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公开(公告)号：WO2014119911A1
公开(公告)日：2014-08-07
申请号：PCT/KR2014/000813
申请日：2014-01-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 본 발명의 일 측면은, 제1 도전형 반도체로 이루어진 베이스층과, 상기 베이스층 상에 형성되며, 상기 베이스층의 일부 영역이 노출된 복수의 제1 개구를 갖는 제1 절연막과, 상기 베이스층의 노출된 영역 각각에 형성되며, 제1 도전형 반도체로 이루어진 복수의 나노 코어와, 상기 제1 절연막보다 높게 위치한 상기 복수의 나노 코어의 표면에 형성된 활성층과, 상기 제1 절연막 상에 형성되며, 상기 복수의 나노 코어와 그 표면에 형성된 활성층을 둘러싸는 복수의 제2 개구를 갖는 제2 절연막과, 상기 제2 절연막보다 높게 위치한 상기 활성층의 표면에 형성된 제2 도전형 반도체층을 포함하는 나노구조 반도체 발광소자를 제공한다.
Abstract translation: 提供了根据本发明的一个方面的纳米结构的半导体发光元件，包括：包括第一导电半导体的基极层; 第一绝缘膜，在所述基底层上，具有暴露所述基底层的部分区域的多个第一开口; 形成在所述基底层的每个所述暴露区域上并且包括所述第一导电半导体的多个纳米芯; 所述多个纳米芯的表面上的活化层位于比所述第一绝缘膜高的位置; 第二绝缘膜，在第一绝缘膜上，具有多个第二开口并且在其表面上包围多个纳米芯和活化层; 以及位于所述活化层的表面上的第二导电半导体层，其位于比所述第二绝缘膜高的位置。
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公开(公告)号：KR102045872B1
公开(公告)日：2019-11-18
申请号：KR1020130061113
申请日：2013-05-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8247 , H01L27/115 , H01L21/66 , H01L21/265
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公开(公告)号：KR101829676B1
公开(公告)日：2018-02-20
申请号：KR1020110145765
申请日：2011-12-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/324
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/67115 , H01L21/67288 , H01L21/681 , H01L22/10 , H01L22/12 , H01L22/20
Abstract: 본발명은웨이퍼열 처리방법을개시한다. 웨이퍼열 처리방법은웨이퍼의결함을검출하는것, 결함이공정챔버내의불균일한온도구배영역들을제외한나머지영역들에위치하도록웨이퍼를정렬하는것, 및공정챔버내에서웨이퍼를급속열처리하는것을포함한다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101728320B1
公开(公告)日：2017-04-20
申请号：KR1020110064867
申请日：2011-06-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8242 , H01L27/108
CPC classification number: H01L28/90 , H01L27/10852
Abstract: 반도체소자의제조방법이제공된다. 반도체소자의제조방법은기판상에제1 내지제n 희생층과제1 내지제n 지지층이번갈아순차로적층된복합막을형성하고, 복합막을관통하는복수의개구부를형성하고, 복수의개구부내에하부전극을형성하고, 제1 내지제n 지지층의일부와제1 내지제n 희생층의일부또는전부를제거하되, 제1 내지제n 지지층의일부와제1 내지제n 희생층의일부또는전부를제거하는것은, (a) 제k(단, k는 n에서 1까지순차로감소하는자연수) 지지층의일부를제거하여제k 희생층의일부를노출시키는단계; (b) 제k 희생층의노출면을통해제k 희생층을전부제거하는단계; (a) 단계와 (b) 단계를 2회이상반복하여하부전극을지지하는복수의지지대를형성하는것을포함하고, 하부전극상에유전막및 상부전극을형성하는것을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020140142400A
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020130063293
申请日：2013-06-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/022408 , H01L31/02327 , H01L31/03529 , H01L31/1808 , H01L31/1872 , Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 반도체 소자가 제공된다. 제 1 반도체층 및 상기 제 1 반도체층의 제 1 영역을 덮고 제 2 영역을 노출하는 절연 패턴이 제공된다. 상기 절연 패턴에 의하여 노출된 상기 제 1 반도체층의 제 2 영역과 접하고 상기 절연 패턴 상으로 연장하는 제 2 반도체층이 제공된다. 상기 제 2 반도체층 상에 제공되고 상기 제 1 반도체층과 격자 상수가 다른 제 3 반도체층을 포함한다.
Abstract translation: 提供一种半导体器件。 提供了第一半导体层和覆盖第一半导体层的第一区域并暴露第二区域的绝缘图案。 提供了第二半导体层，其接触由绝缘图案暴露的第一半导体层的第二区域并延伸到绝缘图案。 半导体器件包括设置在第二半导体层上并具有与第一半导体层不同的晶格常数的第三半导体层。
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公开(公告)号：KR1020140126915A
公开(公告)日：2014-11-03
申请号：KR1020130045183
申请日：2013-04-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L21/283 , H01L21/76805 , H01L29/401
Abstract: 본 발명은 반도체 장치 및 이의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에서는, 콘택홀을 형성할 때 발생되는 콘택 잔여물이 몰드막이 아닌 보호막과 접한다. 상기 보호막은 상기 콘택 잔여물과 상기 몰드막 사이의 반응을 방지한다. 이로써 하부전극들 간의 누설전류를 방지할 수 있다.
Abstract translation: 提供半导体器件及其制造方法。 在本发明中，形成接触孔时产生的接触残渣与保护层而不是模层接触。 保护层防止接触残余物和模具层之间的反应。 由此，可以防止下部电极之间的漏电流。
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公开(公告)号：KR1020140112608A
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：KR1020130025750
申请日：2013-03-11
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/02667
Abstract: A method for forming an epitaxial layer according to the present invention includes a step of forming multiple first insulating patterns which are separated from each other in a substrate, a step of forming first epitaxial patterns on the first insulating patterns, a step of forming second insulating patterns touching the first insulating patterns in the substrate between the first insulating patterns, and a step of forming a single epitaxial layer which includes the first epitaxial patterns and second epitaxial patterns on the first insulating patterns and the second insulating patterns, by forming the second epitaxial patterns touching the first epitaxial patterns between the first epitaxial patterns on the second insulating patterns.
Abstract translation: 根据本发明的用于形成外延层的方法包括在衬底中形成彼此分离的多个第一绝缘图案的步骤，在第一绝缘图案上形成第一外延图案的步骤，形成第二绝缘体的步骤 图案接触第一绝缘图案之间的衬底中的第一绝缘图案，以及通过形成第二外延形成在第一绝缘图案和第二绝缘图案上形成包括第一外延图案和第二外延图案的单个外延层的步骤 接触第二绝缘图案上的第一外延图案之间的第一外延图案的图案。
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公开(公告)号：KR1020140096979A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：KR1020130164522
申请日：2013-12-26
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: One aspect of the present invention provides a nanostructure semiconductor light emitting device which includes a base layer made of a first conductivity type semiconductor, a first insulating layer which is formed on the base layer and has multiple first openings exposed to a part of the base layer, multiple nanocores which are formed in the exposed region of the base layer, respectively, and are made of the first conductivity type semiconductor, an active layer which is formed on the surface of the nanocores which is located higher than the first insulating layer, a second insulating layer which is formed on the first insulating layer and has multiple second openings which surround the active layer formed on its surface and the nanocores, and a second conductivity type semiconductor layer formed on the surface of the active layer which is located higher than the second insulating layer.
Abstract translation: 本发明的一个方面提供了一种纳米结构半导体发光器件，其包括由第一导电型半导体制成的基极层，第一绝缘层，其形成在基底层上并具有暴露于基底层的一部分的多个第一开口 分别形成在基底层的露出区域并由第一导电型半导体形成的多个纳米孔，形成在位于高于第一绝缘层的纳米孔的表面上的有源层， 第二绝缘层，其形成在第一绝缘层上并且具有围绕形成在其表面上的有源层和纳米孔的多个第二开口，以及形成在有源层表面上的第二导电类型半导体层，该第二导电类型半导体层位于高于 第二绝缘层。
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