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公开(公告)号：KR1020120137051A
公开(公告)日：2012-12-20
申请号：KR1020110056339
申请日：2011-06-10
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: G06F12/0246 , H01L24/73 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06562 , H01L2225/06565 , H01L2225/06589 , H01L2225/1023 , H01L2225/1058 , H01L2924/15153 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19103 , H01L2924/19105 , H01L2924/30107 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: PURPOSE: A SSD(solid state drive) package and a manufacturing method thereof are provided to produce an excellent performance characteristic by efficiently arranging a transmission path of a signal. CONSTITUTION: A SSD package comprises a controller package(120) and one or more nonvolatile memory packages(110). The controller package and one or more nonvolatile memory packages are connected in a PoP(package-on-package) mode. Data input/output of the nonvolatile memory package is controlled by the controller package. The controller package comprises an SSD controller chip(124).
Abstract translation: 目的：提供SSD（固态驱动器）封装及其制造方法，以通过有效地布置信号的传输路径来产生优异的性能特性。 构成：SSD封装包括控制器封装（120）和一个或多个非易失性存储器封装（110）。 控制器包和一个或多个非易失性存储器包以PoP（封装封装）模式连接。 非易失性存储器包的数据输入/输出由控制器封装控制。 控制器组件包括SSD控制器芯片（124）。
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公开(公告)号：KR100997964B1
公开(公告)日：2010-12-02
申请号：KR1020030038713
申请日：2003-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/12 , C23C16/4405 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1259
Abstract: 절연 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계, 게이트선 위에 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 형성하는 단계, 저항성 접촉층 위에 소스 전극 및 드레인 전극을 포함하는 데이터선을 형성하는 단계, 데이터선 위에 보호막을 증착하는 단계, 보호막 위에 드레인 전극과 접촉구를 통해 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하고, 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 형성하는 단계는 CVD 장치에서 연속 공정으로 이루어지며, 게이트 절연막, 반도체층 및 저항성 접촉층을 형성하기 전에 CVD 장치의 내부를 F
2 로 클리닝하는 공정을 더 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법.
CVD, F₂, 클리닝가스-
公开(公告)号：KR1020060062938A
公开(公告)日：2006-06-12
申请号：KR1020040101945
申请日：2004-12-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/1255 , G02F1/136213 , G02F1/136286
Abstract: 제조 공정의 안정성을 확보하기 위한 표시패널용 기판 및 이의 제조 방법이 개시된다. 표시패널용 기판은 스토리지 전극, 제1 보호막, 스토리지 라인, 연결 전극을 포함한다. 스토리지 전극은 기판의 표시 영역에 게이트 라인과 평행하게 형성된다. 제1 보호막은 스토리지 전극을 덮는다. 스토리지 라인은 표시 영역의 주변 영역에 제1 보호막을 커버하면서 데이터 라인과 평행하게 형성된다. 제2 보호막은 스토리지 라인을 덮도록 제1 보호막 상에 형성된다. 연결 전극은 스토리지 라인의 일부가 노출되도록 제2 보호막에 형성된 제1 홀과, 스토리지 전극이 노출되도록 제1 및 제2 보호막에 형성된 제2 홀을 경유하여, 스토리지 라인과 스토리지 전극을 전기적으로 연결시킨다. 이에 따라, 스토리지 라인의 노출되는 면적을 감소시켜 정전기의 발생 면적을 줄임으로써, 제조 공정의 안정성을 확보할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020060040864A
公开(公告)日：2006-05-11
申请号：KR1020040089789
申请日：2004-11-05
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13
CPC classification number: H01L21/67069 , G02F1/1303 , G02F2001/136295 , H01L21/3065 , H01L21/32136
Abstract: 기판을 식각하는 식각 장치 및 이를 갖는 식각 설비가 개시된다. 식각 장치은 챔버, 제 1 전극, 제 2 전극 및 가스 공급 유닛을 포함한다. 제 1 전극은 챔버에 배치된다. 제 2 전극은 제 1 전극과 마주보도록 배치되며, 에지를 따라 페데스탈(pedestal)부가 형성되고 기판이 배치되는 전극 몸체, 적어도 2 조각으로 이루어지며 페데스탈부를 따라 배치된 세라믹 쉴드 커버들 및 페데스탈부 상에 배치되며 세라믹 쉴드 커버들의 사이에 개재되어 세라믹 쉴드 커버들을 상호 연결시키는 세라믹 연결 부재들을 포함한다. 가스 공급 유닛은 제 1 전극 및 제 2 전극의 사이에 플라즈마 가스를 제공한다. 세라믹 쉴드 커버들 및 세라믹 연결 부재가 내마모성 및 내열성을 갖는 세라믹으로 이루어짐에 따라, 기판이 플라즈마 식각될 때 세라믹 쉴드 커버들 및 세라믹 연결 부재가 마멸되거나 열에 의해 변성되는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020050116078A
公开(公告)日：2005-12-09
申请号：KR1020040040993
申请日：2004-06-04
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32541 , H01J37/3255 , H01L21/67069
Abstract: 본 발명은 일면이 기판과 대면하며 플라즈마 발생장치에 사용되는 전극에 관한 것으로, 판상의 전극체와, 상기 기판과 대면하는 상기 전극체의 면에 형성된 복수의 돌기와, 양극산화법을 통하여 상기 기판과 대면하는 상기 전극체의 면과 상기 복수의 돌기의 표면에 형성된 금속산화물층을 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 기판과 점접촉을 하면서도 기판의 얼룩발생을 방지할 수 있는 플라즈마 발생장치용 전극이 제공된다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050106785A
公开(公告)日：2005-11-11
申请号：KR1020040031815
申请日：2004-05-06
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/3065
CPC classification number: H01J37/32559 , H01J37/3255 , H01L21/67069
Abstract: 본 발명은 플라즈마 발생장치용 전극을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 가스통과공이 형성되어 있는 전극재료를 마련하는 단계와, 상기 전극재료를 양극산화처리하는 단계와, 상기 양극산화처리된 전극재료를 1차 실링처리하는 단계와, 상기 1차 실링처리된 전극재료에 대해 상기 가스통과공에 인접한 영역을 제외하고 마스킹하는 단계와,상기 마스킹된 전극재료를 2차 실링처리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의하여 가스통과공 주변의 실링 정도를 선택적으로 높일 수 있어 아크발생을 감소시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020040107986A
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：KR1020030038713
申请日：2003-06-16
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: H01L27/12 , C23C16/4405 , H01L21/84 , H01L27/1214 , H01L27/124 , H01L27/1259
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a thin film transistor display panel is provided to prevent environmental pollution and reduce the manufacturing cost of cleaning gas by using environment-friendly gas. CONSTITUTION: Gate lines are formed on an insulating substrate(110). A gate insulating layer, a semiconductor layer, and an ohmic contact layer are formed on the gate lines. Before forming the gate insulating layer, the semiconductor layer, and the ohmic contact layer, an inside of a CVD(Chemical Vapor Deposition) device is cleaned by F_2. Data lines including source and drain electrodes are formed on the ohmic contact layer. A passivation film is deposited on the data lines. Pixel electrodes are formed on the passivation film, and are connected with drain electrodes through contact holes.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜晶体管显示面板的方法，以通过使用环境友好的气体来防止环境污染并降低清洁气体的制造成本。 构成：栅极线形成在绝缘基板（110）上。 在栅极线上形成栅极绝缘层，半导体层和欧姆接触层。 在形成栅极绝缘层，半导体层和欧姆接触层之前，通过F_2清洁CVD（化学气相沉积）器件的内部。 包括源极和漏极的数据线形成在欧姆接触层上。 钝化膜沉积在数据线上。 像素电极形成在钝化膜上，并通过接触孔与漏电极连接。
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公开(公告)号：KR1020010003399A
公开(公告)日：2001-01-15
申请号：KR1019990023692
申请日：1999-06-23
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L29/786
Abstract: PURPOSE: An etchant of 6a group is to improve an etching efficiency for a bottom metallic layer in a process for etching a double layer structured gate. CONSTITUTION: An etchant of 6a group comprises 10 to 13% by weight of Ce(NH4)x(NO3)y, wherein x exceeds zero, and y exceeds zero; 4 to 6% by weight of HClO4; and 1 to 3% by weight of CH3COOH, alternatively Ce(NH4)x(NO3)y, wherein x exceeds zero and y exceeds zero, being contained by 11 to 13% by weight, HClO4 being contained by 4 to 5% by weight, CH3COOH being contained by 1 to 2% by weight, and x is 2 and y is 6. Using the etchant, a Cr layer is selectively etched and the remaining chemical components after etching does not nearly exist, so that the Cr layer being directly etched immediately after an Al alloy layer is etched and therefrom a photoresist is stripped off, thus to eliminate a hard baking process and an ashing process.
Abstract translation: 目的：6a组的蚀刻剂是在蚀刻双层结构栅极的工艺中提高底部金属层的蚀刻效率。 构成：6a族的蚀刻剂包含10至13重量％的Ce（NH 4）x（NO 3）y，其中x超过零，y超过0; 4至6重量％的HClO 4; 和1至3重量％的CH 3 COOH，或者Ce（NH 4）x（NO 3）y，其中x超过零且y超过零，含有11至13重量％，HClO 4含有4至5重量％ ，CH 3 COOH为1〜2重量％，x为2，y为6.使用蚀刻剂，选择性地蚀刻Cr层，蚀刻后残留的化学成分几乎不存在，使Cr层直接 在Al合金层被蚀刻后立刻蚀刻，从而剥离光致抗蚀剂，从而消除硬烘烤过程和灰化过程。
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公开(公告)号：KR1020000032327A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980048749
申请日：1998-11-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/68
Abstract: PURPOSE: An apparatus for loading a substrate is provided to accurately and fast align a substrate without electric control, and to prevent a damage to the substrate. CONSTITUTION: An apparatus for loading a substrate comprises rotation shafts(110) and substrate alignment tools(100). The rotation shafts(110) are serially arranged in a substrate inlet of an equipment(401) to transfer substrates with a predetermined speed in the equipment(401). Pairs of the substrate alignment tools(100) are arranged at each side of the rotation shafts(110) to guide two edges of the substrate to be put on the rotation shafts(110), so that the substrate can be aligned with the balance at a reference position of the rotation shafts(110).
Abstract translation: 目的：提供一种用于装载基板的装置，用于在不进行电气控制的情况下准确且快速地对准基板，并且防止对基板的损坏。 构成：用于装载基板的装置包括旋转轴（110）和基板对准工具（100）。 旋转轴（110）串联地设置在设备（401）的基板入口中，以在设备（401）中以预定的速度传送基板。 基板对准工具（100）的一对布置在旋转轴（110）的每一侧，以引导要放置在旋转轴（110）上的基板的两个边缘，使得基板可以与天平对准 旋转轴（110）的基准位置。
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公开(公告)号：KR1019930006842A
公开(公告)日：1993-04-22
申请号：KR1019910016278
申请日：1991-09-18
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/302
Abstract: 반도체 장치의 제조공정중에서 웨이퍼 등의 피처리물에 관하여 워터마크(Water mark)가 발생하지 않게 표면처리를 하는 방법에 관한 것으로, 소정수의 처리조를 포함한 처리조 열에 따라 소정의 피처리물을 이송하면서 상기 피처리물을 소정의 순서로 상기 처리조중의 처리액에 담구었다가 들어올리는 단계와, 소정 회수로 순수가 담긴 처리조에 상기 피처리물을 담구었다가 들어올리는 순수세정 단계와, 순수세정한 피처리물을 건조기로 이송하여 건조하는 단계를 포함하는 상기 피처리물의 표면을 처리하는 반도체 장치의 표면처리 방법에 있어서, 상기 순수 세정단계의 마지막 세정단계에서 피처물이 순수가 담긴 처리조 내에 잠겨 있는 상태에서 순수를 배수하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
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