Abstract:
메모리 시스템은 복수의 계층의 메모리를 포함하는 하는 것으로, 상위 메모리 계층, 상기 상위 메모리 계층 하위에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층, 및 상기 상위 메모리 계층 및 중간 메모리 계층의 동작을 제어하는 메모리 관리 유닛을 포함하되, 상기 중간 메모리 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것이고, 상기 메모리 관리 유닛은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시킨다.
Abstract:
메모리 시스템은 복수의 계층의 메모리를 포함하는 하는 것으로, 상위 메모리 계층, 저장 장치 계층, 상기 상위 메모리 계층 및 저장 장치 계층 사이에 배치되고, 비휘발성 메모리로 이루어진 제 1 서브 메모리와 휘발성 메모리로 이루어진 제 2 서브 메모리를 병렬구조로 포함하는 중간 메모리 계층 및 상기 상위 메모리 계층, 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층의 동작을 제어하는 메모리 관리 유닛을 포함하되, 상기 중간 메모리 계층 및 저장 장치 계층은 상기 상위 메모리 계층에 의하여 참조되는 것이고, 상기 메모리 관리 유닛은 상기 메모리 시스템을 포함하는 사용자 단말의 일반 모드 동작시에 상기 제 2 서브 메모리에 저장된 데이터들 중 소정의 조건에 해당하는 데이터를 상기 제 1 서브 메모리에 미리 저장시킨다.
Abstract:
PURPOSE: A memory system including a non-volatile memory and a volatile memory and a processing method using the system are provided to improve efficiency by loading reading reference generated data on a non-volatile memory with the improved reading speed performance and loading writing reference generated data on a volatile memory with the improved writing speed performance. CONSTITUTION: A first memory layer(1100) is composed of a volatile memory. A third memory layer(1300) is composed of a non-volatile memory. A second memory layer(1200) is arranged between the first memory layer and the third memory layer and includes a first sub-memory(1210) and a second sub-memory(1220) which load data in responds to memory reference failure generated in the first memory layer. The first sub-memory loads data with read reference failure. The second sub-memory loads data with writing reference failure.
Abstract:
The memory system includes multiple layers of memories. The memory system comprises an upper memory layer; an intermediate memory layer which is arranged under the upper memory layer and in which a first sub memory composed of a non-volatile memory and a second sub memory composed of a volatile memory are provided in a parallel structure; and a memory management unit for controlling the operation of the upper memory layer and the intermediate memory layer. The intermediate memory layer is referred by the upper memory layer. The memory management unit stores data corresponding to a predetermined condition among the data stored in the second sub memory in the first sub memory in advance in the normal mode operation of a user terminal including the memory system. [Reference numerals] (110) Upper memory layer; (120) Intermediate memory layer; (122) First sub memory; (124) Second sub memory; (130) Storage device layer; (140) Memory management unit
Abstract:
PURPOSE: A cache controller and a cache block replacement method are provided to select a clean block as a replacement block first, thereby storing a new block in a cache memory without delay. CONSTITUTION: A cache controller(100) includes a content change state monitoring unit(120) and a cache block replacement unit(140). The content change state monitoring unit monitors a change of part of blocks in the same set of a cache memory exists. When the change of part of blocks in the same set of the cache memory exists, the cache block replacement unit replaces blocks whose contents are not changed.
Abstract:
SMT 프로세서에서 쓰레드들의 동작과 관련되는 프로세싱 회로들이 SMT 프로세서에 의해 현재 동작되는 쓰레드들의 수에 기초하여 다른 성능레벨들에서 동작하도록 구성될 수 있다. 예컨대, 본 발명의 일부 실시예들에서는 SMT 프로세서에서 쓰레드의 동작과 관련된 프로세싱 회로들, 즉 플로우팅 포인트 유닛 또는 데이터 캐쉬와 같은 프로세싱 회로들이 SMT 프로세서에 의해 현재 동작되는 쓰레드들의 수에 기초하여 고전력 모드 또는 저전력 모드의 하나로 동작할 수 있다. 또한, SMT 프로세서에 의해 동작되는 쓰레드들의 수가 증가하면 상기 프로세싱 회로들의 성능레벨들이 감소될 수 있다. 이에 따라 SMT 프로세서의 구조적 이점들이 제공되어 쓰레드들과 관련된 프로세싱 회로들에 의해 소모되는 전력량이 감소될 수 있다. 관련되는 컴퓨터 프로그램 제품들 및 방법들도 개시된다.
Abstract:
PURPOSE: A cache memory system and an operation method thereof are provided to reduce a cache miss, and increase the efficiency of memory traffic by selectively determining the volume of information fetched according to the state of information existed in a cache. CONSTITUTION: A large quantity of information which a center control unit(40) can refer is stored in a lower position memory element(48). The second auxiliary storage unit(44) fetches the determined volume of information including information referred from the center control unit(40) as the second information, and stores the information. The first auxiliary storage element(42) stores the first information fetched from the second information stored in the second auxiliary storage element(44) including the information referred by the center control unit(40) or the lower position memory element(48). A control unit(46) is composed of a state storage element(46a) and a demultiplexing unit(46b). The state storage element(46a) is included in the second information. The demultiplexing unit(46b) is controlled by the control unit(46).