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公开(公告)号：KR1020160057545A
公开(公告)日：2016-05-24
申请号：KR1020140158039
申请日：2014-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/268 , H01L21/24 , H01L21/31
CPC classification number: H01L21/0275 , H01L21/02068 , H01L21/28052
Abstract: 폴리실리콘패턴물질(미도시)이기판, 제2 절연층, 및비트라인구조체상에 CVD(Chemical Vapor Deposition) 또는 PVD(Physical Vapor Deposition)와같은공정으로증착될수 있다. 예시적인실시예에서, 폴리실리콘패턴이폴리실리콘패턴물질상의마스크패턴을식각마스크로사용하는건식식각공정을통하여제공될수 있다. 폴리실리콘패턴에는불순물이도핑될수 있다. 불순물은인(P) 또는비소(As)일수 있다. 예시적인실시예에서, 폴리실리콘패턴은보이드(void) 및심(seam) 결함(들)을포함할수 있다. 이러한실시예에서, 폴리실리콘패턴에제1 파장의레이저가조사될수 있다.
Abstract translation: 通过化学气相沉积（CVD）或物理气相沉积（PVD）工艺，能够将多晶硅图案材料（未提示）沉积在基板，第二绝缘层和位线结构上。 根据实施例，能够通过使用多晶硅图案材料上的掩模图案作为蚀刻掩模的干蚀刻工艺来提供多晶硅图案。 异物能够以多晶硅图案掺杂。 异物能够是磷（P）或砷（As）。 根据实施例，多晶硅图案能够包括空隙和接缝缺陷。 根据实施例，能够将具有第一波长的激光束发射到多晶硅图案。
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公开(公告)号：KR101004819B1
公开(公告)日：2010-12-28
申请号：KR1020090079802
申请日：2009-08-27
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명은 탄소나노튜브의 표면에 양이온 중합에 참여할 수 있는 옥시란기 또는 안하이드라이드기를 도입하고, 상기 탄소나노튜브를 광산발생제 또는 광염기발생제와 함께 유기용매에 분산시켜 기재 위에 코팅한 후 포토마스크를 통해 UV에 노광시켜 노광부에서 탄소나노튜브의 양이온 중합을 유발한 다음 비노광부를 현상액으로 제거함으로써 탄소나노튜브의 네가티브 패턴을 형성하는 방법과 상기 탄소나노튜브를 열경화제와 함께 유기용매에 분산시켜 기재 위에 코팅한 후 열경화시켜 탄소나노튜브 고분자 복합체를 제조하는 방법에 관한 것으로, 본 발명의 방법에 의하면 기존의 포토리소그래피 방식으로 다양한 재질의 기재 상에 탄소나노튜브 패턴을 용이하게 형성할 수 있고, 탄소나노튜브 자체만으로 또는 다른 고분자와 함께 경화물성이 향� ��된 탄소나노튜브 고분자 복합체를 제조할 수 있다.
탄소나노튜브, 포토리소그래피, 네가티브 패턴, 옥시란, 안하이드라이드, 양이온 중합, 고분자 복합체, 상호침투망목구조-
公开(公告)号：KR1020070078838A
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：KR1020070071004
申请日：2007-07-16
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: B82B1/008 , B82B3/0061 , B82Y30/00 , C01B32/158 , C01B32/168 , C01B32/174
Abstract: A method for forming a patterned film by chemically modifying the surface of carbon nano-tube with oxirane group or anhydride group and photocuring the carbon nano-tube and a method for preparing carbon nano-tube polymer complex are provided. A method for forming a patterned film includes the steps of: preparing a coating solution by dispersing at least one carbon nano-tube surface-modified by oxirane group of the chemical formula 1 and/or anhydride group selected from the chemical formula 2 to 7 (in which, R is a C1-15 linear, branched or cyclic alkylene group) with a photoacid generator or photobase generator in an organic solvent; forming a film by applying the coating solution on the surface of a substrate and drying off the solvent; inducing photopolymerization of the carbon nano-tubes by exposing the film to UV rays through a photomask with a desired pattern; and removing the non-exposed part of the film by developing the exposed film with an organic developing solution.
Abstract translation: 提供了通过用环氧乙烷基或酸酐基团对碳纳米管的表面进行化学改性并光固化碳纳米管来形成图案化膜的方法和制备碳纳米管聚合物复合物的方法。 形成图案化膜的方法包括以下步骤：通过分散由化学式1的环氧乙烷基团和/或选自化学式2至7的酸酐基团表面改性的至少一种碳纳米管来制备涂布溶液（ 其中R为C1-15直链，支链或环状亚烷基）与有机溶剂中的光酸产生剂或光碱产生剂反应; 通过将涂布溶液涂布在基材的表面上并干燥溶剂来形成膜; 通过通过具有所需图案的光掩模将膜暴露于紫外线来诱导碳纳米管的光聚合; 以及通过用有机显影液显影曝光的薄膜来去除未暴露的薄膜部分。
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公开(公告)号：KR100572926B1
公开(公告)日：2006-04-24
申请号：KR1020020084268
申请日：2002-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C08G75/32
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/123 , C08G61/126 , H01B1/127 , H01L51/0003 , H01L51/0545
Abstract: 본 발명은 폴리티에닐티아졸 유도체 및 이를 이용한 유기박막 트랜지스터에 대한 것으로, 보다 상세하게는 p-형 반도체특성을 지닌 티오펜 단위에 전자친화력이 큰, 즉 n-형 반도체 특성이 있는, 티아졸환을 도입함으로써 p-형과 n-형 특성을 동시에 나타내는 복합구조의 폴리티에닐티아졸 유도체에 관한 것이다.
유기반도체, 티아졸, 폴리티에닐티아졸, 누설전류, 유기박막트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020040018644A
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：KR1020020050550
申请日：2002-08-26
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B33/10
CPC classification number: H01L51/5262 , H01L51/56
Abstract: PURPOSE: A method for forming a structure of a photonic crystal slab to improve luminance of a display is provided to form a two-dimensional photonic crystal slab structure by using a laser interferometer. CONSTITUTION: A photosensitive polymer layer is formed on a surface of a glass substrate including a SiO2 layer according to a degree of exposure. One-dimensional grating structure having stripes is formed on the photosensitive polymer layer by irradiating the predetermined beam of a laser interferometer on the photosensitive polymer layer. A structure of a photonic crystal slab having the two-dimensional n-polygonal arrangement is formed on the glass substrate by rotating the glass substrate or the laser interferometer as much as n-1 number every 360/n° on the basis of a vertical axis to the glass substrate. The structure of the photonic crystal slab is transcribed on the SiO2 layer of the glass substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种用于形成光子晶体板的结构以提高显示器的亮度的方法，以通过使用激光干涉仪形成二维光子晶体板结构。 构成：根据曝光程度，在包括SiO 2层的玻璃基板的表面上形成光敏聚合物层。 通过在光敏聚合物层上照射激光干涉仪的预定光束，在光敏聚合物层上形成具有条纹的一维光栅结构。 通过基于纵轴将玻璃基板或激光干涉仪旋转多达n-1个数，形成具有二维正方形排列的光子晶体板的结构，玻璃基板 到玻璃基板。 光子晶体板的结构转录在玻璃基板的SiO2层上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160054153A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：KR1020140153079
申请日：2014-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324 , H01L21/268 , H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67115 , H01L21/268 , H01L21/68742
Abstract: 본발명은레이저어닐링장비를제공한다. 이레이저어닐링장비는레이저빔이통과되는챔버윈도우를포함하는공정챔버및 상기공정챔버내에배치되고, 기판이로딩되는상부면을갖는척(chuck)을포함한다. 여기서, 상기척의폭은상기로딩된기판의폭 보다작다. 이로써, 레이저어닐링공정동안에, 척이손상되는것을방지할수 있다.
Abstract translation: 本发明提供一种激光退火装置。 激光退火装置包括：处理室，其包括激光束通过的室窗; 以及卡盘，其设置在所述处理室内部并且具有其上装载有所述基板的上表面，其中所述卡盘的宽度比所装载的基板的宽度窄。 因此，可以防止在激光退火过程中卡盘被损坏。
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公开(公告)号：KR1020160023152A
公开(公告)日：2016-03-03
申请号：KR1020140109041
申请日：2014-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , H01L21/20
CPC classification number: H01L27/11575 , H01L21/02532 , H01L21/02592 , H01L21/02675 , H01L21/32055 , H01L23/528 , H01L27/11519 , H01L27/11526 , H01L27/11548 , H01L27/11556 , H01L27/11565 , H01L27/11573 , H01L27/11582 , H01L27/11521
Abstract: 집적회로소자는기판상에형성된수직으로오버랩되도록배치된제1 레벨반도체소자와제2 레벨반도체소자와의사이에개재된다결정실리콘박막을포함한다. 다결정실리콘박막은적어도하나의실리콘단결정을포함한다. 실리콘단결정은제2 레벨반도체소자의활성영역을제공하는평탄부와, 평탄부로부터제1 레벨반도체소자를향하여돌출된핀 형상돌출부를포함한다. 다결정실리콘박막을형성하기위하여, 핀홀내부를채우면서소자간절연막의상면을덮는비정질실리콘층을형성한다. 비정질실리콘층에열을가하여비정질실리콘층의일부를용융시킨다. 비정질실리콘층중 핀홀내부에서용융되지않고고체상태로남아있는부분을시드로이용하여상기비정질실리콘층의용융된부분을결정화한다.
Abstract translation: 集成电路器件包括多晶硅薄膜，该多晶硅薄膜介于形成在垂直重叠的基板上的第一级半导体器件和第二级半导体器件之间。 多晶硅薄膜包括至少一个硅单晶。 硅单晶包括提供第二级半导体器件的有源区的平坦化部分和从平坦化部向第一级半导体器件突出的销状突出部。 为了形成多晶硅薄膜，在填充针孔内部的同时形成覆盖器件间电介质层的上表面的非晶硅层。 非晶硅层的一部分通过向非晶硅层施加热而熔化。 非晶硅层的熔融部分通过使用保持固态的部分而不熔化在非晶硅层的针孔中作为种子而固化。
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公开(公告)号：KR1020140140339A
公开(公告)日：2014-12-09
申请号：KR1020130061058
申请日：2013-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L31/10
CPC classification number: G02B6/136 , G02B6/12004 , G02B2006/12061 , G02B2006/12169
Abstract: 반도체 장치의 제조 방법이 제공된다. 상기 반도체 장치의 제조 방법은, 기판에 트렌치를 형성하고, 상기 트렌치 내에 절연막 패턴을 형성하고, 상기 기판 및 상기 절연막 패턴 상에 비정질 물질을 증착하고, 상기 비정질 물질을 평탄화하고, 상기 트렌치가 형성된 영역 상에 있는 상기 비정질 물질의 일부를 제거하고, 상기 비정질 물질을 단결정 물질로 결정화하고, 상기 단결정 물질을 평탄화하는 것을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件的制造方法。 制造半导体器件的方法包括以下步骤：在衬底上形成沟槽; 在沟槽中形成绝缘膜图案; 在所述绝缘膜图案和所述基板上沉积非晶材料; 使无定形材料变平; 在具有所述沟槽的区域上去除所述非晶材料的一部分; 将无定形材料结晶成单晶材料; 并且使单晶材料变平。
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公开(公告)号：KR101069519B1
公开(公告)日：2011-09-30
申请号：KR1020040053023
申请日：2004-07-08
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L51/0043 , H01L51/0036 , H01L51/0512 , Y10T428/31533
Abstract: 본 발명은 올리고티오펜과 n-형 방향족 화합물을 주쇄에 교호로 포함하는 유기 반도체 고분자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 p-형 반도체 특성을 지닌 올리고티오펜과 전자친화력이 큰, 즉 n-형 반도체 특성을 나타내는 헤테로방향족 환을 고분자의 주쇄에 교호로 포함함으로써 p-형과 n-형의 전기적 특성을 동시에 나타내는 유기 반도체 고분자에 관한 것이다. 본 발명의 폴리(올리고티오펜-아릴렌) 유도체는 유기용매에 대한 우수한 용해성과 공평면성(Co-planarity)을 나타내며, 또한 유기 박막 트랜지스터의 활성층으로 적용되는 경우, 높은 전하 이동도 및 낮은 누설전류를 나타낸다.
유기 반도체 고분자, 올리고티오펜, 아릴렌, 유기 박막 트랜지스터-
公开(公告)号：KR1020080014386A
公开(公告)日：2008-02-14
申请号：KR1020060076021
申请日：2006-08-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1368 , B41J2/01 , G02F1/136227 , H01L29/786
Abstract: A TFT(Thin Film Transistor) substrate and a method for manufacturing the same are provided to define a hydrophobic area and a hydrophilic area even without separately performing a surface reforming process, thereby simplifying the manufacturing process. A data line(171) is formed on a substrate(110). A gate line(121) having a gate electrode(124) cross the data line. A source electrode(133) is connected to the data line. A drain electrode(135) is disposed to face the source electrode. An organic semiconductor(154) is contacted with the source electrode and the drain electrode. A partition wall defines the organic semiconductor, wherein the partition wall is formed of acryl-based photosensitive resin containing fluorine-containing compound.
Abstract translation: 提供了TFT（薄膜晶体管）基板及其制造方法，以便即使没有单独执行表面重整工艺来限定疏水区域和亲水区域，从而简化制造过程。 数据线（171）形成在基板（110）上。 具有栅电极（124）的栅线（121）跨越数据线。 源电极（133）连接到数据线。 漏电极（135）设置成面对源电极。 有机半导体（154）与源电极和漏电极接触。 分隔壁限定有机半导体，其中分隔壁由含有氟化合物的丙烯酸类感光性树脂形成。
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