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公开(公告)号：KR1020100060890A
公开(公告)日：2010-06-07
申请号：KR1020080119679
申请日：2008-11-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/36 , G03F1/144 , G03F7/70441
Abstract: PURPOSE: A photomask treating method is provided to improve the efficiency of a photo mask process by correcting a line width of light shielding pattern which is out of a predetermined critical dimension. CONSTITUTION: In a photomask treating method, a substrate is prepared(S110). A light-shielding layer and a photoresist pattern are formed on the substrate(S120). A light-shield pattern is formed on the substrate(S130). The photoresist pattern is removed(S140). It is determines whether the line width of the light-shield pattern is out of a predetermined critical dimension(S150). The line width of the light-shield pattern is corrected(S170).
Abstract translation: 目的：提供光掩模处理方法，通过校正超出预定临界尺寸的遮光图案的线宽来提高光掩模处理的效率。 构成：在光掩模处理方法中，制备基材（S110）。 在基板上形成遮光层和光刻胶图案（S120）。 在基板上形成遮光图案（S130）。 除去光刻胶图案（S140）。 确定遮光图案的线宽是否超出预定临界尺寸（S150）。 修正遮光图案的线宽（S170）。
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公开(公告)号：KR1020090032844A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：KR1020070098401
申请日：2007-09-28
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/38 , G03F1/70 , G03F7/705 , H01J37/3174 , Y10S430/143
Abstract: A method for fabricating a mask for semiconductor device manufacture is provided to manufacture the mask having the high reliability by precisely controlling the shape and the size of the pattern. A mask layout(100) comprises the first region(200) and the second region(300). The second region is comprised of a pattern region(310), an aided exposure region(320), and a beam blocking region(330). The aided exposure region contacts with the end of the pattern region. The beam blocking region divides the aided exposure region from the first region. The beam blocking region of the concave type contacts with three sides of the aided exposure region of the rectangular shape. The pattern region contacts with the exposed side of the aided exposure region. The electron beam is irradiated to the first region and the aided exposure region.
Abstract translation: 提供一种制造用于半导体器件制造的掩模的方法，通过精确地控制图案的形状和尺寸来制造具有高可靠性的掩模。 掩模布局（100）包括第一区域（200）和第二区域（300）。 第二区域包括图案区域（310），辅助曝光区域（320）和光束阻挡区域（330）。 辅助曝光区域与图案区域的末端接触。 光束阻挡区域将辅助曝光区域与第一区域分开。 凹形的光束阻挡区域与矩形的辅助曝光区域的三个侧面接触。 图案区域与辅助曝光区域的暴露侧接触。 电子束照射到第一区域和辅助曝光区域。
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公开(公告)号：KR100809329B1
公开(公告)日：2008-03-07
申请号：KR1020060086919
申请日：2006-09-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F7/70308 , B82Y10/00 , G03F7/70191 , G03F7/70266 , G03F7/706 , G21K1/062 , G21K2201/064 , G03F7/70516 , G03F7/7055
Abstract: A photolithography apparatus including a mirror for correcting an aberration of an optical system and a mirror including an aberration correcting unit are provided to expend the lifetime of the photolithography apparatus by directly compensating the aberration. A light source(110) generates light. Illumination mirrors(120a-120d) transmit the light generated from the light source. A photo mask(130) receives the light transmitted from the illumination mirrors to form an optical pattern image. An optical illumination system(100) includes projection mirrors(120e-120h). The projection mirror transmits the optical pattern image formed from the photo mask to a pupil surface(140). A mirror compensates an aberration of the optical illumination system. The mirror is located on a conjugate plan optically corresponding to the pupil surface. The mirror includes an aberration compensating unit therein.
Abstract translation: 提供了包括用于校正光学系统的像差的反射镜和包括像差校正单元的反射镜的光刻设备，以通过直接补偿像差来消耗光刻设备的寿命。 光源（110）产生光。 照明镜（120a-120d）透射从光源产生的光。 光掩模（130）接收从照明反射镜发射的光以形成光学图案图像。 光学照明系统（100）包括投影镜（120e-120h）。 投影镜将由光掩模形成的光学图案图像发送到瞳孔表面（140）。 镜子补偿光学照明系统的像差。 镜子位于光学对应于瞳孔表面的共轭图上。 反射镜包括其中的像差补偿单元。
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公开(公告)号：KR100630766B1
公开(公告)日：2006-10-04
申请号：KR1020050082447
申请日：2005-09-05
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남동석
IPC: H01L21/027
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公开(公告)号：KR100476924B1
公开(公告)日：2005-03-17
申请号：KR1020020033128
申请日：2002-06-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0337 , H01L21/2815 , H01L21/32139
Abstract: 반도체 장치의 미세 패턴 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체기판 상에 희생막 패턴을 형성하고, 희생막 패턴의 측벽에 스페이서를 형성한 후, 스페이서의 소정 영역을 제거함으로써 열린선을 이루는 스페이서 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. 희생막 패턴을 형성하기 전에 반도체기판 상에 하부막을 형성할 수도 있다. 또한, 스페이서 패턴을 형성한 후, 이를 식각 마스크로 사용하여 하부막을 식각함으로써 하부막 패턴을 형성하는 단계를 더 실시할 수도 있다. 이에 따라 형성되는 하부막 패턴은 좁은 선폭을 가질 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019990069529A
公开(公告)日：1999-09-06
申请号：KR1019980003834
申请日：1998-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 콘택홀의 상부에 배선층 등의 도전라인을 형성할 때 콘택홀이 노출됨으로써 발생되는 브리지 또는 단락의 문제를 방지할 수 있는 반도체장치의 콘택 형성방법에 대해 개시되어 있다. 이 콘택 형성방법은, 하부 도전층 상에 절연막을 형성하는 단계와, 절연막을 패터닝하여 하부 도전층의 일부를 노출시키는 콘택홀을 형성하는 단계와, 결과물 상에, 하부 도전층과 접속된 상부 도전층 패턴을 형성하는 단계와, 결과물 상에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계, 및 포토레지스트 패턴을 리플로우시키는 단계로 이루어진다.
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公开(公告)号：KR101679687B1
公开(公告)日：2016-11-28
申请号：KR1020110023656
申请日：2011-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
Abstract: 반사형 EUV 마스크는마스크기판, 반사층및 흡수층패턴을포함한다. 마스크기판은노광영역과주변영역을갖는다. 상기주변영역은상기주변영역으로입사되는광을산란시켜서상기주변영역의반사도를낮추기위한결정부(crystalline portion)를갖는다. 반사층은상기마스크기판상에형성되고, 상기결정부를노출시키는제 1 개구부를갖는다. 흡수층패턴은상기반사층상에형성되고, 상기제 1 개구부와연통된제 2 개구부를갖는다. 따라서, 노광영역으로부터반사된광이주변영역으로부터반사되는광과간섭되는정도가줄어들게되므로, 원하는포토레지스트패턴을정확하게형성할수가있게된다.
Abstract translation: 反射型EUV掩模及其制造方法，所述反射型EUV掩模包括具有曝光区域和外围区域的掩模基板，所述掩模基板包括散射入射到所述周边区域的光并且降低反射率的光散射结晶部分 的周边地区; 在所述掩模基板的上表面上的反射层，所述反射层具有暴露所述结晶部分的第一开口; 以及在所述反射层的上表面上的吸收层图案，所述吸收层图案具有与所述第一开口流体连通的第二开口。
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公开(公告)号：KR101656456B1
公开(公告)日：2016-09-12
申请号：KR1020090104504
申请日：2009-10-30
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/32 , G03F1/26 , H01L21/027
Abstract: 본발명은하프톤형위상반전블랭크포토마스크와하프톤형위상반전포토마스크및 그의제조방법에관한것이다. 하프톤형위상반전포토마스크는, 노광광에대하여투과성을가지는투명기판, 상기투명기판상에형성되고, 중앙의패턴영역(P)과주변의블라인드영역(B)으로구분되며, 상기블라인드영역(B)의두께가상기패턴영역(P)의두께보다더 두꺼우며, 상기패턴영역(P)을통해서노광광을위상반전시키는시프트패턴및 상기블라인영역(B)의시프트패턴상에형성되고, 노광광에대하여차광성을가지는차광패턴을포함한다.
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公开(公告)号：KR1020120105929A
公开(公告)日：2012-09-26
申请号：KR1020110023656
申请日：2011-03-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/027
CPC classification number: G03F1/24 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/0275 , H01L21/0337
Abstract: PURPOSE: A reflective extreme ultraviolet mask and a manufacturing method thereof are provided to accurately form a photoresist pattern by forming a crystalline section scattering light on a mask substrate. CONSTITUTION: A mask substrate(110) includes a crystalline section(112) for reducing reflectivity. A reflecting layer(120) with a first opening(126) exposes the crystalline section. The reflecting layer is formed on the upper part of the mask substrate. A reflective extreme ultraviolet mask includes an absorption layer pattern(130) with a second opening(138). The reflective extreme ultraviolet mask is formed on the reflecting layer and connected to the first opening. [Reference numerals] (AA) Peripheral area; (BB) Light exposing area; (CC) Peripheral area
Abstract translation: 目的：提供一种反射性极紫外线掩模及其制造方法，以通过在掩模基板上形成结晶部分散射光来精确地形成光致抗蚀剂图案。 构成：掩模基板（110）包括用于降低反射率的结晶部分（112）。 具有第一开口（126）的反射层（120）露出结晶部分。 反射层形成在掩模基板的上部。 反射性极紫外线掩模包括具有第二开口（138）的吸收层图案（130）。 反射性极紫外线掩模形成在反射层上并连接到第一开口。 （附图标记）（AA）外围区域; （BB）曝光区域; （CC）周边区域
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公开(公告)号：KR1020110039021A
公开(公告)日：2011-04-15
申请号：KR1020090096277
申请日：2009-10-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G03F1/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , G03F1/54 , G03F1/82 , G03F1/0046
Abstract: PURPOSE: A phase shift mask and a method for manufacturing the same are provided to prevent the change of a phase and the transmittance by completely eliminating impurities on the phase shift mask. CONSTITUTION: A substrate(100) is prepared. A phase shift mask is formed on the substrate. A light-blocking film is formed. A hard mask film is formed. A photosensitive film mask is formed. A hard mask pattern is formed using the photosensitive film mask. A light-blocking pattern and a phase shift film pattern(115) are formed using the hard mask film. A phase shift pattern(118) is formed by partially etching the light-blocking pattern and etching partially exposed substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种相移掩模及其制造方法，以通过完全消除相移掩模上的杂质来防止相位和透射率的变化。 构成：制备基材（100）。 在基板上形成相移掩模。 形成遮光膜。 形成硬掩模膜。 形成感光膜掩模。 使用感光膜掩模形成硬掩模图案。 使用硬掩模膜形成遮光图案和相移膜图案（115）。 通过部分蚀刻遮光图案并蚀刻部分曝光的基板来形成相移图案（118）。
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