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公开(公告)号：KR1019980011987A
公开(公告)日：1998-04-30
申请号：KR1019960028236
申请日：1996-07-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/304
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公开(公告)号：KR1019910010643A
公开(公告)日：1991-06-29
申请号：KR1019890017104
申请日：1989-11-24
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/308
Abstract: 내용 없음
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公开(公告)号：KR1020150059356A
公开(公告)日：2015-06-01
申请号：KR1020130142843
申请日：2013-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 유정식
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06F17/5072 , G06F17/5077
Abstract: 반도체장치의설계도제공방법에있어서, 복수의컴포넌트들, 전원전압및 접지전압사이의연결관계를나타내는회로도를생성하고, 상기회로도를인쇄회로기판(Printed Circuit Board; PCB) 상에구현할때 적용되는복수의레이아웃제약조건들을복수의그래픽심볼(graphic symbol)들을사용하여상기회로도상에표시한다. 반도체장치의설계도제공방법은반도체장치에포함되는복수의컴포넌트들사이의연결정보및 반도체장치를인쇄회로기판상에구현할때 적용되는레이아웃정보를동시에효과적으로전달할수 있다.
Abstract translation: 提供根据本发明的半导体器件的设计的方法产生表示多个部件之间的连接，电源电压和接地电压的电路图，并且显示当实现该部件时应用的多个布局限制条件 电路图在印刷电路板（PCB）上，通过使用多个图形符号。 提供半导体器件的设计的方法有效地将包括在半导体器件中的多个部件中的连接信息和在印刷电路板上实现半导体器件时所应用的布局信息两者传递。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020070020743A
公开(公告)日：2007-02-22
申请号：KR1020050074960
申请日：2005-08-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/3244 , C23C16/505 , H01J37/32559 , H01L21/67069
Abstract: 본 발명은 전극에 아크가 발생되는 것을 미연에 막을 수 있을 뿐만 아니라 반응 가스의 확산을 보다 향상시킬 있는 플라즈마 공정 장치를 제공하는 것이 그 기술적 과제이다. 이를 위해, 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 공정 장치는, 작업 챔버가 형성된 바디와, 작업 챔버의 일측에 위치되며 작업 챔버에 고주파 에너지를 인가하기 위해 외부 전원과 연결되는 제1 전극과, 그리고 작업 챔버의 일측에 대향되는 타측에 위치되며 접지되는 제2 전극을 포함하고, 제1 전극에는 작업 챔버로 반응 가스를 분사시키기 위한 분사공이 형성되고, 그리고 제1 전극의 저면과 분사공의 내주면 사이에는 라운드 처리된다.
플라즈마, 전극, 반응 가스, 분사공-
公开(公告)号：KR100519959B1
公开(公告)日：2006-01-27
申请号：KR1019980048749
申请日：1998-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: 본 발명은 기판 로딩 장치에 관한 것으로, 본 발명에서는 기판 얼라인 툴을 이용하여, 기판이 회전 샤프트들에 얹혀지기 이전에 미리 기판의 양 엣지를 가이드함으로써, 기판이 회전 샤프트들의 기준 위치에 균형잡힌 상태로 얼라인될 수 있도록 한다. 이 경우, 기판은 기판 얼라인 툴의 단순 기구동작에 의해 회전 샤프트들의 기준 위치에 정확히 얼라인되게 된다.
이러한 본 발명이 달성되면 기판의 얼라인과정에, 센서와 설비 콘트롤러 사이의 복잡한 전기신호 교환이 배재되기 때문에, 불필요한 공정시간 증가가 현저히 억제되며, 결국, 이송로봇은 자신의 구동효율을 극대화하여 보다 많은 량의 기판을 설비로 이송시킬 수 있다.-
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公开(公告)号：KR1020050034115A
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：KR1020030069938
申请日：2003-10-08
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
Abstract: 기판 위에 게이트선 및 노광 반사선을 형성하는 단계, 게이트선 및 노광 반사선 위에 게이트 절연막 및 반도체층을 연속하여 적층하는 단계, 반도체층을 사진 식각하는 단계, 반도체층 위에 하부 도전막과 상부 도전막을 증착하는 단계, 상부 도전막 및 하부 도전막을 사진 식각하여 데이터선을 형성하는 단계, 데이터선 위에 보호막을 증착하는 단계, 보호막을 사진 식각하여 접촉 구멍을 형성하는 단계, 접촉 구멍을 통해 데이터선의 일부와 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 접촉 구멍은 노광 반사선과 일부 중첩하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
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公开(公告)号：KR1020020004577A
公开(公告)日：2002-01-16
申请号：KR1020000038604
申请日：2000-07-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: C23F1/16
CPC classification number: C23F1/26 , C23F1/02 , G02F1/136286 , G02F2001/136295 , H01L21/0274
Abstract: PURPOSE: A chromium etching composition is provided to simplify etching operations for liquid crystalline display element gate or source/drain wiring thereof. CONSTITUTION: The chromium etching composition comprises 8-12wt.% ceric ammonium nitrate, 9-13wt.% perchloric acid, 0.9-1.1wt.% formic acid, the balance of water. The method for liquid crystalline display element gate or source/drain comprises photolithography of a gate electrode wiring; ashing the gate electrode wiring with oxygen; etching the aluminium of the ashed gate electrode wiring; strip of photoresist of the aluminium-ashed gate electrode wiring; etching chromium of the photoresist-stripped gate electrode wiring with the chromium etching composition of the present invention.
Abstract translation: 目的：提供铬蚀刻组合物以简化液晶显示元件栅极或其源极/漏极布线的蚀刻操作。 构成：铬蚀刻组合物包含8-12重量％的硝酸铈铵，9-13重量％的高氯酸，0.9-1.1重量％的甲酸，余量的水。 液晶显示元件栅极或源极/漏极的方法包括栅电极布线的光刻法; 用氧气对栅电极布线进行灰化; 蚀刻灰化栅电极布线的铝; 铝栅极电极布线的光致抗蚀剂条; 用本发明的铬蚀刻组合物蚀刻光致抗蚀剂剥离的栅电极布线的铬。
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