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公开(公告)号：KR1019980015457A
公开(公告)日：1998-05-25
申请号：KR1019960034760
申请日：1996-08-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 서셉터를 구비한 반도체소자 제조장치 및 서셉터 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 웨이퍼의 상·하 이동을 위해 다수개의 돌출된 모양의 핀이 형성되어 있는 플레이트와 상기 플레이트 상부에 설치되고, 상기 핀들이 형성되어 있는 각각의 위치에 대응되는 제1 위치에 상기 핀들이 관통될 수 있도록하는 홀들이 형성된 서셉터(susceptor)를 구비하는 반도체소자 제조장치에 있어서, 상기 서셉터는 상기 제1 위치가 적어도 하나 이상의 각도로 회전된 후 상기 핀들이 대응되는 서셉터 내의 위치에 형성된 홀들을 더 구비한다. 따라서, 서셉터 내에 핀보다 많은 수의 홀들 서셉터를 회전시키더라도 핀이 관통될 수 있도록 형성함으로써, 하나의 서셉터를 사용하여 웨이퍼를 원하는 방향으로 회전시킨 후 챔버로 이동시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970077663A
公开(公告)日：1997-12-12
申请号：KR1019960017740
申请日：1996-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 커패시터를 제조하기 위하여 반도체 기판상에 상기 반도체 기판의 소정의 영역을 노출시키는 콘택홀이 형성된 절연층 패턴을 형성하고, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘막을 증착한 후 패터닝하여 하부 전극 패턴을 형성하고, 상기 결과물을 세정하고, 진공으로 유지되는 반응 챔버 내에서 상기 하부 전극 패턴 표면에 비정질 실리콘 박층을 증착하고, 상기 비정질 실리콘 박층에 실리콘 결정핵을 생성 및 성장시킴으로써 상기 하부 전극 패턴의 표면에 굴곡형 결정립을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 결정립이 성장되지 않는 결함을 억제할 수 있으며, 균일한 굴곡형 결정립을 얻을 수 있으므로, 반도체 메모리 장치에 포함된 커패시터의 유효 면적을 효과적으로 증가시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970030821A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950041687
申请日：1995-11-16
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남승희
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 전극구조를 컵형태로 변경하여 캐패시터 면적을 증가시켜 줌으로써 충분한 캐패시턴스를 확보할 수 있는 반도체 장치의 캐패시터의 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘 기판상에 게이트 전극패턴 및 소오스／드레인용 불순물 영역으로 구성된 모스 트랜지스터가 형성되고, 불순물 영역상에 패드 전극이 형성되고, 패드 전극과 비트라인용 콘택홀을 통해 불순물 영역(4)과 연결되는 비트라인이 제1층간 절연막상에 형성된 반도체 장치에 있어서, 비트라인을 포함한 제1층간 절연막상에 제2층간 절연막을 형성하는 공정과, 제1 및 제2층간 절연막을 식각하여 캐패시터용 콘택홀을 형성하는 공정과, 캐패시터용 콘택홀을 포함한 제2층간 절연막상에 제1포토 레지스트막을 형성하는 공정과, 제2층간 절연막상에 절연막을 증착하고 에치백하여, 포토 레지스트막사이에 절연막을 남겨두는 공정과, 제1포토 레지스트막을 제거하여 캐패시터용 콘택홀을 노출시키는 공정과, 노출된 캐패시터용 콘택홀을 포함한 기 전면에 다결정 실리콘막을 형성하는 공정과, 절연막사이의 다결정 실리콘막상에 제2포토 레지스트막을 형성하는 공정과, 제2포토 레지스트막을 마스크로 하여 다결정 실리콘막을 식각하여 하부전극을 형성하는 공정과, 제2포토 레지스트막을 마스크로 하여 절연막을 제거하는 공정과, 제2포토 레지스트막을 제거하는 공정과, 기판전면에 유전체막을 형성하는 공정과, 유전체막상에 상부 전극을 형성하는 공정을 포함한다.-
公开(公告)号：KR100234383B1
公开(公告)日：1999-12-15
申请号：KR1019960029887
申请日：1996-07-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명에서는 커패시터의 하부 전극 표면에 HSG(Hemispherical Grain) 실리콘층을 형성하기 위하여 하부 전극 패턴이 형성된 반도체 기판을 진공으로 유지되는 제1 반응 챔버내에 로딩하고, 제1 반응 챔버 내의 온도를 실리콘 결정핵 형성에 필요한 온도까지 상승시키고, 소정의 반응 가스를 공급하여 상기 하부 전극 패턴의 표면에 실리콘 결정핵을 형성하고, 반도체 기판을 상기 제1 반응 챔버와는 분리되어 있는 제2 반응 챔버에서 어닐링 처리하여 상기 하부 전극 패턴의 표면에 HSG 실리콘층을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의하면, 커패시터의 하부 전극 표면에 HSG 실리콘층을 형성할 때 일정한 조건하에서 어닐링 공정을 행하여 결함이 없는 균일한 상태의 HSG 실리콘층을 형성할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100219482B1
公开(公告)日：1999-09-01
申请号：KR1019960017740
申请日：1996-05-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L27/1085 , H01L28/84 , Y10S438/964
Abstract: 본 발명은 반도체 메모리 장치의 커패시터 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 반도체 기판상에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어지는 하부 전극 패턴을 형성한다. 상기 하부 전극 패턴 표면의 오염물과 표면 산화막을 제거하기 위해 상기 하부 전극 패턴이 형성된 결과물을 세정한다. 진공으로 유지되는 반응 챔버 내에서 실리콘 결정핵 형성이 억제되도록 상기 반응 챔버 내의 온도를 조절하면서 상기 반응 챔버 내에 실리콘 형성을 위한 소정의 가스를 소정 시간 동안 공급함으로써 상기 하부 전극 패턴 표면에 비정질 실리콘 박층을 증착한다. 상기 비정질 실리콘 박층 증착 단계에 이어서 진공을 유지하면서 연속적으로 상기 반도체 기판의 온도를 상승시키면서 상기 반응 챔버 내에 상기 소정의 가스를 공급하여 상기 비정질 실리콘 박층 위에 실리콘 결정핵을 형성한다. 상기 실리콘 결정핵 형성 단계에 이어서 진공을 유지하면서 연속적으로 상기 실리콘 결정핵을 성정시켜서 상기 하부 전극 패턴의 표면에 굴곡형 결정립을 형성한다.
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公开(公告)号：KR1019980021208A
公开(公告)日：1998-06-25
申请号：KR1019960039995
申请日：1996-09-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 화학기상증착 장비가 개시되어 있다. 이 장비는 반응 가스가 화학적으로 반응하는 밀폐된 챔버와, 상기 챔버의 바닥에 설치되어 웨이퍼를 올려놓는 서셉터와, 상기 서셉터의 주위를 감싸도록 설치되어 챔버 내의 온도를 조절하는 히터와, 상기 히터의 내부에 설치되고 상기 챔버의 안쪽을 향하여 일정길이를 갖도록 돌출된 가스 주입관과, 상기 챔버의 바닥의 소정영역에 연통되어 반응된 가스를 챔버 외부로 배출시키는 가스 배출관을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 따라, 본 발명의 화학기상증착장비를 이용하여 HSG 실리콘막을 형성하는 경우에 HSG 실리콘 핵 밀도를 균일하게 형성할 수 있고, HSG 실리콘막의 재현성을 개선시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980005350A
公开(公告)日：1998-03-30
申请号：KR1019960025232
申请日：1996-06-28
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 남승희
IPC: H01L27/108
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公开(公告)号：KR1019970030256A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950042627
申请日：1995-11-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/20
Abstract: 웨이퍼와 척이 접촉하는 면적을 줄일 수 있는 스핀 코팅장치에 관하여 개시한다. 본 발명은 척과, 상기 척에 놓이는 웨이퍼와, 상기 웨이퍼와 척을 고정하는 진공수단을 구비하는 스핀 코팅장치에 있어서, 상기 진공수단과 상기 웨이퍼의 접촉부분은 면적이 최소화되도록 방사형(radial type) 또는 자유형(random type)으로 구성되는 것을 특징으로 하는 스핀 코팅장치를 제공한다. 본 발명에 의하명, 진공수단과 웨이퍼와의 접촉부위를 최소로 하여 균일한 두께의 박막을 효과적으로 제조할 수 있다.
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