公开(公告)号：KR1020140140339A

公开(公告)日：2014-12-09

申请号：KR1020130061058

申请日：2013-05-29

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 신중한 ,  구봉진 ,  김태곤 ,  최한메 ,  김정명 ,  임종성

IPC: H01L31/10

CPC classification number: G02B6/136 ,  G02B6/12004 ,  G02B2006/12061 ,  G02B2006/12169

Abstract: 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 기판에 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치 내에 절연막 패턴을 형성하고, 상기 기판 및 상기 절연막 패턴 상에 비정질 물질을 증착하고, 상기 비정질 물질을 평탄화하고, 상기 트렌치가 형성된 영역 상에 있는 상기 비정질 물질의 일부를 제거하고, 상기 비정질 물질을 단결정 물질로 결정화하고, 상기 단결정 물질을 평탄화하는 것을 포함한다.

Abstract translation: 提供一种半导体器件的制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成沟槽; 在沟槽中形成绝缘膜图案; 在所述绝缘膜图案和所述基板上沉积非晶材料; 使无定形材料变平; 在具有所述沟槽的区域上去除所述非晶材料的一部分; 将无定形材料结晶成单晶材料; 并且使单晶材料变平。