Abstract:
본 발명은 새로운 입출력 라인 리페어 방식을 채용하여 리던던시 칼럼의 리페어 효율을 향상시킨 반도체 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 셀 영역, 리던던시 셀 영역, 그리고 제어장치를 포함한다. 상기 셀 영역은 복수개의 블록으로 구분되며, 각 블록은 복수의 비트 라인을 갖는다. 상기 리던던시 셀 영역은 복수개의 리던던시 비트라인을 갖는다. 그리고 제어장치는 상기 각각의 리던던시 비트라인이 상기 셀 영역의 블록에 관계없이 상기 셀 영역에 있는 비트라인을 리페어할 수 있도록 한다. 본 발명에 의하면, 리던던시 셀 영역에 있는 각각의 리던던시 비트라인이 셀 영역에 있는 모든 비트라인을 리페어 할 수 있기 때문에 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.
Abstract:
본 발명은 레티클의 로딩을 위한 반도체 제조장치에 관한 것으로, 본발명에 따른 반도체 제조장치는 레티클의 설정위치를 가이드 하기 위한 적어도 하나이상의 폴이 장착된 포크암과, 상기 포크암이 연결된 포크를 구비함을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면 레티클이 포크암에 잘못 위치됨으로 인하여 발생될 수 있는 불량을 방지 또는 최소화할 수 있게 된다.
Abstract:
PURPOSE: A microwave oven is provided to conveniently cook and cleanly maintain a cooking chamber with an auxiliary cooking tray installed to be put in and out. CONSTITUTION: A microwave oven comprises a main body having cooking chamber, a door, and an auxiliary cooking tray. The auxiliary cooking tray is put in to the front of the microwave oven and the bottom and both sides of the auxiliary cooking tray are contacted with the inner wall of the microwave oven. The auxiliary cooking tray comprises a bottom plate(21) in the shape of flat square, both side plates(23) formed upward from the bottom plate, and a cooking object support(25) installed between the side plates. Guide line grooves(27) are formed at the side plates of the auxiliary cooking tray and protruded guiding parts are formed at the inner side wall of the cooking chamber to receive the guide line groove.
Abstract:
제어방법및 그방법을처리하는전자장치가개시되어있는바, 다양한실시예에따르면, 제1 전자장치는통신모듈및 제1 전자장치의배터리충전상태를감지하는것을기반으로하여제2 전자장치로데이터리스트를요청하고, 상기요청에대응하는데이터리스트를수신하고, 상기수신된데이터리스트중 적어도일부데이터를상기제2 전자장치로요청하도록구성된제어부를포함할수 있다. 다른실시예들이가능하다.
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본 발명은 가열조리기에 관한 것으로, 특히 조리물이 고르게 가열되도록 할 수 있고 청소가 용이한 가열조리기에 관한 것이다. 본 발명에 가열조리기는 전면이 개방되는 가열조리실이 형성된 본체와, 상기 가열조리실의 내측 후면에 소정깊이 후방으로 함몰되도록 형성되는 송풍실과, 상기 가열조리실 내부공기의 순환을 위해 상기 송풍실 내에 설치되는 순환팬과, 상기 송풍실 내에 설치되는 히터와, 상기 송풍실의 개방된 전면을 덮도록 상기 가열조리실 내측 후면에 결합되며 중앙부에 공기흡입구가 형성되고 외곽에 토출공기를 그 둘레 방향으로 안내하는 복수의 공기토출구가 형성되는 커버부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract:
A flash memory device storing data into a multi bit mode and a single bit mode, and a program method thereof are provided to prevent programming or removing of a division information block in programming or removing a memory cell array. A memory cell array(210) includes a plurality of memory blocks and a division information block. Division information indicates a boundary of the memory blocks set into a multi bit mode and a single bit mode among the memory blocks, and is stored in the division information block. A control logic(250) determines the multi bit mode or the single bit mode of the memory block based on the division information, and controls a programming and reading operation into the multi bit mode or the single bit mode based on a determined result. A fuse(253) is connected to the control logic.
Abstract:
본 발명은 새로운 입출력 라인 리페어 방식을 채용하여 리던던시 칼럼의 리페어 효율을 향상시킨 반도체 메모리 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 메모리 장치는 셀 영역, 리던던시 셀 영역, 그리고 제어장치를 포함한다. 상기 셀 영역은 복수개의 블록으로 구분되며, 각 블록은 일군의 비트라인을 갖는다. 상기 리던던시 셀 영역은 복수개의 리던던시 비트라인을 갖는다. 그리고 제어장치는 상기 각각의 리던던시 비트라인이 상기 셀 영역의 블록에 관계없이 상기 셀 영역에 있는 비트라인을 리페어할 수 있도록 한다. 본 발명에 의하면, 리던던시 셀 영역에 있는 각각의 리던던시 비트라인이 셀 영역에 있는 모든 비트라인을 리페어 할 수 있기 때문에 리페어 효율을 향상시킬 수 있다.