公开(公告)号：KR1020050123417A

公开(公告)日：2005-12-29

申请号：KR1020040048071

申请日：2004-06-25

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양영철 ,  정호용 ,  홍문표 ,  송근규

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3648 ,  G09G3/2025 ,  G09G3/2074 ,  G09G2320/028 ,  G09G2320/0285 ,  G09G2320/0673

Abstract: 본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다. 이 액정 표시 장치는 복수의 계조 전압을 생성하는 계조 전압 생성부, 외부로부터의 입력 영상 데이터의 입력 계조에 기초하여 하한 및 상한 출력 계조를 선택하고, 상기 하한 출력 계조를 가지는 하한 출력 영상 데이터와 상기 상한 출력 계조를 가지는 상한 출력 영상 데이터를 내보내는 데이터 처리부, 그리고 상기 복수의 계조 전압 중에서 상기 데이터 처리부로부터의 상기 하한 및 상한 출력 영상 데이터에 대응하는 하한 및 상한 계조 전압을 선택하여 하한 및 상한 데이터 전압으로서 상기 화소에 인가하는 데이터 구동부를 포함한다. 상기 하한 및 상한 출력 계조는 평균 정면 투과율이 상기 입력 계조의 정면 투과율과 실질적으로 같은 복수 쌍의 계조 집합 중에서 평균 측면 감마 곡선이 표시 장치의 정면 감마 곡선과 가장 유사한 조합이다.

公开(公告)号：KR100508036B1

公开(公告)日：2005-11-21

申请号：KR1019970047730

申请日：1997-09-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 정창오 ,  허명구 ,  홍문표 ,  김치우 ,  김양선 ,  탁영재

IPC: H01L21/28

Abstract: 원자 백분율 0.01%∼20% 미만의 텅스텐과 나머지 몰리브덴 및 불가피한 불순물로 이루어진 배선용 조성물, 금속 배선 및 그 제조 방법, 이를 이용한 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 텅스텐과 몰리브덴이 혼합되어 있는 조성물을 기판에 증착하여 배선을 형성한다. 이 배선용 몰리브덴 합금을 이용하여 표시 장치, 특히 액정 표시 장치의 게이트 배선을 형성한다. 이 몰리브덴 합금은 알루미늄 식각액에 대하여 저저항을 가지는 알루미늄 또는 알루미늄 합금과 비슷한 식각비를 보이므로, 게이트 배선을 알루미늄 또는 알루미늄 합금 및 몰리브덴 합금의 이중층으로 형성하는 경우에 완만한 경사의 식각이 가능하다. 또한 몰리브덴막 또는 몰리브덴-텅스텐 합금막으로 데이터선을 형성하는 경우에 증착 압력에 따라 막의 응력을 변화시켜 기판이 휘지않는 조건에서 두껍게 형성할 수 있으므로 고정세 및 대화면의 표시 장치용 배선으로 적합하다.

公开(公告)号：KR1020050083440A

公开(公告)日：2005-08-26

申请号：KR1020040011956

申请日：2004-02-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양영철 ,  홍문표 ,  송근규 ,  노수귀 ,  노남석 ,  정호용

IPC: G09G3/36

CPC classification number: G09G3/3406 ,  G09G5/02 ,  G09G2300/0452 ,  G09G2320/0646 ,  G09G2340/06 ,  G09G2360/16

Abstract: 적응형 컬러변환 기능 및 휘도 증대 기능을 갖는 화상 표시 방법 및 표시 장치와, 이의 구동 장치 및 방법이 개시된다. 외부로부터 원시 화상신호를 제공받아 한 프레임에 대응하는 원시 화상신호의 채도 및 계조 특성을 체크한다. 이어, 체크된 채도 및 계조 특성을 근거로 적응적으로 원시 화상신호를 다색 화상신호로 변경하여 화상 표시를 위해 출력하고, 적응적으로 휘도를 제어한다. 이에 따라, 멀티-컬러를 표시할 때 원시 화상신호를 적응적으로 컬러 신호의 계조를 변경하도록 처리하고, 광원의 세기를 원시 화상신호에 따라 조절하므로써, 멀티-컬러 표시시 고채도의 색 휘도가 낮아지는 문제점을 극복할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020050080825A

公开(公告)日：2005-08-18

申请号：KR1020040008956

申请日：2004-02-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 서종현 ,  김대옥 ,  홍문표

IPC: G02F1/136

CPC classification number: H01L27/12 ,  G02F1/13458 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/136286 ,  G02F2001/13629 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288

Abstract: 본 발명에 따른 접촉부 형성 방법은 기판 위에 제1 배선을 형성하는 단계, 제1 배선을 덮으며 제1 배선의 일부분을 노출하는 접촉구를 가지는 절연막을 형성하는 단계, 접촉구에 의해 노출되는 제1 배선의 표면에 접촉층을 형성하는 단계, 접촉층을 통하여 제1 배선과 연결되는 제2 배선을 형성하는 단계를 포함하고, 제1 배선은 알루미늄 또는 알루미늄 합금으로 형성하고, 제2 배선은 ITO 또는 IZO로 형성한다.

公开(公告)号：KR1020050050897A

公开(公告)日：2005-06-01

申请号：KR1020030084556

申请日：2003-11-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 양영철 ,  송근규 ,  노남석 ,  홍문표

IPC: G09G3/36

Abstract: 본 발명은 표시 장치의 영상 신호 변환 방법 및 장치에 관한 것으로서, 특히 3원색 신호를 6원색 신호로 변한하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
본 발명의 한 실시예에 따른 6원색의 부화소를 포함하는 표시 장치의 영상 신호 변환 방법은 3원색의 영상 신호를 입력하는 단계, 상기 영상 신호를 최대값, 중간값 및 최소값을 갖는 신호로 분류하는 단계, 상기 분류된 영상 신호를 6원색의 성분으로 분해하는 단계, 상기 6원색의 성분 중에서 최대값을 결정하는 단계, 스케일링 인자를 결정하는 단계, 그리고 6원색 신호를 추출하는 단계를 포함한다.
이런 방식으로, 3원색 신호를 6원색의 신호로 변환함으로써 채도 및 휘도를 증가시켜 선명한 고품위 텔레비전 등의 표시 장치를 제공할 수 있다.

公开(公告)号：KR1020040091480A

公开(公告)日：2004-10-28

申请号：KR1020030025561

申请日：2003-04-22

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 이용욱 ,  김보성 ,  홍문표

IPC: G02F1/167

CPC classification number: G02F1/167 ,  G02F1/136286 ,  G02F1/1368 ,  G02F2201/123

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate and an electro-phoretic indication display are provided to secure an aperture ratio and display characteristic and minimize leakage current. CONSTITUTION: A gate line(121) including a gate electrode is formed on an insulating substrate. A gate insulating layer is formed on the gate electrode, and a semiconductor layer is formed on the gate insulating layer. A data line(171) including a source electrode(173) intersects the gate line. A drain electrode(175) is formed on the semiconductor layer. A passivation layer formed of an organic insulating material partially covers the semiconductor layer. A pixel electrode(191) is formed on the passivation layer. The pixel electrode is located in a pixel region surrounded by the gate line and the data line and connected to the drain electrode. The edge of the pixel electrode is superposed on the gate line or the data line.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管基板和电泳指示显示屏，以确保孔径比和显示特性，并使漏电流最小化。 构成：在绝缘基板上形成包括栅电极的栅极线（121）。 在栅电极上形成栅极绝缘层，在栅极绝缘层上形成半导体层。 包括源电极（173）的数据线（171）与栅极线相交。 漏电极（175）形成在半导体层上。 由有机绝缘材料形成的钝化层部分地覆盖半导体层。 像素电极（191）形成在钝化层上。 像素电极位于由栅极线和数据线包围并连接到漏电极的像素区域中。 像素电极的边缘叠加在栅极线或数据线上。

公开(公告)号：KR1020040042413A

公开(公告)日：2004-05-20

申请号：KR1020020070707

申请日：2002-11-14

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김보성 ,  이용욱 ,  홍문표

IPC: G02F1/136

CPC classification number: G02F1/136286 ,  G02F1/133305

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor panel and a method for fabricating the panel are provided to minimize a stress applied to the panel. CONSTITUTION: A gate line(121), a gate electrode(123), a gate pad(125) and a gate connector(120) are formed on a transparent insulating panel. The gate line consists of the first gate line(121a) having the gate pad formed at one end of the gate line, and a plurality of second gate lines(121b) having no gate pad. The gate connector electrically connects the gate lines. A gate insulating layer is formed on the overall surface of the panel and includes the first contact hole(141) exposing one end of each of the first and second gate lines, the second contact hole(142) exposing a data connector(170) and the third contact hole exposing the gate pad. The gate insulating layer has the first opening(01) and the second opening. The first opening exposes a predetermined portion of a pixel region, and the second opening is formed between adjacent gate lines.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管面板和制造面板的方法以使施加到面板的应力最小化。 构成：在透明绝缘板上形成栅极线（121），栅电极（123），栅极焊盘（125）和栅极连接器（120）。 栅极线包括形成在栅极线的一端的栅极焊盘的第一栅极线（121a）和不具有栅极焊盘的多个第二栅极线（121b）。 栅极连接器电连接栅极线。 栅极绝缘层形成在面板的整个表面上，并且包括暴露第一和第二栅极线中的每一个的一端的第一接触孔（141），暴露数据连接器（170）的第二接触孔（142）和 第三接触孔暴露出栅极焊盘。 栅绝缘层具有第一开口（01）和第二开口。 第一开口露出像素区域的预定部分，并且第二开口形成在相邻栅极线之间。

公开(公告)号：KR1020030048219A

公开(公告)日：2003-06-19

申请号：KR1020010078090

申请日：2001-12-11

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 탁영미 ,  박운용 ,  이정호 ,  정규하 ,  홍문표

IPC: G02F1/1333

CPC classification number: G03F7/0007 ,  G02F1/1362 ,  G02F2001/13625 ,  G03F7/0035 ,  Y10S438/946

Abstract: PURPOSE: A method for forming a pattern on a substrate and a method for fabricating a liquid crystal display substrate using the pattern forming method are provided to reduce poor stitching to improve picture quality. CONSTITUTION: The first material layer is formed. The first photolithography is carried out for the first material layer in such a manner that at least two shots are exposed having at least one boundary(S1-S5) between neighboring shots, to form the first pattern. The second material layer is formed on the first pattern. The second photolithography is performed for the second material layer in such a manner that at least two shots are exposed having at least one boundary between neighboring shots, to form the second pattern. The boundary between neighboring shots in the second photolithography is located having a predetermined distance from the boundary between neighboring shots in the first photolithography.

Abstract translation: 目的：提供一种用于在基板上形成图案的方法和使用图案形成方法制造液晶显示基板的方法，以减少差的缝合以提高图像质量。 构成：第一层材料形成。 对于第一材料层进行第一光刻，使得至少两个曝光具有相邻镜头之间的至少一个边界（S1-S5），以形成第一图案。 第二材料层形成在第一图案上。 对于第二材料层进行第二光刻，使得至少两个曝光具有相邻镜头之间的至少一个边界，以形成第二图案。 在第二光刻中的相邻镜头之间的边界位于与第一光刻中相邻镜头之间的边界有预定距离。

公开(公告)号：KR1020030042081A

公开(公告)日：2003-05-28

申请号：KR1020010072593

申请日：2001-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  홍문표 ,  유승희 ,  노남석

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate is provided to prevent the generation of an oxide film between wires formed of aluminum or aluminum alloy and an IZO film by forming a contact reinforcement layer therebetween, thereby minimizing the contact resistance in contact parts. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes gate wires formed on an insulating substrate traversely with gate lines and gate electrodes, a gate insulating film formed on the gate wires, data wires formed on the gate insulating film longitudinally with data lines and source and drain electrodes, pixel electrodes(822) formed with contact reinforcing layers and a transparent conductive film in pixel areas defined by intersection between gate and data wires, and thin film transistors connected to the gate and data wires and the pixel electrodes. The drain electrodes(66) are connected to the pixel electrodes via first contact holes(76) of a protecting film(70) formed between the data wires and the pixel electrodes, and the drain electrodes contact the contact reinforcement layer(821) in the first contact holes.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管基板，以通过在其间形成接触加强层来防止在由铝或铝合金形成的导线和IZO膜之间产生氧化膜，从而使接触部分中的接触电阻最小化。 构成：薄膜晶体管基板包括在绝缘基板上横切地形成有栅极线和栅电极的栅极线，栅极布线上形成的栅极绝缘膜，纵向与栅极绝缘膜形成的数据线，数据线和源极和漏极 形成有接触加强层的像素电极（822）和由栅极和数据布线之间的交点限定的像素区域中的透明导电膜以及连接到栅极和数据线以及像素电极的薄膜晶体管。 漏电极（66）通过形成在数据线和像素电极之间的保护膜（70）的第一接触孔（76）连接到像素电极，漏电极与接触加强层（821）接触 第一接触孔。

公开(公告)号：KR1020030001701A

公开(公告)日：2003-01-08

申请号：KR1020010036542

申请日：2001-06-26

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김보성 ,  홍문표

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for fabricating the same are provided to form color filters by electrodeposition by using pixel electrodes without forming any additional patterns or proceeding any additional steps, thereby simplifying the fabricating procedure. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes a substrate(10), gate lines(22) formed on the substrate, data lines(62) intersecting the gate lines for defining pixel areas, thin film transistors formed in the pixel areas and electrically connected to the gate lines and data lines, pixel electrodes(P) formed in the pixel areas to be electrically connected to the thin film transistors, and color filters(100) electrodeposited on the pixel electrodes.

Abstract translation: 目的：提供薄膜晶体管基板及其制造方法，以通过使用像素电极的电沉积形成滤色器，而不形成任何附加图案或进行任何附加步骤，从而简化制造步骤。 构成：薄膜晶体管基板包括基板（10），形成在基板上的栅极线（22），与用于限定像素区域的栅极线相交的数据线（62），形成在像素区域中并电连接到 栅极线和数据线，形成在与薄膜晶体管电连接的像素区域中的像素电极（P）和电沉积在像素电极上的滤色器（100）。