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公开(公告)号：KR1019960003060A
公开(公告)日：1996-01-26
申请号：KR1019940013529
申请日：1994-06-15
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H02P5/00
Abstract: 이 발명은 공진형 인버터에 관한 것으로,공진형 인버터가 갖는 MOSFET와 병렬로 연결된 캐패시터 양단전압을 감지하여 주 스위칭 소자의 영전압 스위칭을 보장하는 공진 전압감지 방법을 사용하여 공진형 인버터에 고효율 고주파 스위칭을 실현할 수 있는 영전압 스위칭 제어회로를 제공하고자 하는 목적으로 공진형 인버터에 전원이 인가되면 이 전원의 정류 전압과 주 스위칭 소자간의 전압을 감지하여 이 값이 미리 설정된 값과 일치되는 경우,주 스위칭 소자를 제어하는 구형파를 입력 받아서 영전압 스위칭을 수행하는 시스템부와,상기의 시스템부내에 주 스위칭 소자 양단간 전압과 전원의 정류 전압을 감지하여 영전압 스위칭 동작이 필요한지를 판단하여 상기 시스템부가 영전압 스위칭을 수행하도록 제어하는 영전압 스위칭 제어부와,영전압 스 칭 제어부의 제어신호를 입력 받아서 상기의 시스템부내의 주 스위칭 소자를 턴온시킬 수 있도록 구형파를 제공하는 제어부로 구성되어짐을 동작상의 특징으로 하는 공진형 인버터의 영전압 스위칭 제어회로를 구비한 공진형 인버터에 관한 것.
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公开(公告)号：KR1019930015975A
公开(公告)日：1993-07-24
申请号：KR1019910022910
申请日：1991-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 지경하
IPC: H05B41/14
Abstract: 본 발명은 자동차 조명시스템에서 발광효율이 높은 방전램프를 점등하기 위한 고주파 공진형 전자식 안정기회로에 관한 것으로 자동차에 인가되는 직류저전압을 승압시키기 위한 승압회로와 승압된 직류고전압을 교류전압으로 변환하는 고주파 공진형 컨버어터회로 및 방전램프로 구성되어 있다.
본 발명 고주파 전자식 안정기회로를 이용한 방전램프를 자동차 조명시스템에 적용할 경우 자동차엔진을 포함한 발전기 및 밧테리 용량의 소형, 경량화를 기대할 수 있으며 자동차 주행연비향상과 함께 에너지 절약차원에서 큰 효과를 기대할 수 있다.-
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公开(公告)号：KR100157093B1
公开(公告)日：1998-12-15
申请号：KR1019940035976
申请日：1994-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B41/38
CPC classification number: H05B41/392 , H05B41/3925 , Y10S315/04
Abstract: 본 발명은 궤환디밍 제어회로를 공개한다. 그 회로는 소정의 궤환전류와 전원전압을 입력하여 승산하기 위한 승산수단, 형광 램프의 수량을 감지하고, 감지된 결과를 선택 신호로서 출력하는 등 감지 수단, 소정 수의 기준전압들을 입력하고, 선택 신호에 응답하여 기준 전압들중 하나를 선택하여 출력하는 기준 전압 선택 수단, 기준전압으로부터 승산수단의 출력전압을 감산하고, 감산된 결과를 에러신호로서 출력하는 제1가감수단, 에러신호를 증폭하기 위한 에러 증폭수단, 에러 증폭수단의 출력신호를 반전하기 위한 반전수단, 반전수단의 출력신호로부터 전원전압을 감산하기 위한 제2감산수단, 상기 감산수단의 출력신호를 입력하여 소정의 주파수로 발진하는 발진 주파수 신호를 생성하고, 상기 발진 주파수 신호를 소정율로 분주하여 출력하는 발진 및 분주 수단, 및 발진 주파수 신호를 소정율로 분주하여 출력하는 발진 및 분주 수단, 및 발진 및 분배수단의 출력 주파수 신호에 응답하여 공진하고 상기 궤환전류를 발생하기 위한 공진탱크로 구성되어 있다. 따라서, 다등점등방식에 적용하여 비례적인 디밍기능이 될 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960028710A
公开(公告)日：1996-07-22
申请号：KR1019940035976
申请日：1994-12-22
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B41/38
Abstract: 본 발명은 궤환 디밍 제어회로를 공개한다. 그 회로는 궤환 전류와 전원전압을 입력하여 승산하기 위한 승산수단, 기준전압으로 부터 상기 승산수단의 출력전압을 감산하여 에러신호를 발생하기 위한 제1가감수단, 상기 에러신호를 증폭하기 위한 에러 증폭수단, 상기 에러 증폭수단의 출력신호를 반전하기 위한 반전수단, 상기 반전수단의 출력신호로 부터 상기 전원전압을 감산하기 위한 제2감산수단, 상기 감산수단의 출력신호를 입력하여 발진하고 전압을 분배하기 위한 발진 및 분배수단, 상기 발진 및 분배수단의 출력 주파수 신호에 응답하여 공진하고 상기 궤환전류를 발생하기 위한 공진탱크로 구성되어 있다. 따라서 다등점등방식에 적용하여 비례적인 디밍기능이 될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019960017375A
公开(公告)日：1996-06-17
申请号：KR1019940031742
申请日：1994-11-29
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: B60S1/08
Abstract: 모터의 회전 동작으로 자동차 와이퍼의 동작이 이루어질 경우 와이퍼의 동작 형태와 무관하게 와이퍼 모터의 과부하 상태를 감지하여 와이퍼 모터를 보호하고 자동차의 재시동 동작에 무관하게 와이퍼 모터를 재구동시킬 수 있도록 하기 위하여, 사용자에 의해 접속 상태가 가변되어 자동차 와이퍼의 동작상태를 제어하기 위한 제어 신호 발생수단과; 사용자에 의해 접속 상태가 가변되어 자동차 와이퍼의 동작상태를 제어하기 위한 제어 신호 발생수단과; 사용자에 의해 임의로 설정된 시간 주기로 와이퍼를 작동시키기 위한 구동신호를 출력하는 간헐적 구동신호 출력 수단과; 윈드 실드 글래스로 분사되는 와셔액을 제거하기 위해 회전하는 와셔액 모터(M2)의 회전동작이 이루어진 후 소정 시간후에 와이퍼 모터(M1)를 구동시키기 위한 구동신호를 출력하는 와셔 구동 신호 출력 수단과; 와이퍼 모터(M1)에 과전류가 인가되지 않을 경우 와이퍼 모터(M1)를 구동시키기 위한 구동 신호를 출력하는 와이퍼 모터 구동수단과; 와이퍼 모터(M1)를 흐르는 전류에 해당하는 전압이 설정 전압보다 클 경우 상기 와이퍼 모터 구동수단의 출력 신호를 가변시켜 와이퍼 모터(M1)의 회전동작을 중지시키는 과전류 검출수단과; 상기 과전류 검출 수단의 동작에 따라 정지되는 와이퍼 모터(M1)가 설정 위치에서 정지되지 않을 경우, 와이퍼 모터(M1)를 설정 위치까지 역회전시키기 위한 구동신호를 출력하는 역전 구동신호 출력 수단과; 와이퍼 모터(M1)의 회전 위치에 따라 출력상태가 가변되어, 와이퍼 모터(M1)의 정지위치가 설정위치를 벗어날 경우 와이퍼 모터 구동수단과 역전 구동신호 출력수단의 출력 상태를 가변시켜 와이퍼 모터(M1)를 해당 방향으로 회전시키기 위한 신호를 출력하는 와이퍼 모터 위치 감지 수단으로 이루어져 있다.
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公开(公告)号：KR1019950024619A
公开(公告)日：1995-08-21
申请号：KR1019940001056
申请日：1994-01-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B41/14
Abstract: 본 발명은 전자식 안정기에 장착되는 램프를 여러가지 상황에 따라 시간대 별로 감지 제어할 수 있는 램프상태 감지회로와 이러한 감지회로를 이용하여 안정기내의 전력과 광출력을 효율적으로 제어할 수 있도록 한 안정기 제어장치 및 전자식 안정기에 관한 것으로, 안정기 시스템의 초기 구동에서 부터 여러가지 이상 상황에 의해 시스템이 셧다운 되었다가 리스타트 할 때 램프의 장착갯수를 감지하여 무부하를 검출하고, 램프의 장착갯수에 따라 전력을 제어하며, 램프의 수명 연장을 위한 프리히팅이 끝난후 소프트 스타트 구간에 방전이 이루어지게 하여 이 시간 이후 정상상태임을 알리는 제어신호가 있을 때 램프의 방전유무를 확인하여 점동이 이루어지지 않은 경우 램프의 방전이 계속되도록 제어하고, 주위의 밝기에 따라 광출력을 제어하며, 램프의 노화정도를 끝까지 시간대 별로 감지하여 램프가 최적상태로 되도록 제어함으로서 전체시스템의 신뢰성과 효율성을 개선한 것이다.
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公开(公告)号：KR1019950005462B1
公开(公告)日：1995-05-24
申请号：KR1019910023461
申请日：1991-12-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L27/06
Abstract: The method includes the steps of forming a high impurity concentration of semiconductor layer (11) as a collector and a low impurity concentrationof semiconductor layer (12) on a semiconductor substrate to implant P impurities thereinto to form a base region (13) of a transistor, implanting P impurities thereinto to form an anode region (14) of a diode, implanting N impurities into the region (13) to form an emitter region (15) in the layer (13), forming oxide film patterns (16,17,18,19,20) to insulate between the device areas electrically, and depositing a metallic conducting material (8) thereon, thereby forming a transistor and a diode in a single chip.
Abstract translation: 该方法包括以下步骤：在半导体衬底上形成作为集电极的半导体层（11）的高杂质浓度和半导体层（12）的低杂质浓度，以将P杂质注入其中以形成晶体管的基极区域（13） ，将P杂质注入其中以形成二极管的阳极区域（14），将N个杂质注入到所述区域（13）中以在所述层（13）中形成发射极区域（15），形成氧化膜图案（16,17， 18,19,20）以电气方式在器件区域之间绝缘，并在其上沉积金属导电材料（8），从而在单个芯片中形成晶体管和二极管。
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