公开(公告)号：KR1020160130897A

公开(公告)日：2016-11-15

申请号：KR1020150062608

申请日：2015-05-04

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 한혁 ,  손연실

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/51

CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L27/1157 ,  H01L29/66833

Abstract: 반도체소자가제공된다. 반도체소자는기판상에제공된금속전극, 상기금속전극상에배치되며금속질화물을포함하는산화방지막, 및상기산화방지막상의캐핑막을포함할수 있다.

Abstract translation: 半导体器件包括在基板上的电荷存储图案，电荷存储图案上的阻挡绝缘图案，以及阻挡绝缘图案上的控制栅极结构，具有金属电极图案的控制栅极结构和氧化防止图案 金属电极图案，氧化防止图案包括金属氮化物。

公开(公告)号：KR1020130116099A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：KR1020120038267

申请日：2012-04-13

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이정길 ,  임태수 ,  임현석 ,  윤기현 ,  한혁 ,  이명범

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/788 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/11529 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4925 ,  H01L29/4958 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7881

Abstract: PURPOSE: A semiconductor device and a method for fabricating the same are provided to obtain low resistivity by positioning a metal pattern on a boundary layer. CONSTITUTION: A first polysilicon pattern is arranged on a substrate. A metal pattern (9) is arranged on the first polysilicon pattern. A boundary layer (7) is formed between the first polysilicon pattern and the metal pattern. The boundary layer includes at least one among a metal silicon nitride oxide layer, a metal silicon oxide layer, and a metal silicon nitride layer. A metal in the boundary layer is same as a metal of the metal pattern.

Abstract translation: 目的：提供一种半导体器件及其制造方法，通过将金属图案定位在边界层上来获得低电阻率。 构成：在衬底上布置第一多晶硅图案。 金属图案（9）布置在第一多晶硅图案上。 在第一多晶硅图案和金属图案之间形成边界层（7）。 边界层包括金属氮氧化硅层，金属氧化硅层和金属氮化硅层中的至少一种。 边界层中的金属与金属图案的金属相同。