公开(公告)号：KR100275719B1

公开(公告)日：2001-01-15

申请号：KR1019960030154

申请日：1996-07-24

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남승희 ,  김영선

IPC: H01L27/04

Abstract: PURPOSE: A method for evaluating a fabricating process of a semiconductor device is provided to obtain desired capacitance by optimizing a standard of a process for forming an HSG silicon layer without a damage of a semiconductor substrate. CONSTITUTION: An HSG(Hemi-Spherical Grain) silicon layer is formed on a semiconductor substrate. The HSG silicon layer includes an HSG silicon layer for forming a capacitor and an HSG silicon layer for measuring a characteristic of HSG. The characteristics of the HSG silicon layer such as a height, an area, a surface roughness are measured and quantized by using an AFM(Atomic Force Microscopy). The quantized characteristics of the HSG silicon layer is compared with a working specification. A forming condition of the HSG silicon layer is controlled according to the compared result.

Abstract translation: 目的：提供一种用于评估半导体器件的制造工艺的方法，以通过优化用于形成HSG硅层的工艺的标准而不损坏半导体衬底来获得所需的电容。 构成：在半导体衬底上形成HSG（半球形晶粒）硅层。 HSG硅层包括用于形成电容器的HSG硅层和用于测量HSG特性的HSG硅层。 通过使用AFM（原子力显微镜）测量和量化HSG硅层的特征，例如高度，面积，表面粗糙度。 将HSG硅层的量化特性与工作规范进行比较。 根据比较结果控制HSG硅层的成形条件。

公开(公告)号：KR100207501B1

公开(公告)日：1999-07-15

申请号：KR1019960039861

申请日：1996-09-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영선 ,  박영욱 ,  남승희

IPC: H01L27/108

Abstract: 반도체 메모리 장치의 요철형 실리콘 커패시터 전극 제조 방법에 대하여 개시하고 있다. 본 발명은, 반도체 기판상에 콘택홀을 갖는 제 1 절연막을 형성하는 단계와, 불순물이 도핑된 비정질의 폴리실리콘으로 구성된 도전막을 증착하여 패턴닝함으로써 하부전극 패턴을 형성하는 단계와, 패턴닝된 하부전극의 표면에 희생산화막을 형성하여 표면 오염을 방지하는 단계와, 식각 공정에 의해 상기 산화막을 제거하는 단계와, 상기 하부전극의 표면에 HSG-Si 핵을 형성하고 열처리 공정을 진행하여 요철형의 굴곡이 갖는 HSG(Hemi Spherical Grain) 실리콘층으로 성장시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 커패시터의 제조 방법을 제공한다. 본 발명에 의하면, 커패시터의 하부전극을 형성하는 공정에서 문제가 되는 하부전극 표면의 오염 문제를 해결하여 안정된 특성을 갖는 HSG를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100150985B1

公开(公告)日：1998-10-01

申请号：KR1019940010949

申请日：1994-05-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남승희

IPC: H01L27/108

Abstract: 반도체 장치의 커패시터 형성방법이 개시되어 있다. 반도체 기판상에 제1 산화물 전극을 형성하고, 상기 제1 산화물 전극 상에 유전막을 형성한 다음, 상기 유전막 상에 제2 산화물 전극을 형성한다. 저저항의 산화물을 이용하여 전극을 형성함으로써, 접착 특성을 개선함과 동시에 전극의 산화를 방지하고, 커패시턴스의 저하를 방지하며, 구조적으로 간단하면서도 신뢰성 있는 커패시터를 제조할 수 있다.

公开(公告)号：KR100269287B1

公开(公告)日：2000-11-01

申请号：KR1019960056789

申请日：1996-11-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심세진 ,  진유찬 ,  남승희

IPC: H01L21/22

CPC classification number: H01L28/82

Abstract: PURPOSE: A method for forming HSG is provided to increase the Cmin/Cmax ratio using a method of doping a hemi-spherical grain(HSG) itself. CONSTITUTION: A method for forming HSG forms a field oxide film on a semiconductor substrate with a given distance maintained. A transistor is formed on a defined active region. An interlayer dielectric is formed and a contact is then formed in the interlayer dielectric to expose the substrate. The first electrode being the underlying electrode of a capacitor is formed in the exposed substrate by the mediation of a conductive plug. A hemi-spherical grain(HSG) nucleus is formed on the entire surface of the first electrode using silane(SiH4) or disilane(Si2H6). The results are processed by heat treatment to form an HSG. After the HSG is formed, a doping gas for doping the HSG in-situ is flowed to the entire surface of the HSG. The results is annealed at the temperature of 560-630 Celsius degree for a given hours.

Abstract translation: 目的：提供一种形成HSG的方法，以使用掺杂半球形颗粒（HSG）本身的方法来提高Cmin / Cmax比率。 构成：形成HSG的方法在保持给定距离的半导体衬底上形成场氧化膜。 晶体管形成在限定的有源区上。 形成层间电介质，然后在层间电介质中形成接触以露出衬底。 通过导电插塞的介导，在暴露的基板中形成作为电容器底层电极的第一电极。 使用硅烷（SiH4）或乙硅烷（Si2H6）在第一电极的整个表面上形成半球形晶粒（HSG）核。 通过热处理处理结果以形成HSG。 在形成HSG之后，用于原位掺杂HSG的掺杂气体流到HSG的整个表面。 结果在560-630℃的温度下退火一定时间。

公开(公告)号：KR100238202B1

公开(公告)日：2000-01-15

申请号：KR1019960034760

申请日：1996-08-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영선 ,  남승희

IPC: H01L21/68

Abstract: 서셉터를 구비한 반도체소자 제조장치 및 서셉터 제조방법을 개시하고 있다. 이는, 웨이퍼의 상·하 이동을 위해 다수개의 돌출된 모양의 핀이 형성되어 있는 플레이트와 상기 플레이트 상부에 설치되고, 상기 핀들이 형성되어 있는 각각의 위치에 대응되는 제1 위치에 상기 핀들이 관통될 수 있도록하는 홀들이 형성된 서셉터(susceptor)를 구비하는 반도체소자 제조장치에 있어서, 상기 서셉터는 상기 제1 위치가 적어도 하나 이상의 각도로 회전된 후 상기 핀들이 대응되는 서셉터 내의 위치에 형성된 홀들을 더 구비한다. 따라서, 서셉터 내에 핀보다 많은 수의 홀들 서셉터를 회전시키더라도 핀이 관통될 수 있도록 형성함으로써, 하나의 서셉터를 사용하여 웨이퍼를 원하는 방향으로 회전시킨 후 챔버로 이동시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100230364B1

公开(公告)日：1999-11-15

申请号：KR1019960025232

申请日：1996-06-28

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남승희

IPC: H01L27/108

Abstract: 본 발명에 의한 커패시터 제조 방법은, 비정질 실리콘막 표면에 HSG을 성장시키고 상기 HSG막 표면에 산화 및 습식 식각 공정을 실시하여 요철 모양의 스토리지 전극을 형성하는데, 이때 상기 HSG 성장 공장시 상기 비정질 실리콘막 표면이외의 영역에 나타난 결함도 함께 제거됨으로써 커패시터의 유효면적이 커지고 용량이 증가되는 잇점이 있다.

公开(公告)号：KR100200728B1

公开(公告)日：1999-06-15

申请号：KR1019960040695

申请日：1996-09-18

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김영선 ,  박영욱 ,  남승희

IPC: H01L51/00 ,  H01L21/00 ,  H01L21/28

公开(公告)号：KR100165442B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950030684

申请日：1995-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남승희 ,  김병희

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은 박막 형성 장치 및 박막 형성 방법에 관해 게시한다.
반응챔버를 형성하는 벨자(bell jar)와 상기 벨자를 감싸는 벨자 히터(heater)와 상기 벨자 내부에 설치되어 웨이퍼를 가열시키는 히터 블록과 상기 히터 블록 측벽에 형성된 열차단기(thermal shield)와 상기 벨자 내부에서 히터 블록 상부에 형성된 상판(top plate)과 상기 벨자 하부에 형성된 서스 챔버와 상기 벨자 내부에 웨이퍼를 주입하는 로드락포트(load-lock port)와 상기 히터 블록상에 위치한 웨이퍼 장착용 서셉터(susceptor)와 상기 벨자 내부의 진공 형성을 위한 진공포트 및 상기 벨자 내부에 반응가스를 주입하기 위한 반응가스주입구를 구비한 막판 형성 장치를 사용함으로서 박막 균일도가 향상된다.

公开(公告)号：KR100155883B1

公开(公告)日：1998-10-15

申请号：KR1019950030682

申请日：1995-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 남승희

IPC: H01L27/108

Abstract: 스토리지 전극, 유전체막 및 플레이트 전극을 포함하는 3차원 구조의 반도체 장치의 커패시터를 개시한다. 상기 스토리지 전극은, 반도체 기판상에 접속된 하부와, 소정의 크기의 직사각형 모양인 제1 도전물질이 여러 층으로 되어 양단에서는 서로 연결되어 있지만 양단이외는 서로 분리되어 사이사이에 공동이 형성되어 있는 상부로 구성되어 있으며, 상기 플레이트 전극은, 상기 공동에서 유전물질을 사이에 개재하고 제1 도전물질이 각 공동에 끼어져 층층으로 구성되고 상기 스토리지 층들이 상호 연결된 지점에 수집한 방향에서 각 층이 연결된 하부와 기판 전면에 증착된 상부로 플레이트 전극을 구성하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 커패시터을 제공한다. 본 발명에 의하면, 다층의 절연막, 예컨대 실리콘 산화막을 사용하여 비트라인 방향으로 스토리지 전극을 형성하고 워드라인 방향으로 플레이트전극을 형성하므로써, 새로운 3차원 구조의 커패시터 구조를 이용하게 되어 수배의 충전용량을 확보할 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980041242A

公开(公告)日：1998-08-17

申请号：KR1019960060521

申请日：1996-11-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 심세진 ,  진유찬 ,  남승희 ,  강승동

IPC: H01L27/108 ,  H01L21/20

Abstract: HSG형성용 웜웰형 반응챔버 및 이를 이용한 커패시터 형성방법에 관해 개시한다. 반응챔버의 웰의 온도를 200℃∼500℃정도로 유지하고 상기 반응챔버로부터 열 방출을 방지할 수 있는 외부수단을 구비하여 상기 반응챔버에 유입되는 HSG형성용 반응가스를 공정내내 안정적으로 프리 히팅시켜서 실리콘 전극의 표면에 선택적으로 HSG를 형성할 수 있으며 HSG핵의 형성에서부터 HSG형성에 이르는 공정까지의 시간을 매우 짧게할 수 있다.