公开(公告)号：KR1020080065482A

公开(公告)日：2008-07-14

申请号：KR1020070002650

申请日：2007-01-09

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안미혜 ,  남동석 ,  허성민

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/38 ,  G03F1/144 ,  H01L21/32139

Abstract: A method for forming a sub-resolution assist pattern is provided to form clearly an assist pattern of 90nm or less by improving a manufacturing method without improving resolution of photoresist and using an additional exposure apparatus. A fusing pattern(120) including a main pattern, an assist pattern, and a residual region between the main and assist patterns is formed on a substrate(110). A mask is formed on the fusing pattern in order to open only the residual region. The residual region is removed by using the mask. In the process for removing the mask, a photoresist layer(130) is formed on the fusing pattern. The photoresist layer is exposed by using a pattern of the residual region. The photoresist layer corresponding to the residual region is removed.

Abstract translation: 提供了形成副分辨率辅助图案的方法，通过改进制造方法而不改善光致抗蚀剂的分辨率并使用另外的曝光装置来清楚地形成90nm以下的辅助图案。 在基板（110）上形成包括主图案，辅助图案和主辅助图案之间的残留区域的熔化图案（120）。 在熔合图案上形成掩模，以仅打开残留区域。 通过使用掩模去除残留区域。 在去除掩模的过程中，在熔化图案上形成光刻胶层（130）。 通过使用残留区域的图案来曝光光致抗蚀剂层。 去除与残留区域对应的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：KR1020100060890A

公开(公告)日：2010-06-07

申请号：KR1020080119679

申请日：2008-11-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 안미혜 ,  남동석

IPC: H01L21/027

CPC classification number: G03F1/36 ,  G03F1/144 ,  G03F7/70441

Abstract: PURPOSE: A photomask treating method is provided to improve the efficiency of a photo mask process by correcting a line width of light shielding pattern which is out of a predetermined critical dimension. CONSTITUTION: In a photomask treating method, a substrate is prepared(S110). A light-shielding layer and a photoresist pattern are formed on the substrate(S120). A light-shield pattern is formed on the substrate(S130). The photoresist pattern is removed(S140). It is determines whether the line width of the light-shield pattern is out of a predetermined critical dimension(S150). The line width of the light-shield pattern is corrected(S170).

Abstract translation: 目的：提供光掩模处理方法，通过校正超出预定临界尺寸的遮光图案的线宽来提高光掩模处理的效率。 构成：在光掩模处理方法中，制备基材（S110）。 在基板上形成遮光层和光刻胶图案（S120）。 在基板上形成遮光图案（S130）。 除去光刻胶图案（S140）。 确定遮光图案的线宽是否超出预定临界尺寸（S150）。 修正遮光图案的线宽（S170）。