5G之前的通信系统。 具体而言，本公开涉及用于无线通信系统中的滤波器组多载波（FBMC）技术的预处理，该通信节点的方法包括从对方节点接收信号的操作， 根据所述信道的频率阻塞特性和所述接收信号的滤波器，确定预处理方法，并根据确定的预处理方法对所述滤波器对应的子载波集进行预处理。
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