公开(公告)号：KR100803111B1

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：KR1020010034813

申请日：2001-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  정진구 ,  유승희

IPC: G02F1/136

Abstract: 반사-투과형 액정표시장치 및 이의 제조 방법이 개시되어 있다. 광량이 풍부한 곳에서 디스플레이가 수행되도록 하는 부분에서는 유기 절연막 및 반사 전극에 요철을 형성하고, 광량이 부족한 곳에서 디스플레이가 수행되도록 하는 부분에서는 평탄한 유기 절연막 및 평탄한 투과 전극을 형성한다. 이로 인하여 광량의 많고 적음에 상관없이 디스플레이를 수행할 수 있으며, 특히 투과 모드에서 고휘도 디스플레이가 가능토록 한다.
반사-투과형 액정표시장치, BCB, 개구창

公开(公告)号：KR1020030048326A

公开(公告)日：2003-06-19

申请号：KR1020010078396

申请日：2001-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  홍문표 ,  유승희 ,  권대진 ,  송진호

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a thin film transistor substrate of a liquid crystal display is provided to manufacture a thin film transistor substrate having excellent contact characteristic and low-resistance conducting lines. CONSTITUTION: A gate line and a gate electrode connected to the gate line are formed on an insulating substrate(10). A gate insulating layer(30) is formed on the substrate to cover the gate line and gate electrode. A semiconductor layer(42,48) is formed on the gate insulating layer. An ohmic contact layer(55,56,58) is formed on the semiconductor layer. A conductive layer is formed on the substrate and patterned, to form source and drain electrodes on the ohmic contact layer and a data line(62) connected to the source electrode. The ohmic contact layer is etched using the source and drain electrodes as a mask. A passivation layer(70) is formed on the substrate and patterned to form a contact hole on the drain electrode. A pixel electrode(82) is formed on the passivation layer to be connected to the drain electrode through the contact hole. The step of forming the source and drain electrodes and data line and the step of etching the resistant contact layer are performed through a continuous dry etch process.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造液晶显示器的薄膜晶体管基板的方法，以制造具有优异的接触特性和低电阻导线的薄膜晶体管基板。 构成：在绝缘基板（10）上形成连接到栅极线的栅极线和栅电极。 在基板上形成栅极绝缘层（30）以覆盖栅极线和栅电极。 半导体层（42,48）形成在栅绝缘层上。 在半导体层上形成欧姆接触层（55,56,58）。 在衬底上形成导电层并构图，以在欧姆接触层上形成源电极和漏电极，以及连接到源电极的数据线（62）。 使用源极和漏极作为掩模蚀刻欧姆接触层。 在衬底上形成钝化层（70）并图案化以在漏电极上形成接触孔。 在钝化层上形成像素电极（82），以通过接触孔与漏电极连接。 形成源电极和漏电极和数据线的步骤以及蚀刻耐电接触层的步骤通过连续干法蚀刻工艺进行。

公开(公告)号：KR100878264B1

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：KR1020010078396

申请日：2001-12-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  홍문표 ,  유승희 ,  권대진 ,  송진호

IPC: G02F1/136

Abstract: 먼저, 절연 기판 위에 알루미늄 계열의 도전 물질을 적층하고 패터닝하여 게이트선, 게이트선과 연결되어 있는 게이트 전극 및 외부로부터 주사 신호를 전달받아 게이트선으로 전달하는 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한 다음 게이트 전극의 게이트 절연막 상부에 반도체층을 형성한다. 이어, 반도체층 위에 저항성 접촉층을 형성한다. 이어, 저항성 접촉층 또는 게이트 절연막 상부에 몰리브덴-텅스텐 합금을 포함하는 도전체층을 적층하고 패터닝하여 게이트선과 교차하는 데이터선, 데이터선과 연결되어 있으며 게이트 전극에 인접하는 소스 전극과 게이트 전극에 대하여 소스 전극의 맞은 편에 위치하는 드레인 전극 및 외부로부터 영상 신호를 전달받을 데이터선으로 전달하는 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 데이터 배선 및 반도체층 상부에 보호막을 적층하고 패터닝하여 드레인 전극 상부에 제1 접촉 구멍을 형성한다. 이어, 보호막 상부에 제1 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다. 이때, 데이터 배선과 저항성 접촉층 및 반도체층을 연속적으로 건식 식각 방법으로 패터닝한다.
몰리브덴-텅스텐 합금, 플라스마, 접촉특성, 건식식각, 애싱

公开(公告)号：KR1020020094638A

公开(公告)日：2002-12-18

申请号：KR1020010032976

申请日：2001-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  정진구 ,  유승희

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A TFT substrate fabricating method for a reflective liquid crystal display device is provided to simplify the fabricating procedure by forming a single organic film between data lines and thin film transistors, and reflecting electrodes. CONSTITUTION: A method for fabricating a thin film transistor substrate for a reflective liquid crystal display device includes the steps of forming gate lines(22) on a substrate(10), forming a gate insulating film(30) covering the gate lines, forming a semiconductor pattern(42) on the gate insulating film, forming data lines intersecting the gate lines on the gate insulating film, source electrodes(65) connected to the data lines and the semiconductor pattern, and drain electrodes(66) connected to the semiconductor pattern in correspondence to the source electrodes, plasma-processing the surface of the semiconductor pattern, forming an organic film covering the semiconductor pattern, the data lines, the source electrodes and drain electrodes, selectively exposing and developing the organic film for forming an organic film pattern(71) with contact holes for exposing the drain electrodes and a concave and convex type top part, and forming reflecting electrodes(82) on the organic film pattern to be connected to the drain electrodes via the contact holes.

Abstract translation: 目的：提供一种用于反射型液晶显示装置的TFT基板的制造方法，通过在数据线和薄膜晶体管之间形成单个有机膜以及反射电极来简化制造步骤。 构成：用于制造反射型液晶显示装置的薄膜晶体管基板的方法包括以下步骤：在基板（10）上形成栅极线（22），形成覆盖栅极线的栅极绝缘膜（30），形成 栅极绝缘膜上的半导体图案（42），形成与栅极绝缘膜上的栅极线相交的数据线，与数据线连接的源极（65）和半导体图案，以及连接到半导体图案的漏电极（66） 对应于源电极，等离子体处理半导体图案的表面，形成覆盖半导体图案的有机膜，数据线，源极和漏极，选择性地曝光和显影用于形成有机膜图案的有机膜 （71），具有用于使漏电极露出的接触孔和凹凸型顶部，以及在有机膜pa上形成反射电极（82） 通过接触孔连接到漏电极。

公开(公告)号：KR1020020096394A

公开(公告)日：2002-12-31

申请号：KR1020010034813

申请日：2001-06-19

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  정진구 ,  유승희

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A transflective liquid crystal display device and a method for fabricating the same are provided to carry out the display regardless of the light amount by forming an organic insulating film and concave and convex portions to the reflecting electrodes for the display at a bright place and forming a flat organic insulating film and flat transmitting electrodes for the display at a dark place. CONSTITUTION: A transflective liquid crystal display device includes thin film transistors(660) formed on first areas of a first substrate(100) with gate electrodes, an active pattern, and source and drain electrodes, a first organic insulating film(800) formed on the substrate flat, contact holes formed in the first organic insulating film on second areas for exposing the drain electrodes, transparent transmitting electrodes(900) formed on the first organic insulating film to contact the drain electrodes, a second organic insulating film(1000) formed with openings for exposing transmitting electrodes on the second areas and third areas, reflecting electrodes(1100) formed on the transparent electrodes to cover the second areas and not to cover the third areas, a second substrate(1400) having common electrodes facing the reflecting electrodes, and a liquid crystal layer(1200) implanted between the second organic insulating film and the common electrodes.

Abstract translation: 目的：提供一种半透射型液晶显示装置及其制造方法，用于通过在明亮的地方将有机绝缘膜和凹凸部分形成用于显示的反射电极而实现与光量无关的显示， 在黑暗处形成平面有机绝缘膜和用于显示器的平坦发射电极。 构成：半透射型液晶显示装置包括形成在具有栅电极的第一基板（100）的第一区域上的薄膜晶体管（660），有源图案以及源电极和漏电极，形成在第一有机绝缘膜 所述基板平坦，形成在所述第一有机绝缘膜上的用于暴露所述漏电极的第一有机绝缘膜中的接触孔，形成在所述第一有机绝缘膜上以与所述漏电极接触的透明发射电极，形成有第二有机绝缘膜， 具有用于在第二区域和第三区域上暴露发射电极的开口，形成在透明电极上的反射电极（1100）以覆盖第二区域而不覆盖第三区域;第二基板（1400），其具有面向反射电极的公共电极 以及注入到第二有机绝缘膜和公共电极之间的液晶层（1200）。

公开(公告)号：KR1020020089625A

公开(公告)日：2002-11-30

申请号：KR1020010028407

申请日：2001-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  유승희

IPC: G02F1/136

Abstract: PURPOSE: A thin film transistor substrate and a method for fabricating the same are provided to improve the contact characteristics between wires and transparent electrodes by removing unstable upper layer partially and exposing a lower layer even without carrying a plurality of steps for improving the contact characteristics. CONSTITUTION: A thin film transistor substrate includes gate wires(22,24,26) formed traversely on an insulating substrate in a dual-layered structure formed of upper and lower layers, a gate insulating film formed on the gate wires, data wires(65,66,68) formed longitudinally on the substrate in the dual-layered structure formed of upper and lower layers, pixel electrodes(82) formed in pixel areas defined by the intersection between gate and data wires, thin film transistors connected to the gate and data wires and the pixel electrodes, and a protecting film(70) formed on the data wires and the thin film transistors and having contact holes(76) for exposing the data and gate wires partially, wherein the upper layer of either of gate or data wires has boundary lines included in the boundary lines of the lower layer, and the upper and lower layers are exposed simultaneously via the contact holes.

Abstract translation: 目的：提供一种薄膜晶体管基板及其制造方法，即使不带有多个用于改善接触特性的步骤，也可以通过去除部分不稳定的上层和暴露下层来改善导线和透明电极之间的接触特性。 构成：薄膜晶体管基板包括在由上下层构成的双层结构中的绝缘基板上横向形成的栅极线（22,24,26），形成在栅极线上的栅极绝缘膜，数据线（65 ，66,68）在由上下层形成的双层结构中的基板上纵向形成，像素电极（82）形成在由栅极和数据布线之间的交点形成的像素区域中，连接到栅极的薄膜晶体管和 数据线和像素电极以及形成在数据线和薄膜晶体管上的保护膜（70），并且具有用于部分地暴露数据和栅极线的接触孔（76），其中栅极或数据中的任一个的上层 电线具有包含在下层的边界线中的边界线，并且上层和下层通过接触孔同时暴露。

公开(公告)号：KR100925474B1

公开(公告)日：2009-11-06

申请号：KR1020090000786

申请日：2009-01-06

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  홍문표 ,  노남석 ,  유승희 ,  송근규 ,  정진구 ,  김보성

IPC: G02F1/136 ,  G02F1/1333

Abstract: 절연 기판 위에 게이트선, 게이트 전극 및 게이트 패드를 포함하는 게이트 배선을 형성한다. 이어, 게이트 배선을 덮는 게이트 절연막을 형성한 다음, 게이트 전극의 게이트 절연막 상부에 반도체 패턴을 형성한다. 이어, 반도체 패턴 또는 게이트 절연막 상부에 데이터선과 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 패드를 포함하는 데이터 배선을 형성한다. 이어, 데이터 배선 및 반도체 패턴을 덮는 보호막을 도포한 다음, 보호막의 일부를 제거하여 드레인 전극을 드러내는 제1 접촉 구멍을 형성한다. 이어, 보호막에 Cl2/O2 또는 HCl/O2 기체를 이용하여 플라스마 처리를 실시한 다음, O2 플라스마를 이용한 건식 세정 또는 Al 또는 Cr의 식각액과 같이 HNO3을 포함하는 식각액을 이용한 습식 세정을 실시한다. 이어, 제1 접촉 구멍을 통해 드러난 드레인 전극과 연결되는 화소 전극을 형성한다.
플라스마, 건식세정, 습식세정, 접촉구멍, 유기절연막, 접촉저항

Abstract translation: 包括栅极线，栅极电极和栅极焊盘的栅极布线形成在绝缘基板上。 接下来，在形成覆盖栅极布线的栅极绝缘膜之后，在栅极的栅极绝缘膜上形成半导体图案。 然后，在半导体图案或栅极绝缘层上形成包括数据线，源电极，漏电极和数据焊盘的数据线。 接着，施加覆盖数据线和半导体图案的保护膜，然后去除保护膜的一部分以形成用于暴露漏电极的第一接触孔。 接着，传导由在保护膜使用氯气/ O2或HCl / O 2气体，然后，湿法清洗使用含有HNO 3的蚀刻液作为干洗或以Al或Cr O 2等离子体蚀刻溶液进行等离子体处理。 接下来，形成连接到通过第一接触孔暴露的漏电极的像素电极。

公开(公告)号：KR100878265B1

公开(公告)日：2009-01-13

申请号：KR1020010072593

申请日：2001-11-21

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  홍문표 ,  유승희 ,  노남석

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연 기판 위에 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy) 등의 비저항이 낮은 물질로 이루어진 게이트 배선이 형성되어 있고, 게이트 배선 위에는 질화 규소(SiN
x ) 따위로 이루어진 게이트 절연막이 형성되어 있다. 게이트 절연막 위에는 비정질 규소 등의 반도체로 이루어진 반도체층이 형성되어 있으며, 반도체층의 상부에는 실리사이드 또는 n형 불순물이 고농도로 도핑되어 있는 n+ 수소화 비정질 규소 따위의 물질로 만들어진 저항성 접촉층이 각각 형성되어 있다. 저항성 접촉층 및 게이트 절연막 위에는 알루미늄(Al) 또는 알루미늄 합금(Al alloy) 등으로 이루어진 데이터 배선이 형성되어 있으며, 데이터 배선 위에는 질화 규소로 이루어진 보호막이 형성되어 있다. 보호막에는 데이터 배선 및 게이트 배선의 일부를 드러내는 접촉 구멍이 형성되어 있고, 보호막 위에는 접촉 구멍을 통하여 노출된 데이터 배선 및 게이트 배선과 전기적으로 연결되어 있는 접촉 보강층 및 IZO막으로 이루어진 화소 전극, 보조 게이트 패드 및 보조 데이터 패드가 형성되어 있다.

公开(公告)号：KR100806887B1

公开(公告)日：2008-02-22

申请号：KR1020010032976

申请日：2001-06-12

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  정진구 ,  유승희

IPC: G02F1/136

Abstract: 본 발명은 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에 관한 것으로, 박막 트랜지스터의 특성을 향상시키는 동시에 제조 공정을 단순화하기 위하여, 박막 트랜지스터를 덮는 보호막으로 유기막만을 형성하되, 유기막을 형성하기 전에 기판을 플라즈마 처리한다. 본 발명에 따른 반사형 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법에는 기판 위에 게이트선을 형성하는 단계; 게이트선을 덮는 게이트 절연막을 형성하는 단계; 게이트 절연막 위에 반도체 패턴을 형성하는 단계; 게이트 절연막 위에 게이트선에 교차하는 데이터선, 데이터선에 연결되어 반도체 패턴에 연결되는 소스 전극, 소스 전극에 대응하여 반도체 패턴에 연결되는 드레인 전극을 형성하는 단계; 반도체 패턴의 표면을 플라즈마 처리하는 단계; 반도체 패턴 및 데이터선, 소스 전극 및 드레인 전극을 덮는 유기막을 형성하는 단계; 유기막을 선택적으로 노광 및 현상하여, 드레인 전극을 드러내는 접촉 구멍이 있고, 상부가 요철 형상으로 패터닝되는 유기막 패턴을 형성하는 단계; 유기막 패턴 위에 접촉 구멍을 통하여 드레인 전극에 연결되는 반사 전극을 형성하는 단계를 포함한다.
반사형, 액정 표시 장치, 반사 전극, 유기막 패턴, 요철 형상, 플라즈마

公开(公告)号：KR100740937B1

公开(公告)日：2007-07-19

申请号：KR1020010028407

申请日：2001-05-23

Applicant: 삼성전자주식회사

Inventor： 김상갑 ,  유승희

IPC: G02F1/136

Abstract: 절연 기판 위에 게이트 배선을 형성하고, 게이트 배선 위에 게이트 절연막, 반도체층, 접촉층 및 제1 데이터 배선층, 제2 데이터 배선층을 적층한다. 제2 데이터 배선층 위에 감광막 패턴을 형성한 후, 제2 데이터 배선층을 습식 식각하여 감광막 패턴 하부로 일정한 깊이의 얻더컷을 발생시키고 제1 데이터 배선층을 건식식각하여 데이터 배선을 형성한다. 다음 데이터 배선 위에 보호막을 적층하고, 보호막 및 게이트 절연막을 패터닝하여 게이트 패드, 데이터 패드 및 드레인 전극을 각각 노출시키는 제1 내지 제3 접촉구를 형성한 후, 제1 내지 제3 접촉구를 통하여 게이트 패드, 데이터 패드 및 드레인 전극과 각각 연결되는 보조 게이트 패드, 보조 데이터 패드 및 화소 전극을 형성한다. 이 때, 보조 데이터 패드와 화소 전극은 각각 데이터 패드와 드레인 전극의 제1 데이터 배선층 및 제2 데이터 배선층과 동시에 접촉한다.
박막트랜지스터기판, 접촉구, 접촉특성, 감광막패턴