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公开(公告)号：KR1019990038113A
公开(公告)日：1999-06-05
申请号：KR1019970057748
申请日：1997-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/8234
Abstract: 본 발명에서는 펀치 쓰루 효과를 개선하고, 기생용량을 감소시키는 모스 소자의 제조방법이 개시되어 있다. 반도체 기판의 상부면에 소정 간격 이격된 복수개의 절연층 패턴을 형성하고, 상기 절연층 패턴 사이에 실리콘을 채운다. 상기 결과물상에 상기 복수개의 절연층 패턴 중 일부를 노출시키는 질화막 패턴을 형성한 후, 상기 노출된 절연층을 제거하여 상기 반도체 기판상에 오픈된 보이드를 형성한다. 상기 오픈된 보이드를 산화물로 부분적으로 채운 후 상기 산화물의 상부에 실리콘을 채워 상기 산화물을 상기 반도체 기판에 매몰시킨다. 이어서, 상기 질화막 패턴을 제거하고 상기 결과물상에 활성 소자를 형성하여 모스 소자를 완성한다.
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公开(公告)号：KR1019990001920A
公开(公告)日：1999-01-15
申请号：KR1019970025393
申请日：1997-06-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 하정민
IPC: H01L21/82
Abstract: 올라간 소오스/드레인 구조를 갖는 모스 트랜지스터의 형성방법에 관하여 개시한다. 본 발명은 소자분리막이 형성된 반도체 기판에 제1 절연막을 적층하는 단계와, 상기 반도체 기판의 활성영역의 소정영역을 식각하여 트랜치를 형성하는 단계와, 상기 트랜치의 측벽에 제2 절연막을 사용하여 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 트랜치의 바닥에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 트랜치의 내부에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연막을 제거하는 단계와, 상기 트랜치가 형성된 영역의 좌우에 소오스 및 드레인영역을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 올라간 소오스/드레인 구조의 모스 트랜지스터 형성방법을 제공한다. 따라서, 게이트와 소오스/드레인간의 단락결함을 억제하는 것이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1019980060728A
公开(公告)日：1998-10-07
申请号：KR1019960080094
申请日：1996-12-31
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/28
Abstract: 게이트 도전층의 산화를 방지하고 게이트 산화막의 손상을 회복시킬 수 있는 반도체장치의 게이트전극 형성방법에 관하여 개시하고 있다. 이를 위하여 본 발명은 반도체 기판 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막 상에 제1 도전층을 형성하는 단계와, 상기 제1 도전층의 상부에 장벽층을 형성하는 단계와, 상기 장벽층의 상부에 제2 도전층을 형성하는 단계와, 상기 제2 도전층의 상부에 제1 절연층 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제1 절연층을 식각마스크로 패터닝을 진행하여 게이트전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트전극이 패터닝된 결과물 상에 산화공정을 진행하여 제2 절연층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체장치의 게이트전극 형성방법을 제공한다. 따라서, 게이트전극의 도전물질로서 내산화성이 강한 산화금속을 사용함으로써 게이트전극의 형태 불량 및 게이트전극의 면저항의 증가를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980037952A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960056776
申请日：1996-11-22
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 하정민
IPC: H01L21/3205
Abstract: 반도체 장치의 살리사이드 형성방법이 개시되어 있다. 본 발명은 실리콘 기판 상에 게이트 산화막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막 상에 음의 경사를 갖는 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극의 양측벽에 음의 경사를 갖도록 실리콘 산화막을 형성하는 단계와, 상기 실리콘 산화막의 양측벽에 직각 또는 음의 경사를 갖도록 스페이서를 형성하는 단계와, 상기 스페이서를 마스크로 상기 기판의 전면에 불순물을 이온주입하여 소오스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와, 상기 결과물 전면에 원거리 스퍼터방법으로 상기 게이트 전극과 소오스 및 드레인 영역 상에 실리사이드용 금속막을 형성하는 단계와, 상기 실리사이드용 금속막을 상기 게이트 전극 및 실리콘 기판과 반응시켜 금속 실리사이드막을 형성하는 단계를 포함한다. 본 발명은 게이트 전극 및 소오스 및 드레인 영역 상에만 선택적으로 금속막을 형성시킨 후 살리사이드 공정을 진행함으로써 게이트 전극과 소오스 및 드레인 간의 쇼트를 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019980036486A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960055054
申请日：1996-11-18
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 하정민
IPC: H01L21/8232 , H01L21/76
Abstract: 반도체 소자 및 그 제조 방법에 관하여 개시한다. 본 발명에 따른 반도체 소자에서는 게이트 전극이 이웃하는 저농도 및 고농도 소스/드레인 영역 사이에서, 상기 게이트 전극의 측벽에 형성된 스페이서에 의하여 전기적으로 분리된 상태로, 상기 소스/드레인 영역의 높이와 동일한 높이로 매몰되어 있다. 본 발명에 의하면, 단순하고 경제적인 방법에 의하여 얕은 접합층을 형성할 수 있고, 짧은 채널 길이를 가지는 반도체 소자에서 펀치쓰루 현상을 억제할 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019980034359A
公开(公告)日：1998-08-05
申请号：KR1019960052389
申请日：1996-11-06
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 하정민
IPC: F16L15/04
Abstract: 스웨이지록형과 VCR형의 장점을 모두 실현하는 가스튜브의 커넥터 및 이를 이용한 피팅방법을 개시한다. 본 발명에 따른 가스튜브의 커넥터는, 한 쌍의 금속제 가스튜브의 각 일단부 외부표면에 장착되고, 그 일단부에 각각 압착턱을 구비한 한 쌍의 압착용 너트와; 상기 한 쌍의 금속제 가스튜브의 외부표면과 상기 한 쌍의 압착용 너트의 내부면 사이에 각각 삽입되는 각각 한 쌍인 후방페룰 및 전방페룰과; 상기 금속제 가스튜브의 일단부에 장착되고, 상기 한 쌍의 전방페룰과 상기 압착용 너트의 사이에서 그 양단부가 압착되도록 형성된 스웨이지록 보디; 및 상기 한 쌍인 전방페룰과 상기 스웨이지록 보디의 사이에 각각 개입되는 한 쌍의 개스킷을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号：KR1019970030461A
公开(公告)日：1997-06-26
申请号：KR1019950039660
申请日：1995-11-03
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/31
Abstract: 제조공정이 단순하고 고신뢰성의 반도체장치의 캐패시터 형성방법이 개시되어 있다. 본 발명은 실리콘기판의 전면에, 콘텍홀을 갖는 제1절연막/제2절연막 패턴을 형성하는 공정, 상기 콘텍홀을 채우는 제1도전막을 증착하는 공정, 상기 제1도전막을 패터닝하여 제1도전막 패턴을 형성하는 공정, 상기 결과물의 전면에 콘택홀을 갖는 제3절연막 패턴을 형성하는 공정, 상기 제3절연막 패턴위에는 형성되지 않고 상기 콘택홀의 내부에만 선택적으로 제2도전막 패턴을 형성하는 공정, 상기 제3절연막 패턴을 식각하여 제거하는 공정, 상기 제2절연막 패턴을 습식식각하여 언더컷을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 캐패시터 형성방법은, 절연막 패턴위에는 형성되지 않고 콘택홀의 내부에만 선택적으로 형성되는 독특한 제2도전막 패턴, 예컨데 선택적 텅스텐질화박막의 특성을 이용하여 여러단계의 공정이 생략되므로 제조공정이 단순하고, 또한 제2도전막이 예컨데 선택적 텅스텐질화박막이 고유전막의 산호확산에 대한 확산장벽막의 역할을하여 누설전류를 근본적으로 해결할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019970017966A
公开(公告)日：1997-04-30
申请号：KR1019950031106
申请日：1995-09-21
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01L21/18
Abstract: 본 발명은 CVD 및 식각 공정에서의 할로겐 원소 제거방법에 관한 것으로서, 할로겐 기체 및 할로겐 화합물과 반응하는 금속, 금속화합물, 염기성 물질을 CVD 장치의 반응챔버(reactor), 배관, 진공펌프(vacuum pump), 스크루버(scrubber)내에 장착하여 장착된 물질과 화학 반응을 하게 함으로써 유해한 할로겐 원소를 제거함을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, CVD 및 식각 공정에서 발생되는 유해한 반응 부산물인 Cl
2 , HCl, HF와 같은 할로겐 기체 및 할로겐 화합물을 CVD로 도포된 막 중에서 제거할 수 있으며, 산성 개스의 영향을 줄일 수 있다.
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