公开(公告)号：KR1020020078832A

公开(公告)日：2002-10-19

申请号：KR1020010018992

申请日：2001-04-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 창학선 ,  송준호 ,  유재진 ,  이창훈 ,  최재호

IPC: G02F1/13363

CPC classification number: G02F1/133634 ,  G02F1/1337 ,  G02F2001/133773 ,  G02F2202/40

Abstract: PURPOSE: A liquid crystal display is provided to increase the surface retardation value of compensating films for reducing the leakage of light in the black state of the rubbing direction, thereby improving the viewing angle. CONSTITUTION: A liquid crystal display includes first and second insulating substrates(11,12) facing to each other, first and second WV(Wide Viewing) films(61,62) attached to the outer surfaces of the first and second substrates, first and second compensating films(71,72) attached to the first and second WV films, first and second polarizing plates(81,82) attached to the first and second compensating films, and liquid crystal layers(65,66) injected between the first and second substrates, wherein a surface retardation value of the first and second compensating films is 30nm or higher.

Abstract translation: 目的：提供液晶显示器以增加补偿膜的表面延迟值，以减少在摩擦方向的黑色状态下的光的泄漏，从而提高视角。 构成：液晶显示器包括彼此相对的第一和第二绝缘基板（11,12），第一和第二WV（宽视角）膜（61,62），附接到第一和第二基板的外表面，第一和第二 附着到第一和第二WV膜的第二补偿膜（71,72），附接到第一和第二补偿膜的第一和第二偏振片（81,82）以及注入在第一和第二补偿膜之间的液晶层（65,66） 第二基板，其中所述第一和第二补偿膜的表面延迟值为30nm以上。

公开(公告)号：KR1020020036527A

公开(公告)日：2002-05-16

申请号：KR1020000066757

申请日：2000-11-10

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이창훈 ,  류재진 ,  창학선 ,  최재호 ,  나근식

IPC: G09G3/36

Abstract: PURPOSE: An LCD device for accelerating an initial bend orientation and an apparatus and a method for driving the same are provided to accelerate the initial bend orientation in a driving process of the LCD device of an OCB(Optical Compensated Birefringence) mode. CONSTITUTION: A timing control portion(100) outputs the first switching signal and a backlight control signal of off state at an initial state and the second switching signal and the backlight control signal of on state after a predetermined time. A DC/DC converter(400) outputs a predetermined bias voltage. A switching portion(500) outputs a bias voltage if the first switching signal is received from the timing control portion or a common electrode voltage if the second switching signal is received from the timing control portion. An inverter(700) is used for applying a backlight drive voltage according to the backlight control signal of on state. A backlight portion(800) outputs a light source according to the backlight drive voltage. A gate driver(200) outputs a scanning signal. A source driver(300) outputs a picture signal. An LCD panel(600) is formed with a multitude of gate line, a multitude of source line, a switching element, a pixel electrode.

Abstract translation: 目的：提供一种用于加速初始弯曲取向的LCD装置及其驱动装置和方法，以在OCB（光学补偿双折射）模式的LCD装置的驱动过程中加速初始弯曲取向。 构成：定时控制部分（100）在预定时间之后将初始状态的第一切换信号和关闭状态的背光控制信号以及接通状态的第二切换信号和背光控制信号输出。 DC / DC转换器（400）输出预定的偏置电压。 如果从定时控制部分接收到第二切换信号，则如果从定时控制部分接收到第一切换信号或公共电极电压，则切换部分（500）输出偏置电压。 逆变器（700）用于根据接通状态的背光控制信号施加背光驱动电压。 背光部（800）根据背光驱动电压输出光源。 栅极驱动器（200）输出扫描信号。 源极驱动器（300）输出图像信号。 LCD面板（600）形成有多条栅极线，多条源极线，开关元件，像素电极。

公开(公告)号：KR1020020028694A

公开(公告)日：2002-04-17

申请号：KR1020000059817

申请日：2000-10-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재호

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate is provided to pattern an insulating layer by a dry etching, to form a contact hole for exposing a contact part of a wire as using a thermosetting organic layer, so as to maintain an opening ratio by using a thermosetting organic material as a protecting layer as well as improving a transmission rate and quickening an etching speed. CONSTITUTION: A gate wire including a gate wire(22) and a gate electrode(26) connected with the gate wire(22) is formed on an insulating substrate(10). A gate insulating layer(30) is accumulated. A semiconductor layer(40) is formed. Data wires(62, 65, 66, 68) include a data line(62), a source electrode(65), and a drain electrode(66). The source electrode(65) is connected with the data line(62), and neighbors to the gate electrode(26). The drain electrode(66) is located opposite to the source electrode(65) for the gate electrode(26). A protecting layer(70) is formed by accumulating a thermosetting organic material. The first contact hole(74) exposes the drain electrode(66) by patterning the protecting layer(70) through a dry etching. A pixel electrode(82) is connected with the drain electrode(66) through the first contact hole(74) by accumulating and patterning transparent conductive materials.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管基板，以通过干蚀刻对绝缘层进行图案化，以形成用于使用热固性有机层暴露导线的接触部分的接触孔，以便通过使用热固性材料来保持开口率 有机材料作为保护层，以及提高透射率并加快蚀刻速度。 构成：在绝缘基板（10）上形成包括与栅极线（22）连接的栅极线（22）和栅电极（26）的栅极线。 堆积栅极绝缘层（30）。 形成半导体层（40）。 数据线（62,65,66,68）包括数据线（62），源电极（65）和漏电极（66）。 源极（65）与数据线（62）连接，与栅电极（26）相邻。 漏极（66）位于与栅电极（26）的源电极（65）相对的位置。 通过积聚热固性有机材料形成保护层（70）。 第一接触孔（74）通过干蚀刻图案化保护层（70）来暴露漏电极（66）。 像素电极（82）通过积聚和图案化透明导电材料通过第一接触孔（74）与漏电极（66）连接。

公开(公告)号：KR100306131B1

公开(公告)日：2001-11-30

申请号：KR1019980034641

申请日：1998-08-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 강수원 ,  김병수 ,  김해성 ,  최재호

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 세라믹 척과 기준마크 사이에 별도의 가이드를 부착하여 파티클이 적층된 세라믹 척의 클리닝시 기준마크와의 접촉으로 인해 기준마크가 파손되거나 기준마크의 위치가 변경되는 것을 방지할 수 있도록 하는 웨이퍼 스테이지에 관한 것으로, 이는 세라믹 척의 측면에 가이드를 나사결합하여 클리닝시 세라믹 스톤이나 엔지니어의 손이 기준마크에 닿지 않도록 함으로써, 기준마크의 파손이나 위치변경을 방지할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR1020010104069A

公开(公告)日：2001-11-24

申请号：KR1020000025467

申请日：2000-05-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재호

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명에서는 절연 기판 위에 게이트 배선과 화소 영역에 제1 내지 제5 전극으로 이루어지며 화소 영역을 세 영역으로 분할하는 공통 전극 배선을 형성한다. 다음, 게이트 절연막, 반도체층 및 접촉층을 증착하고 패터닝하여 반도체층 패턴과 접촉층 패턴을 형성한다. 이때, 반도체층 패턴은 게이트 전극 상부에 위치하며 박막 트랜지스터의 활성층인 패턴과 공통 전극 상부에 돌기를 형성하기 위한 패턴으로 이루어진다. 다음, 금속 따위의 도전 물질로 데이터 배선을 형성한다. 다음, 보호막을 증착하고 게이트 절연막과 함께 식각하여 드레인 전극을 드러내는 접촉구와 공통 전극 상부에 돌기를 형성하기 위하여 개구부를 형성하는데, 개구부는 공통 전극 배선으로 둘러싸인 영역이 제거됨으로써 형성된다. 다음, 일부가 돌기와 중첩되도록 개구 패턴을 가지는 화소 전극을 형성한다. 따라서, 본 발명에서는 화소 전극에 개구 패턴을 형성하고 개구 패턴 하부에 반도체층 패턴을 포함하는 돌기를 형성하여 액정 표시 장치의 시야각을 넓게 하면서도 공정수가 늘어나지 않는다.

公开(公告)号：KR1020010044862A

公开(公告)日：2001-06-05

申请号：KR1019990047901

申请日：1999-11-01

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재호 ,  이상국 ,  이재혁

IPC: H01L23/50

Abstract: PURPOSE: A molding die for a semiconductor package is provided to prevent the first plating layer from being delaminated from the surface of a cavity and to prevent the surface of the cavity from being directly exposed to molding resin, by forming first plating layer of a chrome material over the surface of the cavity, and by forming the second plating layer between the surface of the cavity and the first plating layer. CONSTITUTION: A lower die includes a port block in which a lead frame block(10') and a port are formed. Cavities are formed in the lead frame block. The port supplies molding resin filled in the cavities. An upper die includes the lead frame block and a port block, corresponding to the lower die. The first plating layer(16') of a chrome material is stacked over the surface(14') of the cavity, directly contacting the molding resin. The second plating layer(18') is formed between the surface of the cavity and the first plating layer, and improves adhesion between the surface of the cavity and the first plating layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于半导体封装的成型模具，以防止第一镀层从空腔的表面脱层，并且通过形成铬的第一镀层来防止空腔的表面直接暴露于模制树脂 材料在空腔的表面上，并且通过在空腔的表面和第一镀层之间形成第二镀层。 构成：下模包括其中形成引线框架块（10'）和端口的端口块。 引线框架中形成腔体。 端口提供填充在空腔中的模制树脂。 上模具包括引线框架块和对应于下模的端口块。 铬材料的第一镀层（16'）堆叠在空腔的表面（14'）上，直接与模制树脂接触。 第二镀层（18'）形成在空腔的表面和第一镀层之间，并且改善空腔的表面和第一镀层之间的粘附。

公开(公告)号：KR1020000060432A

公开(公告)日：2000-10-16

申请号：KR1019990008713

申请日：1999-03-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재호

IPC: G02F1/1343 ,  G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating an electrode of a thin film transistor liquid crystal display device is provided to be capable of increasing a productivity by reducing a process step for an electrode formation. CONSTITUTION: A method for fabricating an electrode of a thin film transistor liquid crystal display device comprises forming a gate electrode, a gate line(52), and a common line and common electrode line(54) on a glass substrate. An insulation film, an amorphous silicon layer and an n-doped amorphous silicon layer are sequentially stacked on the substrate, and then a bit line(66) and an active pattern(56) are simultaneously formed by use of an exposure process and a photo lithography process after forming a first metal layer on a resultant structure. After depositing a second metal layer on the substrate, a source electrode(58) and a drain electrode(62) are partitioned by etching the metal layers and the doped amorphous silicon layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造薄膜晶体管液晶显示装置的电极的方法，其能够通过减少用于电极形成的工艺步骤来提高生产率。 构成：制造薄膜晶体管液晶显示装置的电极的方法包括在玻璃基板上形成栅电极，栅极线（52）以及公共线和公共电极线（54）。 依次将绝缘膜，非晶硅层和n掺杂非晶硅层堆叠在基板上，然后通过曝光处理和照片同时形成位线（66）和有源图案（56） 在所得结构上形成第一金属层之后的光刻工艺。 在衬底上沉积第二金属层之后，通过蚀刻金属层和掺杂的非晶硅层来分隔源电极（58）和漏电极（62）。

公开(公告)号：KR100171975B1

公开(公告)日：1999-05-01

申请号：KR1019950068151

申请日：1995-12-30

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이상국 ,  홍인표 ,  김용 ,  최재호

IPC: H05K3/34

Abstract: 본 발명은 볼 그리드 어레이용 인쇄회로기판에 관한 것으로, 성형 공정시 인쇄회로기판과 성형 금형의 게이트가 접하는 부분을 제거함으로써, 상기 인쇄회로기판의 상부면 상에 도포된 솔더 레지스트(solder resist)와 성형 수지간의 강한 결합력에 의해 디게이팅(degating)시에 발생되는 성형 수지와 인쇄회로기판간의 박리현상(delamination)을 방지할 수 있는 특징을 갖는다.

公开(公告)号：KR1019990010263A

公开(公告)日：1999-02-18

申请号：KR1019970032981

申请日：1997-07-16

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 최재호 ,  이상국 ,  노희선 ,  이재혁

IPC: H01L21/56

Abstract: 본 발명은 리드프레임의 봉지체를 수납하는 수납부의 중앙부에 중공관을 설치하여 열풍을 중공관을 따라 상승시키면서 중공관 측면의 토출구들을 거쳐 수납부의 외측으로 균일하게 토출한다. 따라서, 본 발명은 수납부의 위치에 관계없이 봉지체를 균일하게 경화시켜 패키지의 신뢰성을 향상시킨다.
또한, 본 발명은 수납부의 온도를 경화온도로 상승시키는 동안 수납부의 열풍배출구를 폐쇄하여 수납부의 내부온도를 신속히 경화온도로 상승시킨다. 따라서, 본 발명은 경화시간을 단축하여 생산성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1019980084225A

公开(公告)日：1998-12-05

申请号：KR1019970019941

申请日：1997-05-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이재혁 ,  노희선 ,  최재호 ,  강인구

IPC: H01L21/304

Abstract: 본 발명은 반도체 웨이퍼 절단장치에 관한 것으로, 본 발명에서는 레이저빔 조사기능을 갖는 레이저장치를 구비하고 이를 통해 웨이퍼가 미세한 개별 칩으로 분리될 수 있도록 함으로써, 블레이드의 마모에 따른 웨이퍼의 오염을 방지할 수 있고, 또한 개별 칩의 미세화 요구에 탄력적으로 대응할 수 있다.