公开(公告)号：KR102038626B1

公开(公告)日：2019-10-30

申请号：KR1020130033089

申请日：2013-03-27

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황인준 ,  김종섭 ,  오재준

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/778

公开(公告)号：KR101919422B1

公开(公告)日：2019-02-08

申请号：KR1020120109274

申请日：2012-09-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  이백우 ,  신재광 ,  오재준

IPC: H01L27/00 ,  H01L21/768

公开(公告)号：KR101919421B1

公开(公告)日：2018-11-19

申请号：KR1020120089671

申请日：2012-08-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  박영환 ,  박기열 ,  신재광 ,  오재준 ,  하종봉

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/778

CPC classification number: H01L27/0605 ,  H01L21/8252 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/32 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872

Abstract: 반도체소자및 그제조방법에관해개시되어있다. 개시된반도체소자는기판의제1 영역상에형성된고전자이동도트랜지스터(HEMT) 및상기기판의제2 영역상에형성된다이오드를포함할수 있다. 상기 HEMT와다이오드는전기적으로서로연결될수 있다. 상기 HEMT와다이오드는상기기판의상면측에수평방향으로이격하여구비될수 있다. 상기기판의일부상에반도체층이구비될수 있고, 상기반도체층에상기 HEMT가구비될수 있다. 상기반도체층이형성되지않은상기기판의다른일부상에상기다이오드가구비될수 있다. 상기 HEMT와다이오드는, 예컨대, 캐스코드(cascode) 타입으로연결될수 있다.

公开(公告)号：KR101813174B1

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：KR1020100096522

申请日：2010-10-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황인준 ,  김종섭 ,  최혁순 ,  홍기하 ,  신재광 ,  오재준

IPC: H01L29/778

Abstract: 게이트에의해둘러싸인 HEMT에관해개시되어있다. 본발명의일 실시예에의한 HEMT는 2DEG를포함하는채널층, 상기채널층에상기 2DEG를유발시키는분극층및 상기분극층상에형성된소스, 드레인및 게이트를포함하고, 상기게이트는상기드레인을완전히둘러싼다. 상기게이트는원형또는비원형으로드레인을둘러쌀수 있다.

Abstract translation: Gt; HEMT被门包围。 栅极上的本发明的实施例的HEMT包括偏振层和一个源极，漏极，和形成包括2DEG沟道层的偏振层上的栅极，从而使2DEG在沟道层，和具有漏极 完全封闭。 栅极可以以圆形或非圆形包围漏极。

公开(公告)号：KR101680767B1

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：KR1020100097417

申请日：2010-10-06

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  경북대학교 산학협력단

Inventor： 최혁순 ,  이정희 ,  신재광 ,  오재준 ,  하종봉 ,  김종섭 ,  황인준 ,  홍기하 ,  임기식 ,  김기원 ,  김동석

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/76237 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7787

Abstract: 불순물주입을이용한고출력의고 전자이동도트랜지스터(HEMT) 제조방법에관해개시되어있다. 일실시예에의한개시된 HEMT의제조방법은기판상에제1 물질층을형성하고, 상기제1 물질층의전기적저항을높인다음, 이러한제1 물질층상에제1 물질층보다밴드갭이큰, 이격된소스패턴과드레인패턴을형성하는과정을포함한다.

Abstract translation: 所述方法可以包括在衬底上形成第一材料层，增加第一材料层的电阻，以及在第一材料层上形成彼此间隔开的源图案和漏极图案，带隙为 源极和漏极图案大于第一材料层的带隙。

公开(公告)号：KR1020150065005A

公开(公告)日：2015-06-12

申请号：KR1020130150015

申请日：2013-12-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황선규 ,  전우철 ,  황인준 ,  김준용 ,  송민건 ,  신재광 ,  오재준

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 노멀리오프고전자이동도트랜지스터가개시된다. 개시된노멀리오프고전자이동도트랜지스터는, 제1 질화물반도체로이루어진채널층과, 상기채널층상에서제2 질화물반도체로이루어지며, 상기채널층에 2차원전자가스를유발하는채널공급층과, 상기채널공급층의양측의소스전극및 드레인전극과, 상기채널공급층상에서상기 2차원전자가스의적어도일부영역에디플리션영역을형성하는디플리션형성층과, 상기디플리션형성층상에서상기디플리션형성층과접촉하며복수의개구부가형성된게이트전극을포함한다.

Abstract translation: 公开了一种常关高电子迁移率晶体管。 所公开的常闭高电子晶体管包括由第一氮化物半导体构成的沟道层，在沟道层上由第二氮化物半导体构成的沟道供给层，并且在沟道层上引入2D电子气体，源电极 以及形成在沟道供给层的两侧的漏电极，在沟道供给层上的2D电子气体的至少一部分区域上形成耗尽区的耗尽形成层以及与沟道供给层的接触的栅电极 与耗尽层形成层并且在耗尽层上具有多个开口部分。

公开(公告)号：KR1020150051822A

公开(公告)日：2015-05-13

申请号：KR1020130133828

申请日：2013-11-05

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김종섭 ,  황인준 ,  신재광 ,  오재준 ,  정수진 ,  황선규

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/66462 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7787

Abstract: 고전자이동도트랜지스터및 그제조방법이개시된다. 개시된고전자이동도트랜지스터는채널층, 상기채널층상에형성되어 2차원전자가스(2DEG;2-Dimensional Electron Gas)를유발하는채널공급층과상기채널공급층상에형성된디플리션공급부, 상기디플리션공급부상에형성된게이트전극및 상기디플리션공급부와상기게이트전극사이에형성된장벽층을구비할수 있다. 상기게이트전극으로부터상기디플리션공급부로주입되는홀의이동을방지하여게이트순방향전류를감소시킬수 있다.

Abstract translation: 公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 高电子迁移率晶体管可以包括沟道层，沟道供应层，其形成在沟道层上并诱导二维电子气（2DEG），形成在沟道供应层上的耗尽供应部分， 耗尽供应部分和形成在耗尽供应部分和栅电极之间的阻挡层。 可以通过防止从栅电极注入到耗尽部分的空穴的迁移来减小栅极的正向电流。

公开(公告)号：KR1020140111063A

公开(公告)日：2014-09-18

申请号：KR1020130020675

申请日：2013-02-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 황선규 ,  전우철 ,  김준용 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준 ,  하종봉

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H03K17/063 ,  G01N27/025 ,  G01N27/08 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7787

Abstract: The present invention relates to a method for controlling a gate voltage of a high electron mobility transistor (HEMT) in high-voltage switching. A device and method for controlling a gate voltage reduce current collapse or gate leakage current by measuring a voltage (Vds) between a drain electrode and a source electrode of the high electron mobility transistor and controlling the gate voltage applied to the high electron mobility transistor depending on the measured voltage.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于控制高电压切换中的高电子迁移率晶体管（HEMT）的栅极电压的方法。 用于控制栅极电压的装置和方法通过测量高电子迁移率晶体管的漏极和源电极之间的电压（Vds）来减小电流崩溃或栅极漏电流，并且控制施加到高电子迁移率晶体管的栅极电压依赖 测量电压。

公开(公告)号：KR1020140070248A

公开(公告)日：2014-06-10

申请号：KR1020120138512

申请日：2012-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  김종섭 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준 ,  최혁순 ,  황인준

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/02109 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8613

Abstract: Disclosed are a high electron mobility transistor and a method of manufacturing the same. The disclosed HEMT includes a channel layer; a channel supply layer which is formed on the channel layer; a source electrode and a drain electrode which are formed on the channel layer or the channel supply layer; a gate electrode which is arranged between the source electrode and the drain electrode; a first depletion forming layer which is formed between the gate electrode and the channel supply layer; and a second depletion formation layer which is formed on the channel supply layer, formed between the gate electrode and the drain electrode, and electrically connected to the source electrode.

Abstract translation: 公开了高电子迁移率晶体管及其制造方法。 所公开的HEMT包括通道层; 形成在沟道层上的沟道供给层; 形成在沟道层或沟道供给层上的源电极和漏极; 设置在源电极和漏电极之间的栅电极; 第一耗尽形成层，其形成在所述栅电极和所述沟道供给层之间; 以及第二耗尽层，其形成在所述沟道供给层上，形成在所述栅电极和所述漏极之间，并与所述源电极电连接。

公开(公告)号：KR1020140012584A

公开(公告)日：2014-02-03

申请号：KR1020130049618

申请日：2013-05-02

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 전우철 ,  박기열 ,  박영환 ,  신재광 ,  오재준

IPC: H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: Disclosed are a nitride based semiconductor diode and a nitride based semiconductor device including the same. The nitride based semiconductor device includes a substrate; a first semiconductor layer made of nitride based semiconductor and prepared on the substrate; a second semiconductor layer made of nitride based semiconductor prepared on the first semiconductor layer and having a first part of which thickness is thinner than that of a second part; an insulating layer prepared on the second semiconductor layer; a first electrode covering the first part of the second semiconductor layer and forming an ohmic contact with the first semiconductor layer; and a second electrode separated from the first electrode and forming an ohmic contact with the first semiconductor layer.

Abstract translation: 公开了一种基于氮化物的半导体二极管和包括其的氮化物基半导体器件。 氮化物基半导体器件包括衬底; 由氮化物基半导体制成的第一半导体层，并在衬底上制备; 由氮化物基半导体制成的第二半导体层，其制备在第一半导体层上，其第一部分的厚度比第二部分的厚度薄; 在所述第二半导体层上制备的绝缘层; 覆盖第二半导体层的第一部分并与第一半导体层形成欧姆接触的第一电极; 以及与所述第一电极分离并与所述第一半导体层形成欧姆接触的第二电极。