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公开(公告)号：KR101085448B1
公开(公告)日：2011-11-21
申请号：KR1020030073117
申请日：2003-10-20
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G06K9/00
Abstract: 다양한 모드 설정이 가능한 패턴 인식 장치 및 이의 구동 방법이 개시된다. 게이트 구동부는 스캔 신호를 순차적으로 제공하고, 패턴 인식 패널은 스캔 신호를 전달하는 다수의 게이트 라인과, 다수의 리드 아웃 라인과, 게이트 라인과 리드 아웃 라인에 의해 정의되는 영역에 형성된 패턴 인식셀을 포함한다. 데이터 구동부는 리드 아웃 라인을 통해 전달되는 패턴 신호를 제공받는다. 타이밍 제어부는 모드 설정에 따라, 지문 인식 모드와 터치 인식 모드와 스캔 모드의 설정을 위해 게이트 구동부와 데이터 구동부의 동작을 제어한다. 이에 따라, 동일한 패턴 인식 패널상에 서로 다른 해상도를 설정하므로써, 지문 인식 모드와, 터치 인식 모드와, 스캔 모드 중 어느 하나의 모드를 설정할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100965161B1
公开(公告)日：2010-06-24
申请号：KR1020030037834
申请日：2003-06-12
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G09G3/30
CPC classification number: G09G3/3233 , G09G2300/0417 , G09G2300/0833 , G09G2300/0842 , G09G2310/0251 , G09G2310/0262
Abstract: 제조원가를 절감하기 위한 유기전계발광 구동회로와, 이를 갖는 표시패널 및 표시장치가 개시된다. 제1 스위칭 소자는 스캔 라인의 활성화에 따라, 데이터 라인을 통해 전달되는 데이터 전압을 스토리지 캐패시터의 일단에 출력하고, 제2 스위칭 소자는 스캔 라인의 활성화에 따라, 제1 기준 전압을 스토리지 캐패시터의 타단에 출력한다. 구동 소자는 아몰퍼스-실리콘 박막 트랜지스터로 이루어져 스토리지 캐패시터 양단에 연결되고, 인가되는 바이어스 전압 레벨을 제어하여 유기전계발광 소자를 발광시키기 위한 전류를 공급한다. 이에 따라, 유기전계발광 표시패널에 구비되는 구동소자를 아몰퍼스-실리콘 박막 트랜지스터로 형성하므로써 제조 원가를 절감할 수 있다.
유기 EL, 아몰퍼스, 실리콘, NMOS,-
公开(公告)号：KR100954084B1
公开(公告)日：2010-04-23
申请号：KR1020030082300
申请日：2003-11-19
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/133
Abstract: 모아레 현상의 발생을 방지하기 위한 액정 표시 장치가 개시된다. 백라이트 어셈블리는 광을 출사하고, 액정 표시 패널은 스캔 라인과, 데이터 라인과, 스캔 라인과 데이터 라인에 의해 정의되는 제1 영역에 형성된 제1 스위칭 소자와, 제1 스위칭 소자에 연결된 액정 커패시터를 포함한다. 패턴 인식 패널은 일정 굴곡을 갖는 제1 및 제2 게이트 라인과, 전원 라인 및 리드 아웃 라인에 의해 정의되는 제2 영역에 형성된 광 감지 소자와, 광 감지 소자로부터 출력되는 광 감지 신호를 출력하는 제2 스위칭 소자를 구비하여 액정 표시 패널 위에 배치된다. 따라서, 제1 및 제2 게이트 라인의 일부는 스캔 라인과 중첩되고, 나머지는 스캔 라인과 미중첩되므로써, 모아레 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020090007056A
公开(公告)日：2009-01-16
申请号：KR1020070070670
申请日：2007-07-13
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/1345
CPC classification number: G02F1/1309 , G02F1/1345 , H01L29/786
Abstract: A method for testing thin film transistor is provided to reduce the testing time for estimating life time of the thin film transistor by applying higher stress current for 100 hours. An SPC-TFT(100) used for the life prospect experiment has the linear structure in which the gate electrode(101) and drain electrode(102) are electrically connected. An acceleration stress current(Is) which is higher than the normality stress current is provided to the SPC-TFT. The channel width ratio about the channel length of the SPC-TFT used for the life time prospect experiment is 200/4. The life time prospect experiment is performed in the temperature environment of 40°C, applying the acceleration stress current to the source electrode.
Abstract translation: 提供一种测试薄膜晶体管的方法，通过施加较高的应力电流100小时来减少测量薄膜晶体管寿命的测试时间。 用于生命前景实验的SPC-TFT（100）具有栅电极（101）和漏电极（102）电连接的线性结构。 提供高于正常应力电流的加速应力电流（Is）到SPC-TFT。 关于寿命预期实验中使用的SPC-TFT的通道长度的通道宽度比为200/4。 寿命前景实验在40℃的温度环境下进行，对源电极施加加速应力电流。
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公开(公告)号：KR1020080086598A
公开(公告)日：2008-09-26
申请号：KR1020070028460
申请日：2007-03-23
Applicant: 삼성전자주식회사
Inventor： 허종무
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/3258 , H01L27/3262 , H01L51/56 , H01L2924/12044
Abstract: An organic light emitting diode display and a manufacturing method thereof are provided to secure uniform characteristics of a driving thin film transistor regardless of misalignment by symmetrically forming an etch stopper, a driving output electrode, and a driving input electrode with respect to a horizontal or vertical center line. An organic light emitting diode display includes a substrate. First and second signal lines(121,171) are formed on the substrate. A switching thin film transistor(Qs) is connected to the first and second signals and has a first semiconductor(154a). A driving thin film transistor(Qd) has a second semiconductor(154b), an etch stopper(147b), a driving input electrode(173b), a driving output electrode(175b), and a driving control electrode(124b). The etch stopper is formed on the second semiconductor. The driving input electrode and the driving output electrode are overlapped with the etch stopper and the second semiconductor respectively and face each other with respect to the etch stopper. The driving control electrode is connected to the switching thin film transistor and overlapped with the second semiconductor. A first electrode(191) is connected to the driving output electrode. A second electrode faces the first electrode. A light emitting member(370) is formed between the first and second electrodes. At least one of the etch stopper, the driving output electrode, and the driving input electrode is symmetrical with respect to one straight line.
Abstract translation: 提供了一种有机发光二极管显示器及其制造方法，以通过对称地形成蚀刻停止器，驱动输出电极和驱动输入电极来相对于水平或垂直方向来确保驱动薄膜晶体管的均匀特性，而不管错位如何 中心线。 有机发光二极管显示器包括基板。 第一和第二信号线（121,171）形成在基板上。 开关薄膜晶体管（Qs）连接到第一和第二信号，并具有第一半导体（154a）。 驱动薄膜晶体管（Qd）具有第二半导体（154b），蚀刻停止器（147b），驱动输入电极（173b），驱动输出电极（175b）和驱动控制电极（124b）。 蚀刻阻挡层形成在第二半导体上。 驱动输入电极和驱动输出电极分别与蚀刻停止器和第二半导体重叠，并且相对于蚀刻停止件彼此面对。 驱动控制电极与开关薄膜晶体管连接，与第二半导体重叠。 第一电极（191）连接到驱动输出电极。 第二电极面对第一电极。 在第一和第二电极之间形成发光部件（370）。 蚀刻停止器，驱动输出电极和驱动输入电极中的至少一个相对于一条直线是对称的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020080074574A
公开(公告)日：2008-08-13
申请号：KR1020070013882
申请日：2007-02-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B33/02 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1222 , H01L27/3262 , H01L29/06
Abstract: A display device and a method for manufacturing the same are provided to maintain a display quality stably by using a poly silicon thin film transistor as a driving thin film transistor. A display device includes an insulation substrate(11), a switching thin film transistor(51), a driving thin film transistor(21), an insulation layer(41), a first electrode(71), an organic light emitting layer(90), and a second electrode(95). The switching thin film transistor is formed on the insulation substrate, receives a data voltage, and has a first semiconductor layer. The driving thin film transistor is formed on the insulation substrate. A control terminal is coupled to an output terminal of the switching thin film transistor. The driving thin film transistor has a second semiconductor layer having a poly-silicon and a halogen material. The insulation layer is formed on the switching thin film transistor and the driving thin film transistor. The first electrode is formed on the insulation layer and is electrically coupled to an output terminal of the driving thin film transistor. The organic light emitting layer is formed on the first electrode. The second electrode is formed on the organic light emitting layer.
Abstract translation: 提供了一种显示装置及其制造方法，以通过使用多晶硅薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管来稳定地保持显示质量。 显示装置包括绝缘基板（11），开关薄膜晶体管（51），驱动薄膜晶体管（21），绝缘层（41），第一电极（71），有机发光层 ）和第二电极（95）。 开关薄膜晶体管形成在绝缘基板上，接收数据电压，并具有第一半导体层。 驱动薄膜晶体管形成在绝缘基板上。 控制端子耦合到开关薄膜晶体管的输出端子。 驱动薄膜晶体管具有多晶硅和卤素材料的第二半导体层。 绝缘层形成在开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管上。 第一电极形成在绝缘层上并且电耦合到驱动薄膜晶体管的输出端子。 有机发光层形成在第一电极上。 第二电极形成在有机发光层上。
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公开(公告)号：KR1020080054739A
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：KR1020060127244
申请日：2006-12-13
Applicant: 삼성전자주식회사
CPC classification number: H01L27/3262 , G09G3/3233 , H01L51/56
Abstract: An organic light emitting diode display and a method for manufacturing the same are provided to minimize damage of a semiconductor by simultaneously forming a gate electrode, a gate insulating layer, and the semiconductor and protecting the semiconductor through a passivation layer, thereby realizing a high quality thin film transistor display. A first control electrode(124a) is formed on a substrate. A first gate insulating layer is formed on the first control electrode. A first semiconductor(151) is formed on the gate insulating layer. A passivation layer is formed on the semiconductor and has first and second contact holes to expose the first semiconductor. First and second ohmic contact members are formed on the passivation layer and connected to the first semiconductor through the first and second contact holes. A first input electrode(173a) is formed on the first ohmic contact member. A first output electrode(175a) is formed on the second ohmic contact member. An interlayer insulating layer is formed on the first input electrode and the first output electrode. A first electrode is formed on the interlayer insulating layer to be connected to the first output electrode through a contact hole. A second electrode faces the first electrode. A light emitting member(370) is formed between the first and second electrodes. The first control electrode, the first gate insulating layer, and the first semiconductor have the same pattern.
Abstract translation: 提供有机发光二极管显示器及其制造方法，以通过同时形成栅电极，栅极绝缘层和半导体来最小化半导体的损伤，并通过钝化层保护半导体，从而实现高质量 薄膜晶体管显示。 第一控制电极（124a）形成在基板上。 第一栅极绝缘层形成在第一控制电极上。 第一半导体（151）形成在栅极绝缘层上。 在半导体上形成钝化层，并具有第一和第二接触孔以露出第一半导体。 第一和第二欧姆接触构件形成在钝化层上并通过第一和第二接触孔连接到第一半导体。 第一输入电极（173a）形成在第一欧姆接触元件上。 第一输出电极（175a）形成在第二欧姆接触元件上。 在第一输入电极和第一输出电极上形成层间绝缘层。 第一电极通过接触孔形成在层间绝缘层上以与第一输出电极连接。 第二电极面对第一电极。 在第一和第二电极之间形成发光部件（370）。 第一控制电极，第一栅极绝缘层和第一半导体具有相同的图案。
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公开(公告)号：KR1020080016012A
公开(公告)日：2008-02-21
申请号：KR1020060077518
申请日：2006-08-17
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H01L27/3248 , H01L27/1229 , H01L27/3265 , H01L51/5206 , H01L51/56
Abstract: A display device is provided to increase an area for forming a pixel electrode by abridging a bridge electrode formed on the same layer as the pixel electrode at the same time. A display device(100) comprises a gate line(GL), a first insulating film, a power line(VL), a second insulating film, a data line(DL), a switching element(TFT1), and a driving element(TFT2). The gate line is extended on a substrate in a first direction(X) and formed in a first metal pattern. The first insulating film is formed on a front surface of the substrate formed the gate line thereon. The power line is extended in a second direction(Y) crossing the first direction on the first insulating film and formed in a second metal pattern. The second insulating film is formed on the first insulating film. The data line is formed on the second insulating film, extended in the second direction to be spaced apart from the power line, and formed in a third metal pattern. The switching element includes a first gate electrode(G1) connected to the gate line, a first source electrode(S1) connected to the data line, and a first drain electrode(D1) formed in the third metal pattern. The driving element includes a second gate electrode(G2) formed in the first metal pattern, a second source electrode(S2) connected to the power line, and a second drain electrode(D2) formed in the second metal pattern.
Abstract translation: 提供一种显示装置，用于通过同时同时形成与像素电极形成在同一层上的桥电极来增加用于形成像素电极的面积。 显示装置（100）包括栅极线（GL），第一绝缘膜，电力线（VL），第二绝缘膜，数据线（DL），开关元件（TFT1）和驱动元件 TFT2）。 栅极线在第一方向（X）上在衬底上延伸并且以第一金属图案形成。 第一绝缘膜形成在其上形成栅极线的衬底的前表面上。 电力线沿与第一绝缘膜上的第一方向交叉的第二方向（Y）延伸并形成第二金属图案。 第二绝缘膜形成在第一绝缘膜上。 数据线形成在第二绝缘膜上，在第二方向上延伸以与电力线隔开，并且形成为第三金属图案。 开关元件包括连接到栅极线的第一栅电极（G1），连接到数据线的第一源电极（S1）和形成在第三金属图案中的第一漏电极（D1）。 驱动元件包括形成在第一金属图案中的第二栅电极（G2），连接到电源线的第二源电极（S2）和形成在第二金属图案中的第二漏电极（D2）。
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公开(公告)号：KR1020080006894A
公开(公告)日：2008-01-17
申请号：KR1020060066206
申请日：2006-07-14
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/136
CPC classification number: G02F1/1368 , G02F1/136227 , H01L29/78618
Abstract: A display device and a manufacturing method thereof are provided to crystallize an amorphous semiconductor layer and then to pattern the crystallized semiconductor layer, thereby forming the semiconductor with plural island types. A polycrystalline semiconductor is formed on a substrate. A data line(171) is formed on a polycrystalline semiconductor and includes a source electrode. A drain electrode(175) is formed on the polycrystalline semiconductor and located oppositely to a source electrode(173). A gate line including a gate electrode(124) is formed on the source electrode and the drain electrode and overlapped with the polycrystalline semiconductor. A pixel electrode(191) is connected with the drain electrode. A resistant contact member is located between the polycrystalline semiconductor and the source/drain electrodes and has the same plane as the polycrystalline semiconductor. A buffer layer is formed at the lower portion of the polycrystalline semiconductor. A light emission member is formed on the pixel electrode. A common electrode is formed on a light emission member.
Abstract translation: 提供显示装置及其制造方法以使非晶半导体层结晶，然后对结晶的半导体层进行图案化，从而形成多个岛型的半导体。 在基板上形成多晶半导体。 数据线（171）形成在多晶半导体上，并包括源电极。 漏电极（175）形成在多晶半导体上并与源电极（173）相对定位。 在源电极和漏电极上形成包括栅极（124）的栅极线，并与多晶半导体重叠。 像素电极（191）与漏电极连接。 耐电接触构件位于多晶半导体和源极/漏极之间，并且具有与多晶半导体相同的平面。 在多晶半导体的下部形成有缓冲层。 在像素电极上形成发光部件。 公共电极形成在发光部件上。
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公开(公告)号：KR100715937B1
公开(公告)日：2007-05-08
申请号：KR1020040008584
申请日：2004-02-10
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G02F1/13
Abstract: 플라스틱 기판의 변형이 발생하지 않는 유연한 디스플레이 장치의 제조방법이 개시된다. 상술한 방법은 플라스틱 기판의 표면에 화상 표시소자를 형성하는 공정시 상기 플라스틱 기판의 변형을 방지하기 위한 플라스틱 기판의 적층 방법으로서, 제1 크기를 갖는 캐리어 기판을 마련 후 캐리어 기판 상에 제2 크기를 갖는 플라스틱 기판을 적어도 두 개 이상 적층하는데 있다. 이러한 방법은 유연한 기판인 플라스틱 기판과 캐리어 기판간에 열 팽창계수의 차이에 의해 발생되는 변화를 효과적으로 방지할 수 있을 뿐만 아니라 공정의 효율을 증가시킬 수 있는 특성을 갖는다.
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